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21. 发明公开

EP2190010A2 A method of preparing a thin layer of semiconductor material 审中-公开
标题翻译： Verfahren zur Herstellung einerDünnschichtaus Halbleitermaterial
公开(公告)号：EP2190010A2
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：EP10155844.3
申请日：2003-08-11
申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： Ghyselen, Bruno , Aulnette, Cécile , Osternaud, Bénédite
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L22/20
摘要： The invention relates to a method of preparing a thin layer of semiconductor material, the method including a step (1050') of correcting the thickness of the layer, said step of correcting thickness of the layer itself comprising the following operations: acquiring a measured thickness profile of the layer; deducing thickness correction specifications from the measured thickness profile; and correcting the thickness of the layer in accordance with said specifications; the method being characterized in that thickness correction implements a technique which simultaneously treats the entire surface of the layer, while locally and selectively adapt layer thickness in different regions of the layer surface. The invention also relates to an associated machine.
摘要翻译：本发明涉及一种制备半导体材料薄层的方法，该方法包括校正层的厚度的步骤（1050'），该层本身的厚度校正步骤包括以下操作：获取测量的厚度层的轮廓; 从测量的厚度剖面推导厚度校正规范; 并根据所述规格校正层的厚度; 该方法的特征在于，厚度校正实现了同时处理层的整个表面，同时局部且选择性地适应层表面的不同区域中的层厚度的技术。本发明还涉及一种相关联的机器。

22. 发明公开

EP2023380A1 Procédé et installation pour la fracture d'un substrat composite selon un plan de fragilisation 审中-公开
$Procédé et installation pour la fracture d'un substrat composite selon un plan de fragilisation$
标题翻译：用于由脆性分割平面的手段破的复合基板的方法和装置
公开(公告)号：EP2023380A1
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：EP08160680.8
申请日：2008-07-18
申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
发明人： Legros, David
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/762 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/67098 , H01L21/76254 , Y10T156/1189 , Y10T156/1972
摘要： L'invention concerne un procédé de fracture d'une structure composite (100) selon un plan de fragilisation défini entre deux couches, le procédé comprenant la réalisation d'une fracture de la structure le long du plan de fragilisation. Lors de la fracture, la structure composite est disposée dans un logement (120) de nacelle et maintenue en contact contre des raidisseurs (118) disposés de part et d'autre de la structure et alignés parallèlement l'un à l'autre.
摘要翻译：该方法包括沿一薄层和其余层即之间限定的脆化平面实现的复合结构（100）的断裂供体基片的负层，E.G. 氮化镓板。该复合结构被维持针对在结构，其中加强件被放置在结构的bothsides并间隔从该结构的压裂过程中能量的释放的时刻加强筋（118）。因此独立claimsoft包括用于热退火安装的吊舱的壳体。

23. 发明公开

EP1865551A2 Procédé de limitation de diffusion en mode lacunaire dans une hétérostructure 审中-公开
标题翻译：在einer Heterostruktur的Verfahren zur Begrenzung der Diffusion imLückenmodus
公开(公告)号：EP1865551A2
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：EP07108925.4
申请日：2007-05-25
申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
发明人： Hebras, Xavier
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une hétérostructure comprenant au moins une première couche (102) en matériau semi-conducteur sur une deuxième couche (101) en un matériau différent de celui de la première couche. Pour empêcher des éléments du matériau semi-conducteur de diffuser dans la première couche (102) et dans les couches adjacentes en mode lacunaire, le procédé de l'invention comprend une étape d'enrichissement (S2) en défauts interstitiels (105a) de la première couche (102) de manière à limiter la diffusion en mode lacunaire des éléments de la première couche.
摘要翻译：通过在第二层材料上提供具有第一半导体材料层的半导体结构来减少半导体结构制造过程中的空位扩散，其中半导体材料包括能够通过空位扩散机构扩散到第二层或相邻层中的元件; 并且将附加元素注入到第一层的半导体材料中，其量产生间隙缺陷以限制或防止元件到第二层的空位扩散。还包括一种独立权利要求，该半导体结构包括在第二材料层上的第一半导体材料层，其中半导体材料包括能够通过空位扩散机构扩散到第二层或相邻层中的元件; 以及以一定量注入第一层的半导体材料的附加元素，以产生间隙缺陷以限制或防止元件进入第二层的空位扩散。

24. 发明公开

EP1324385A3 Procédé de report de couches minces semi-conductrices et procéde d'obtention d'une plaquette donneuse pour un tel procédé de report 有权
标题翻译：转移半导体薄膜和制造晶片作为所述方法的用于传输的薄膜源的方法的方法
公开(公告)号：EP1324385A3
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：EP02293182.8
申请日：2002-12-20
申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： Letertre, Fabrice , Maurice, Thibaut
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L29/12
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76251 , Y10S438/954 , Y10S438/964
摘要： Un procédé de report de couches minces successives d'un matériau semi-conducteur d'une plaquette donneuse vers une plaquette receveuse comprend les étapes suivantes : (a) assembler une tranche massive constituée du matériau semi-conducteur avec un support pour former la plaquette donneuse avec une couche donneuse (102) dudit matériau semi-conducteur et une couche support (20), (b) créer dans la couche donneuse une zone de fragilisation (12), (c) coller la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse (40) au niveau de la face libre de la couche donneuse, (d) effectuer une séparation au niveau de la zone de fragilisation, une couche mince (101) du matériau semi-conducteur étant ainsi reportée de la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse, et (e) répéter les opérations (b) à (d) sans que la couche support de la plaquette donneuse ne soit entamée. Un procédé d'obtention d'une plaquette donneuse est également proposé.
摘要翻译：从供体晶片（30）到接收器晶片半导体的连续薄层的转移涉及秉承施体晶片到接收机晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面，并且传递环的薄半导体层（ 10）从通过在供体层中分离到脆化区施主晶片到接收晶片。半导体的连续薄层的转移从一个供体晶片到接收机晶片包括：（a）组装一体晶片，其包括半导体材料与载体，以形成机械稳定的组件包括一个供体晶片（30），其包括100-300 半导体材料的微米厚的施体层（10）和100-300微米厚的支撑层（20）; （B）在脆化区在所述施主层的受控深度（10）创建; （C）粘附所述施体晶片（30）到接收器晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面（30）; （D）传递环通过实现在脆化区分离半导体材料的薄层从施主晶片（30）到接收器晶片; 及（e）重复操作（b）至（d）在不损坏所述施主晶片（30）的支撑层（20）。操作（a）到（d）重复的选择作为施体层（10）和脆化区的深度的厚度的函数的最大次数。步骤（a）是由体晶片和所述支撑件的抛光表面之间的分子粘附或高温焊接实现。阶段（b）通过气态物质的注入实现。阶段（c）通过分子粘附实现。阶段（d）中，通过施加热和/或机械应力实现。半导体材料是单晶半导体，优选为Si，SiC和宽间隙单 - 或多 - 金属氮化物，尤其是爱的GaN。该支撑件从包括以下的组的材料相同的材料作为单晶选择，但所有这些都是低质量的单晶，或者是多晶的，或是不同的聚型的。支撑层（20）选自Si，氮化镓，碳化硅，氮化镓，碳化硅，氮化铝和蓝宝石中选择。独立claimsoft给出用于施体晶片的制造方法。

25. 发明公开

EP2405465A1 Procédé de collage par adhésion moléculaire avec compensation de désalignement radial 审中-公开
标题翻译： Klebeverfahren durch molekulare Bindung mit Kompensation der radialen Verschiebung
公开(公告)号：EP2405465A1
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：EP11168039.3
申请日：2011-05-30
申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： Gweltaz, Gaudin
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/185 , B32B37/144 , B32B37/18 , B32B38/1808 , B32B38/1866 , B32B41/00 , B32B2041/04 , B32B2307/202 , B32B2309/72 , B32B2457/14 , H01L21/187 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/08146 , H01L2224/75702 , H01L2224/75703 , H01L2224/75756 , H01L2224/75901 , H01L2224/80006 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/3511 , Y10T156/10 , Y10T156/1089 , Y10T156/1092 , H01L2224/80
摘要： Un procédé de collage par adhésion moléculaire d'une première plaque (100) sur une deuxième plaque (200), lesdites plaques présentant entre elles un désalignement radial initial. Le procédé comprend au moins une étape de mise en contact des deux plaques (100, 200) de manière à initier la propagation d'une onde de collage entre les deux plaques. Conformément à l'invention, on impose une courbure de collage prédéfinie (K B ) en fonction du désalignement radial initial à l'une au moins des deux plaques lors de l'étape de mise en contact.
摘要翻译：该方法包括使两个板（100,200）例如硅圆形板接触，以便在两个板之间启动结合波的传播。在接触步骤期间，通过膜在两个板中的一个板上施加预定义的粘合曲率，其中膜插入在前板和保持支撑件（310）之间。另一个板在粘合波的传播过程中自由地适应施加在前板上的预定的粘合曲率。对于通过分子粘合键合板的装置还包括独立权利要求。

26. 发明公开

EP2302671A1 Procédé de collage et de transfert d'une couche 审中-公开
标题翻译： Bindungsverfahren undschichtübertragungsverfahren
公开(公告)号：EP2302671A1
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：EP10175584.1
申请日：2010-09-07
申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： Lagahe Blanchard, Chrystelle
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/304 , H01L21/30608 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126
摘要： L'invention concerne un procédé de collage et de transfert d'une couche de matériau (12) issue d'un substrat donneur (1) sur un substrat receveur (2), utilisé lors de la fabrication d'un substrat destiné notamment à des applications dans les domaines de l'électronique, l'optique ou l'opto-électronique.
Ce procédé comprend les étapes suivantes :
- coller par adhésion moléculaire ledit substrat receveur (2) et un substrat (1) donneur,
- appliquer un traitement thermique à l'empilement précité pour consolider l'interface de collage (5),
- amincir le substrat donneur (1) par meulage,
- effectuer un détourage annulaire du substrat donneur (1) et d'une partie du substrat receveur (2),
- après les étapes précitées, effectuer une étape de gravure chimique de la surface exposée de la partie restante du substrat donneur (1) et de la surface exposée du substrat receveur (2).
摘要翻译：该方法包括通过分子粘附将接收器衬底（2）和施主衬底（1）（即绝缘体上硅衬底）结合，以及对衬底叠层施加热处理以巩固衬底之间的键合界面。通过研磨稀释施主衬底。进行供体衬底和接收器衬底的一部分的环形修整。使用蚀刻溶液即四甲基氢氧化铵进行供体基板的一部分的暴露表面和接收器基板的暴露表面的化学蚀刻。

27. 发明授权

EP1523771B1 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE ELECTRIQUEMENT ACTIVE. 有权
标题翻译：转移电活性薄层的方法
公开(公告)号：EP1523771B1
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：EP03750808.2
申请日：2003-07-15
申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. , Soitec
发明人： DI CIOCCIO, Léa , LETERTRE, Fabrice , HUGONNARD-BRUYERE, Elsa
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/7602

28. 发明公开

EP2070111A1 PROCESS FOR MAKING A GAN SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于生产GaN衬底
公开(公告)号：EP2070111A1
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：EP07820110.0
申请日：2007-09-11
申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
发明人： FAURE, Bruce
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02634
摘要： The invention relates to a process for making a GaN substrate (60), characterized in that it comprises the following steps: (a) transferring a first monocrystal GaN layer (50) onto a supporting substrate (40); (b) applying crystal growth for a second monocrystal GaN layer on the first layer (50); the first and second GaN layers thereby forming together said GaN substrate (60), said GaN substrate (60) having a thickness of at least 10 micrometers, (c) removing at least one portion of the supporting substrate (40).

29. 发明公开

EP1986229A1 Method for manufacturing compound material wafer and corresponding compound material wafer 审中-公开
标题翻译：对于由复合材料制成，并相应晶片的晶片制造过程由复合材料制成的
公开(公告)号：EP1986229A1
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：EP07290528.4
申请日：2007-04-27
申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
发明人： Reynaud, Patrick , Kononchuk, Oleg
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032
摘要： The invention relates to methods for manufacturing compound material wafers, in particular silicon on insulator type wafers, comprising the steps of providing a donor substrate, forming an insulating layer, providing a handle substrate, creating a predetermined splitting area in the donor substrate, attaching the donor substrate to the handle substrate and detaching at the predetermined splitting area to achieve the compound material wafer. In order to be able to more often reuse the remainder of the donor substrate in subsequent manufacturing runs, the invention is characterized by the fact that the insulating layer provided on the donor substrate has a maximum thickness of 500 Å, or that the insulating layer is provided by deposition or only on the handle substrate. In addition, a silicon on silicon type wafer fabrication method is also disclosed.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造复合材料晶片，在绝缘体上型晶片特别是硅，其包括提供供体基板的步骤中，绝缘层的形成，提供了一个手柄基板，在所述供体基板创建预定的分离区，在安装方法供体基底，以在所述预定的分离区在手柄底物和拆卸，以实现复合材料晶片。为了能够更经常重用在随后的制造运行的供体基底的剩余部分，本发明是由factthat特点设置在供体基底的绝缘层具有500埃的最大厚度，或没有绝缘层是通过沉积或仅在手柄基板提供。此外，在硅型晶片的制造方法的硅因而游离缺失盘。

30. 发明公开

EP1846946A1 RELAXATION OF A STRAINED LAYER USING A MOLTEN LAYER 审中-公开
标题翻译：放松的应变层中使用熔融的涂层
公开(公告)号：EP1846946A1
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：EP05819903.5
申请日：2005-10-31
申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
发明人： CELLER, George, K.
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/2026 , Y10S438/938
摘要： A method for making a crystalline wafer, in which an interface layer is associated with a support substrate. A first layer is associated with the interface layer in a strained state. The interface layer is melted sufficiently to substantially uncouple the first layer from the support substrate to relax the first layer from the strained state to a relaxed state. The interface material is solidified with the first layer in the relaxed state to obtain a first wafer.

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