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11. 发明公开

EP1213749A1 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF PLASMA PROCESSING 有权
标题翻译： PLASMABEHANDLUNGSAPPARATUR UND PLASMABEHANDLUNGSVERFAHREN
公开(公告)号：EP1213749A1
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：EP00951961.2
申请日：2000-08-11
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人： TOMOYASU, Masayuki Tokyo Electron AT Limited
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32568 , H01J37/32577
摘要： There is provided a plasma processing system and method capable of decreasing the non-uniformity of a field distribution on the surface of an electrode and making the density of plasma uniform, in a plasma processing using a high density plasma which can cope with a further scale down.
First and second electrodes 21 and 5 are provided in a chamber so as to face each other. A feeder plate 52 is arranged so as to be slightly spaced from the opposite surface of a surface serving as a feeding plane of the first electrode facing the second electrode 5. A feeder rod 51 is connected to the feeder plate 52 at a position which is radially shifted from a position corresponding to the center of the feeding plane of the first electrode 21. The feeder plate 52 is rotated to rotate the feeding position of the feeder rod 51 on the feeding plane of the first electrode. A high frequency electric power is thus fed to form a high frequency electric field between the first and second electrodes 21 and 5 to form plasma to plasma-process a substrate W.
摘要翻译：提供了一种等离子体处理系统和方法，其能够在使用能够应对更大比例的高密度等离子体的等离子体处理中降低电极表面上的场分布的不均匀性并使等离子体的密度均匀化下。第一和第二电极21和5设置在腔室中以彼此面对。馈电板52被布置成与用作面向第二电极5的第一电极的馈电面的表面的相对表面稍微间隔开。馈送杆51在馈电板52的位置处从与第一电极21的馈送平面的中心相对应的位置径向移动。馈送板52旋转以使馈送杆51的馈送位置在第一电极的馈送平面上旋转。因此，馈送高频电力以在第一和第二电极21和5之间形成高频电场，以形成等离子体以等离子体处理衬底W.

12. 发明公开

EP1190437A1 PLASMA PROCESSING SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD FOR DELIVERING RF POWER TO A PLASMA PROCESSING CHAMBER 有权
标题翻译：用于等离子处理腔室的RF电源的等离子体处理装置和方法
公开(公告)号：EP1190437A1
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：EP00948512.9
申请日：2000-06-15
申请人： LAM Research Corporation
发明人： FISCHER, Andreas , KADKHODAYAN, Babak , KUTHI, Andras
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082 , H01J37/32577
摘要： The present invention provides a plasma processing apparatus, system, and method for providing RF power to a plasma processing chamber. The plasma processing system (300) includes an RF generator (310), a plasma chamber (304), a match network box (308), a first cable (314), a second cable (316), and means for electrically isolating (312) the match network box. The RF generator generates RF power for transmission to the plasma chamber. The plasma chamber receives the RF power for processing the wafer (302) and is characterized by an internal impedance during the plasma processing. The plasma chamber has one or more walls (344) for returning RF currents. The match network box is capable of receiving the RF currents and generates an impedance that matches the internal impedance of the plasma chamber to the impedance of the RF generator. The first cable is coupled between the RF generator and the match network box for transmitting RF power between the RF generator and the match network box. The second cable is coupled between the match network box and the plasma chamber for transmitting RF power between the match network and the plasma chamber. The second cable provides a return path for an RF return current from the plasma chamber to the match network box. The electrically isolating means electrically isolates the match network box from electrical contacts with the plasma chamber such that only the second cable provides the return path for the RF return current from the plasma chamber to the match network box.

13. 发明公开

EP1107653A1 DISCHARGE ELECTRODE, HIGH-FREQUENCY PLASMA GENERATOR, METHOD OF POWER FEEDING, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译： ENTLADUNGSELEKTODE，用于制造半导体器件厂家高频等离子体法，电力传输，并且方法
公开(公告)号：EP1107653A1
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：EP00937276.4
申请日：2000-06-16
申请人： Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.
发明人： YAMAKOSHI, Hideo Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. , SATAKE, Koji Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. , DANNO, Minoru Mitsubishi Heavy Ind. Ltd.
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/50 , C23F4/00
CPC分类号： H01J37/32174 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32577
摘要： A discharge electrode improves the uniformity of discharge such as plasma. The electrical discharge electrode, which receives high-frequency power and produces a discharge, comprises an electrode body adapted to receive high-frequency power, and a member for preventing the reflection of high-frequency power from the electrode body. The electrical discharge may comprise plasma generated by an electrical discharge.
摘要翻译：放电电极放电提高的均匀性：如等离子体。放电电极，其接收高频功率，并且产生的放电，电极体angepasst包括为接收高频功率，和用于从电极体防止高频电力的反射的部件。放电可以包括在放电产生等离子体。

14. 发明公开

EP0545748A1 Dispositif d'amenée de tension sur un porte-substrat 失效
标题翻译： Anordnung zurZuführungeiner Spannung auf einen Substrathalter。
公开(公告)号：EP0545748A1
公开(公告)日：1993-06-09
申请号：EP92402982.0
申请日：1992-11-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Claude, Richard , Daviet, Jean-François , Montmayeul, Philippe , Peccoud, Louise
IPC分类号： H01R13/24
CPC分类号： H01R13/2421 , C23C16/4586 , H01J37/32577 , H01J2237/2007 , H01L21/6831
摘要： La présente invention concerne un connecteur de tension pour porte-substrat en milieu de rayonnement électromagnétique de haute-fréquence. Ce connecteur comporte :

une tige de connexion (7) apte à établir, par l'intermédiaire d'une surface de contact supérieure (7b), un contact électrique avec une face inférieure (1b) du porte-substrat (1) et apte à assurer un isolement électromagnétique du porte-substrat ;
des moyens élastiques électriquement conducteurs (11), disposés sous la tige de connexion et assurant un contact souple de la surface de contact supérieure de la tige de connexion sur la face inférieure du porte-substrat ;
une embase (9), connectée à une source de tension, à l'intérieur de laquelle sont disposés les moyens élastiques ainsi qu'une partie au moins de la tige de connexion, ladite embase étant apte, d'une part, à établir une liaison électrique entre ladite source de tension et les moyens élastiques et, d'autre part, à assurer un isolement électromagnétique de la source de tension.

Le dispositif s'applique notamment au domaine industriel de l'électronique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于高频电磁辐射环境中的衬底保持器的电压连接器。该连接器包括： - 能够通过上接触表面（7b）与衬底保持器（1）的下表面（1b）形成电接触并能够电磁隔离衬底的连接杆（7）持有人; - 导电弹性装置（11），其放置在所述连接杆的下面，并且提供所述连接杆的上接触表面在所述衬底保持器的下表面上的柔性接触; - 连接到电压源的基座（9），其内部放置有弹性装置以及连接杆的至少一部分，所述基座能够一方面在所述电压之间建立电连接源和弹性装置，另一方面，提供电压源的电磁隔离。该器件特别适用于电子工业。

15. 发明公开

EP0437443A1 VORRICHTUNG ZUR GLIMMBEHANDLUNG, INSBESONDERE ZUM IONCARBURIEREN 失效
标题翻译： DEVICE FOR辉光处理，特别是对IONCARBURIEREN。
公开(公告)号：EP0437443A1
公开(公告)日：1991-07-24
申请号：EP89909164.0
申请日：1989-08-17
申请人： Klöckner Ionon GmbH
发明人： ELWART, Jan , REMBGES, Wolfgang
IPC分类号： C23C8 , C23C14 , H01J37
CPC分类号： H01J37/32018 , C23C8/36 , H01J37/32577 , H01J2237/3385
摘要： Dans un dispositif de traitement par effluve électrique, les pièces métalliques à usiner (30) sont placées sur une plaque de chargement (28) électroconductrice. Le dispositif comprend un four (22) agencé dans une chambre (20) susceptible d'être mise sous vide et à l'intérieur (26) duquel sont agencés trois supports (34) de la plaque de chargement (28). Une ligne d'alimentation du raccord électrique de la plaque de chargement (28) mène à une tension d'effluve. La ligne d'alimentation est formée d'au moins trois isolateurs de support (36) qui se terminent sous la plaque de chargement (28). Les supports (34) ou les trois isolateurs de support (36) peuvent être levés et abaissés, de sorte que la plaque de chargement (28) repose soit uniquement sur les supports (34) soit uniquement sur les isolateurs de support (36).

16. 发明公开

EP0428787A1 Industrievakuumofen 失效
标题翻译： Industrievakuumofen。
公开(公告)号：EP0428787A1
公开(公告)日：1991-05-29
申请号：EP89121763.0
申请日：1989-11-24
申请人： IPSEN INDUSTRIES INTERNATIONAL GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG
发明人： Law, Trevor , Andrews, Richard , Gall, Christopher
IPC分类号： C23C8/36 , C23C8/22 , C21D1/773 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32577 , C21D1/773 , C23C8/36 , H01J2237/0206 , H01J2237/3385
摘要： Ein Industrievakuumofen für die Plasmaaufkohlung metallischer Werkstücke mittels eines kohlenstoffhaltigen Gases weist einen kathodischen Chargenträger 3 auf, der bezüglich der anodischen Ofenwand 1 elektrisch isoliert ist. Um Rußablagerungen auf der Oberfläche des elektrischen Isolators 5 und damit eine Kurzschlußgefahr zwischen Kathode und Anode zu verhindern, wird die Oberfläche des elektrischen Isolators 5 mittels eines inerten Spülgases umspült, welches das Vordringen des kohlenstoffhaltigen Gases für die Plasmaaufkohlung verhindert.
摘要翻译：用于通过含碳气体对金属工件进行等离子体渗碳的工业真空炉具有与阳极炉壁1电绝缘的阴极批量支撑件3.为了避免烟尘沉积在电绝缘体5的表面上，因此在阴极和阳极之间短路的危险，电绝缘体5的表面用惰性气体冲洗，其阻止含碳气体渗透用于等离子体渗碳。

17. 发明公开

EP0372179A1 Durchführung zum Aufbringen von HF-Energie sowie deren Verwendung 有权
标题翻译：实施施加RF能量及其使用。
公开(公告)号：EP0372179A1
公开(公告)日：1990-06-13
申请号：EP89117387.4
申请日：1989-09-20
申请人： BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Wellerdieck, Klaus, Dr.
IPC分类号： H01J37/32 , H01G4/42 , H01P1/06
CPC分类号： H01G4/35 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01J37/32733 , H01P1/067
摘要： Um Hochfrequenzenergie einem in einer Vakuumkammer (3) gedrehten Instrumententräger (5) zuzuführen, wird koaxial zur Lagerwelle (7) eine Zylinderelektrode (19) vorgesehen und die Energie kapazitiv über den durch Elektrode (19) und Welle (7) gebildeten Drehkondensator eingekoppelt.
摘要翻译：为了供给高频电力，在真空室中旋转的（3）仪器载体（5）同轴地设置在轴承轴（7）是一个圆柱形电极（19）和电容性地通过所述贯通电极（19）的能量和轴（7）形成的可变电容器，其耦合。

18. 发明授权

EP2513354B1 PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR AN INTERIOR OF A HOLLOW ARTICLE WITH HIGH ASPECT RATIO 有权
公开(公告)号：EP2513354B1
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：EP10838345.6
申请日：2010-12-20
申请人： Duralar Technologies, LLC
发明人： UPADHYAYA, Deepak , BOINAPALLY, Karthik , BOARDMAN, William, J. , MAMOODY, Matthew , CASSERLY, Thomas, B. , HAZARIKA, Pankaj, Jyoti , DOAN, Duc
IPC分类号： C23C16/00 , H01J37/32 , C23C16/27 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32568 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/503 , H01J37/32394 , H01J37/32449 , H01J37/32577 , H01J37/32596 , Y10T428/13
摘要： A method and apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition to an interior region of a hollow, tubular, high aspect ratio workpiece are disclosed. A plurality of anodes are disposed in axially spaced apart arrangement, to the interior of the workpiece. A process gas is introduced into the region. A respective individualized DC or pulsed DC bias is applied to each of the anodes. The bias excites the process gas into a plasma. The workpiece is biased in a hollow cathode arrangement. Pressure is controlled in the interior region to maintain the plasma. An elongated support tube arranges the anodes, and receives a process gas tube. A current splitter provides a respective selected proportion of a total current to each anode. One or more notch diffusers or chamber diffusers may diffuse the process gas or a plasma moderating gas. Plasma impedance and distribution may be controlled using various means.

19. 发明授权

EP3109891B1 PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE 失效
标题翻译：等离子体化学气相沉积装置
公开(公告)号：EP3109891B1
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：EP16176269.5
申请日：2016-06-24
申请人： Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
发明人： SATO, Yoji , SATO, Takayasu , NAKATA, Hiromichi , TACHIBANA, Kazutaka , ARIYADA, Osamu , TAKANO, Yuji , TSURUMOTO, Ryo
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455 , H01J37/32211 , H01J37/32311 , H01J37/32577
摘要： A plasma chemical vapor deposition device includes a chamber (12), a first conductor (20) having an elongated shape, a second conductor (30) having a tubular shape, a high-frequency output device (45), and a direct-current power supply (46). A first connecting portion (23) of the first conductor (20) with the high-frequency output device (45) and a second connecting portion (24) of the first conductor (20) with the direct-current power supply (46) are both placed outside the chamber (12). A distance from one end of the first conductor (20) to the first connecting portion (23) is shorter than a distance from the one end of the first conductor (20) to the second connecting portion (24). An impedance change portion (25) is provided between the first connecting portion (23) and the second connecting portion (24) in the first conductor (20), the impedance change portion having an impedance different from an impedance between the one end of the first conductor (20) and the first connecting portion (23).

20. 发明授权

EP2581949B1 SURFACE FEED-IN ELECTRODE FOR DEPOSITION OF THIN FILM SOLAR BATTERY AND SIGNAL FEED-IN METHOD THEREOF 有权
标题翻译： OBERFLÄCHENEINSPEISELEKTRODE用于薄膜太阳电池的分离。确保SIGNALEINSPEISMETHODE
公开(公告)号：EP2581949B1
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：EP10852666.6
申请日：2010-10-21
申请人： SHEN ZHEN SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO., LTD.
发明人： HU, Shengming , LI, Yi , HE, Zhubing , LI, Zhijian , ZHOU, Jianhua , WANG, Chunzhu
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/505 , H01J37/04 , H01J37/32 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/24 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521

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