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    • 2. 发明公开
    • Verfahren zum Dotieren von Siliciumkörpern durch Eindiffundieren von Bor und Anwendung dieses Verfahrens zum Herstellen von Basiszonen bipolarer Transistoren
    • 通过硼的这种方法对于双极型晶体管的基极区域的制造中的扩散,以及应用掺杂硅体的方法。
    • EP0032174A1
    • 1981-07-22
    • EP80107034.3
    • 1980-11-14
    • IBM DEUTSCHLAND GMBHInternational Business Machines Corporation
    • Briska, MarianMetzger, GertThiel, Klaus Peter
    • H01L21/223H01L21/31C30B31/02
    • C30B31/02H01L21/223H01L21/31111
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren von Siliciumkörpern durch Eindiffundieren von Bor.
      Gemäß der Erfindung wird das in einem ersten Wärmeprozeß durch Überleiten eines eine festgelegte Bormenge und Bor und Sauerstoff in einem festgelegten Mengenverhältnis enthaltenden Gasgemisches über Siliciumkörper entstandene Borsilicatglas (7, 9) in einem Ätzzyklus, bei dem eine im Verhältnis 1:10 mit Wasser verdünnte Flußsäure, anschließend eine wässrige schwefelsaure KMn0 4 -Lösung und gegebenenfalls eine im Verhältnis 1:10 mit Wasser verdünnte Flußsäure angwendet werden, bei Zimmertemperatur vollständig abgelöst. In Gegenwart der S1B 6 -Schicht (8), die in dem zuvor angegebenen Ätzzyklus nicht angegriffen wird, wird Bor in einem zweiten Wärmeprozeß in das Silicium hineingetrieben. Der zweite Wärmeprozeß kann je nach dem gewünschten Schichtwiderstandswert (RS) und der Eindringtiefe (xj) in oxidierender oder inerter Atmosphäre erfolgen.
      Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können sehr homogene und gut reproduzierbare Diffusionsergebnisse innerhalb sehr enger Toleranzen erhalten werden.
    • 本发明涉及掺杂硅体的方法通过硼的扩散。按照本发明,所得到的在第一加热处理通过使在硼和硼和氧的预定量在预定的量的比例混合气在硅本体硼硅酸盐玻璃(7,9)在一 蚀刻循环,其中一个与水氢氟酸稀释1:10,随后含水硫酸高锰酸钾溶液和任选的稀1:10与水氢氟酸angwendet,在室温下完全分离。 在S1B6层(8),其未在上述的蚀刻循环攻击的存在,硼被驱动到在所述硅的第二热处理。 所述第二热工艺可(RS)和穿透(XJ)的深度取决于所期望的薄层电阻发生在氧化或惰性气氛中。 利用本发明的方法非常均匀和可再现的扩散结果可以非常窄的公差范围内来获得。
    • 6. 发明公开
    • Magnetplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
    • 磁盘和它们的制备方法。
    • EP0179934A1
    • 1986-05-07
    • EP84113055.2
    • 1984-10-31
    • IBM DEUTSCHLAND GMBHInternational Business Machines Corporation
    • Briska, MarianElsner, Gerhard, Dr.Hinkel, Holger, Dr.
    • G11B5/708G11B5/704G11B5/855
    • G11B5/7305G11B5/708G11B5/855Y10S428/90Y10T428/24521
    • In der Magnetplatte, welche eine Magnetschicht, bestehend aus einem Bindemittel, magnetischen Teilchen und einem abriebfesten Material auf einem Siliciumsubstrat (1) aufweist, hat das abriebfeste Material die Form von Erhebungen (3,13,23), welche über die Oberfläche des Siliciumsubstrats (1) hinausragen, mit diesen verbunden sind, eine festgelegte gleichmäßige Verteilung auf der Substratoberfläche haben und deren Oberfläche mit der Oberfläche einer Schicht (5), welche aus dem Bindemittel und den magnetischen Teilchen besteht, coplanar ist. Hergestellt wird die Magnetplatte, indem auf dem Substrat (1) die Erhebungen (3, 13, 23) in einer festgelegten, regelmäßigen Verteilung entweder, nachdem die Oberfläche des Substrats (1) ganzflächig dotiert und/oder mit einer Schicht (2, 8, 11), welche als Hauptbestandteil Aluminium enthält, versehen worden ist, durch Tempern und gegebenenfalls Oxidieren, oder nachdem die Oberfläche des Substrats (1) selektiv dotiert worden ist, durch Wegätzen der dabei nicht dotierten Bereiche der Oberfläche des Substrats (1) erzeugt werden, daß dann die Schicht (5) aus dem Bindemittel und den magnetischen Teilchen aufgeschleudert, gehärtet und dann abgeschliffen wird, bis die Spitzen der Erhebungen (3, 13, 23) freiliegen.
    • 在磁盘具有由粘合剂,磁性颗粒和在硅衬底(1)上的耐磨材料制成的磁性层,具有耐磨材料在突出部的形式(3,13,23),其(在该硅衬底的表面 1)延伸,连接到这些,具有带有层(5)由粘合剂和磁性粒子是共面的表面的衬底表面上的预定均匀分布和表面。 产生时,磁盘通过,在基板(1),在基板(1)的表面上之后的固定,规则分布在整个区域上掺杂和/或与层(2,8,无论是凸起(3,13,23), 11),其中包含作为主要成分的铝,已经提供了,通过退火制备和任选的氧化剂,或之后的基板的表面(1)已经被选择性掺杂,通过蚀刻掉衬底(1)的表面的未掺杂区域, 其随后旋涂粘合剂和磁性颗粒的层(5),硬化,然后研磨,以暴露突起(3,13,23)的尖端。