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    • 9. 发明公开
    • Verfahren zum Herstellen von doppelseitig metallisierten Metall-Keramik-Substraten
    • 埃尔法罕·泽姆·赫斯特伦·冯·多普
    • EP2394975A1
    • 2011-12-14
    • EP11004835.2
    • 2011-06-14
    • IXYS Semiconductor GmbH
    • Weidenauer, WernerSpann, ThomasKnoll, Heiko
    • C04B37/02H05K3/38
    • C04B37/021C04B37/025C04B2235/9623C04B2237/06C04B2237/341C04B2237/407C04B2237/54C04B2237/56C04B2237/561C04B2237/568C04B2237/62C04B2237/704H05K1/0306H05K3/007H05K3/385H05K2203/016
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von doppelseitig metallisierten Metall-Keramik-Substraten nach dem Direct-Bonding-Prozess. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, mindestens ein Keramiksubstrat 1 an der Ober- und Unterseite in nur einem Prozessdurchlauf mit jeweils einer Metallplatte- bzw. -folie 2, 3 zu verbinden. Dies wird dadurch erreicht, dass sich der zu fügende Verbund auf einem besonders ausgestalteten Träger 4 befindet. Dieser Träger ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, dass der Träger an der Oberseite unter Bildung einer Vielzahl von Auflagepunkten strukturiert ist. Aufgrund der besonderen Strukturierung des erfindungsgemäßen Trägers wird erreicht, dass sich der Verbund von Metallplatten und Keramiksubstrat nach dem Bondprozess rückstandsfrei von dem Träger lösen lässt. Der erfindungsgemäßen Träger bietet den Vorteil, dass eine zusätzliche Trennschicht nicht erforderlich ist.
    • 通过直接接合工艺(直接铜接合)制造双面金属化陶瓷衬底的方法,用于作为电路载体的半导体功率模块,包括放置第一金属板和第二金属板以及布置的陶瓷衬底的布置 在支撑体(4)上的第一和第二金属板之间,并且通过加热将布置在支撑体上的布置与双面金属化陶瓷基板结合。 通过形成接触点,支撑体在上侧构成,面向排列。 通过直接接合工艺(直接铜接合)制造双面金属化陶瓷衬底的方法,用于作为电路载体的半导体功率模块,包括放置第一金属板和第二金属板以及布置的陶瓷衬底的布置 在支撑体(4)上的第一和第二金属板之间,并且通过加热将布置在支撑体上的布置与双面金属化陶瓷基板结合。 通过形成沿着排列方向逐渐变细的接触点,支撑件在面向结构的上侧构造。 突出的组合件(4A)沿着该装置的方向延伸到一个点(4B),并且是锥形,金字塔形和半球形的主体。 该组合件以一致的间隔分布地布置在支撑件的上侧,面向该装置。 金属板在施加到陶瓷基板上之前被氧化。 在第一金属板和/或第二金属板在定位在陶瓷基板上之前被穿孔,其中孔具有0.4-0.6mm的直径,并且以一定距离间隔排列成行。