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91. 发明公开

EP3145038A1 NANOWIRE LASER STRUCTURE AND FABRICATION METHOD 审中-公开
标题翻译： NANODRAHT-LASERSTRUKTUR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
公开(公告)号：EP3145038A1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：EP15185311.6
申请日：2015-09-15
申请人： Technische Universität München
发明人： MAYER, Benedikt , KOBLMÜLLER, Gregor , FINLEY, Jonathan , KLICPERA, Johannes , ABSTREITER, Gerhard
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/02 , G02B6/42 , H01S5/024 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/30 , H01S5/42 , H01L33/10 , H01S3/107 , H01S3/108 , H01S3/11 , H01S3/14 , H01S5/00 , H01S5/06 , H01S5/14 , G02F1/21
CPC分类号： H01S5/3428 , G02B6/42 , H01S3/107 , H01S3/108 , H01S3/1103 , H01S3/14 , H01S5/0092 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/0243 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0608 , H01S5/142 , H01S5/18369 , H01S5/305 , H01S5/341 , H01S5/42
摘要： A core-shell nanowire laser structure comprises a substrate (12) , an elongated support element (14) extending from the substrate, the support element having a first diameter, and an elongated body element (16) extending on and/or around the support element, the body element having a second diameter at least two times larger than the first diameter, wherein the body element is spaced apart from the substrate.
摘要翻译：核 - 壳纳米线激光器结构包括衬底（12），从衬底延伸的细长支撑元件（14），支撑元件具有第一直径，以及在支撑件上和/或周围延伸的细长主体元件（16）所述主体元件具有比所述第一直径大至少两倍的第二直径，其中所述主体元件与所述基板间隔开。

92. 发明公开

EP3070792A1 LASER 有权
标题翻译：激光
公开(公告)号：EP3070792A1
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：EP13899254.0
申请日：2013-12-12
申请人： Huawei Technologies Co., Ltd.
发明人： CHEN, Xi , CHEN, Bo , ZENG, Li , GAO, Lei
IPC分类号： H01S3/082
CPC分类号： H01S5/1007 , H01S5/021 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/06256 , H01S5/142 , H01S5/3013
摘要： A laser provided by embodiments of the present invention includes a substrate and a resonant cavity. In addition to an active gain region, a first phase shift region, an optical branching region, and N reflective mode selection regions, the resonant cavity further includes a highly reflective surface, where a reflectivity of the highly reflective surface is greater than reflectivities of the N reflective mode selection regions, so that laser beams are output from the N reflective mode selection regions. Because the laser naturally includes at least two reflective mode selection regions, at least two laser beams are output. According to the laser provided by the embodiments of the present invention, one laser can output two laser beams or even multiple laser beams; therefore, laser beam generation efficiency is high and average costs for generating a single laser beam are accordingly reduced.
摘要翻译：由本发明实施例提供的激光器包括衬底和谐振腔。除了有源增益区域，第一相移区域，光分支区域和N个反射模式选择区域之外，谐振腔还包括高反射表面，其中高反射表面的反射率大于反射率的反射率 N个反射模式选择区域，从而从N个反射模式选择区域输出激光束。由于激光自然包括至少两个反射模式选择区域，所以输出至少两个激光束。根据本发明实施例提供的激光器，一个激光器可以输出两束激光束或者甚至多束激光束; 因此，激光束产生效率高，并且用于产生单个激光束的平均成本相应地降低。

93. 发明公开

EP3017514A1 HIGH-COHERENCE SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES 无效
标题翻译： HOCHKOHÄRENTEHALBLEITERLICHTQUELLEN
公开(公告)号：EP3017514A1
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：EP14820551.1
申请日：2014-06-30
申请人： California Institute of Technology
发明人： SANTIS, Christos T. , STEGER, Scott T. , YARIV, Amnon
IPC分类号： H01S3/08 , G02B6/00
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/021 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02415 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1203 , H01S5/2063 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3013 , H01S5/3031 , H01S5/34306 , H01S2301/02 , H01S2301/163
摘要： A laser resonator includes an active material, which amplifies light associated with an optical gain of the resonator, and passive materials disposed in proximity with the active material. The resonator oscillates over one or more optical modes, each of which corresponds to a particular spatial energy distribution and resonant frequency. Based on a characteristic of the passive materials, for the particular spatial energy distribution corresponding to at least one of the optical modes, a preponderant portion of optical energy is distributed apart from the active material. The passive materials may include a low loss material, which stores the preponderant optical energy portion distributed apart from the active material, and a buffer material disposed between the low loss material and the active material, which controls a ratio of the optical energy stored in the low loss material to a portion of the optical energy in the active material.
摘要翻译：激光谐振器包括放大与谐振器的光学增益相关联的光的活性材料和与活性材料邻近设置的无源材料。谐振器在一个或多个光学模式上振荡，每个光学模式对应于特定的空间能量分布和谐振频率。基于被动材料的特性，对于对应于至少一种光学模式的特定空间能量分布，光能的主要部分与活性材料分开分布。被动材料可以包括低损耗材料，其存储与活性材料分开的优势光能部分，以及设置在低损耗材料和活性材料之间的缓冲材料，其控制存储在所述活性材料中的光能的比率低损耗材料到活性材料中光能的一部分。

94. 发明公开

EP3005500A1 A WAVELENGTH TUNABLE PHOTON SOURCE WITH SEALED INNER VOLUME 有权转让
标题翻译：枸橼酸LE LE LE LE EN EN EN EN EN EN EN EN EN EN EN EN EN EN EN
公开(公告)号：EP3005500A1
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：EP14729851.7
申请日：2014-05-30
申请人： Danmarks Tekniske Universitet
发明人： YVIND, Kresten , ANSBÆK, Thor
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/1096 , G01B9/02002 , H01S5/021 , H01S5/0614 , H01S5/1042 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18366 , H01S5/1838
摘要： There is presented a method of providing a wavelength tunable photon source (200), comprising bonding a first element (101) with a first mirror (106), a second element (102) with a second mirror (108) and a third element (103) with a photon emitter together in a structure enclosing an inner volume (214) being a sealed volume, and forming a bonding interface (212) which is gas-tight, so that the first mirror (106) is placed in the inner volume (214) so the first mirror (106) may move within the inner volume (214). The method provides a relatively simple way of obtaining a tunable photon source where the inner volume is sealed. The invention furthermore relates to a corresponding photon source, and use of such photon source.
摘要翻译：提出了一种提供波长可调谐光子源（200）的方法，包括将第一元件（101）与第一反射镜（106）接合，第二元件（102）与第二反射镜（108）和第三元件 103），其中光子发射器一起在包围作为密封体积的内部容积（214）的结构中，并且形成气密的接合界面（212），使得第一反射镜（106）被放置在内部容积（214），因此第一反射镜（106）可以在内部容积（214）内移动。该方法提供了获得内部体积被密封的可调谐光子源的相对简单的方法。本发明还涉及相应的光子源，以及这种光子源的使用。

95. 发明公开

EP2988378A1 DISPOSITIF LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF LASER 有权转让
标题翻译： LASERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN EINER SOLCHEN LASERVORRICHTUNG
公开(公告)号：EP2988378A1
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：EP15181819.2
申请日：2015-08-20
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STmicroelectronics SA , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
发明人： FERROTTI, Thomas , BEN BAKIR, Badhise , CHANTRE, Alain , CREMER, Sébastien , DUPREZ, Hélène
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/12 , H01S5/02 , H01S5/022 , H01S5/042 , H01S5/187 , H01S5/323 , G02B6/12
CPC分类号： H01S5/1237 , G02B6/30 , G02B6/34 , G02B2006/12061 , G02B2006/12121 , H01L2224/32 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0421 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1231 , H01S5/187 , H01S5/323 , H01S5/343 , H01S2301/166
摘要： L'invention concerne un dispositif laser (1) disposé dans et/ou sur silicium et à hétéro structure III-V comprenant
o un milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, et
o un guide d'onde optique en arête (11), disposé en regard du milieu amplificateur (3) et comprenant un guide d'onde en ruban (15) doté d'une arête longitudinale (17), le guide d'onde optique en arête (11) étant disposé dans du silicium.
Le guide d'onde optique en arête (11) est orienté de manière à ce qu'au moins un réseau de Bragg (19, 19a, 19b) est disposée sur la face (21) du guide d'onde en ruban (15) qui est proximale par rapport au milieu amplificateur (3) et en ce que l'arête (17) est disposée sur la face (23) du guide d'onde en ruban (15) qui est distale par rapport au milieu amplificateur (3).
摘要翻译：本发明涉及一种布置在硅中和/或硅上的III-V异质结构激光器件，包括：III-V异质结构增益介质; 以及面向所述增益介质（3）并且包括配备有纵向肋（17）的平板波导（15）的光学肋波导（11），所述光学波纹管（11）布置在所述硅中。光学肋波导（11）被定向为使得至少一个布拉格光栅（19,19a，19b）布置在相对于增益介质（3）近端的平板波导（15）的该侧（21）上，因为肋（17）被放置在相对于增益介质（3）远端的平板波导（15）的该侧（23）上。

96. 发明公开

EP2736130A3 Nitride semiconductor laser element 有权
标题翻译：氮化物半导体激光元件
公开(公告)号：EP2736130A3
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：EP13194375.5
申请日：2013-11-26
申请人： Nichia Corporation
发明人： Masui, Shingo
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/343 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/3202 , H01S5/34333
摘要： To realize a nitride semiconductor laser element having improved internal quantum efficiency. The nitride semiconductor laser element includes an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; wherein the n-type semiconductor layer includes an n-side optical guide layer; wherein the active layer includes two or more well layers, and at least one barrier layer provided between the well layers; wherein the barrier layer includes a barrier layer having band gap energy higher than that of the n-side optical guide layer; wherein the p-type semiconductor layer includes: an electron barrier layer having band gap energy higher than that of all barrier layers included in the active layer, and a p-side optical guide layer provided between a final well layer, that is a well layer nearest to the p-type semiconductor layer of the two or more well layer, and the electron barrier layer; and wherein the p-side optical guide layer includes: a first region that is disposed on a side of the final well layer and has band gap energy lower than that of the n-side optical guide layer, and a second region that is disposed on a side of the electron barrier layer and has band gap energy higher than that of the n-side optical guide layer.

97. 发明公开

EP2823539A1 UNIDIRECTIONAL RING LASERS 审中-公开
标题翻译： UNIDIREKTIONALE环形激光器
公开(公告)号：EP2823539A1
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：EP12870271.9
申请日：2012-02-29
申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
发明人： LIANG, Di , FATTAL, David
IPC分类号： H01S3/083
CPC分类号： H01S3/083 , H01S3/063 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/042 , H01S5/0656 , H01S5/1028 , H01S5/1071 , H01S5/323 , H01S5/4087
摘要： A laser includes an active ring, a passive waveguide, and a reflector. The active ring is to generate light. The passive waveguide is associated with the active ring to capture generated light. The reflector is associated with the passive waveguide to cause captured light from the waveguide to be coupled into the active ring to trigger domination of unidirectional lasing in the active ring to generate light.

98. 发明公开

EP2811593A1 Dispositif d'émission laser accordable 有权
标题翻译：设备为可调谐激光器的发射
公开(公告)号：EP2811593A1
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：EP13305766.1
申请日：2013-06-07
申请人： ALCATEL LUCENT , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Debregeas-Sillard, Hélène , Ben-Bakir, Badhise , Duan, Guang-Hua , Chimot, Nicolas
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/12 , H01S5/062 , H01S5/0625 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/2226 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0614 , H01S5/0622 , H01S5/1032 , H01S5/1203 , H04B10/503
摘要： Un dispositif d'émission laser (1) accordable en longueur d'onde comporte :
un premier guide d'onde (31) comportant un moyen d'amplification optique pour produire une émission stimulée de lumière, le premier guide d'onde s'étendant selon une direction longitudinale du dispositif d'émission,
un deuxième guide d'onde (5) réalisé en silicium sur dioxyde de silicium et disposé parallèlement au premier guide d'onde espacé du premier guide d'onde dans une direction verticale du dispositif d'émission de manière à permettre l'existence d'un mode optique hybride couplé à la fois au deuxième guide d'onde et au premier guide d'onde, le deuxième guide d'onde comportant un réflecteur distribué (9) le long du deuxième guide d'onde, le deuxième guide d'onde comportant des zones transversales (11, 12, 13, 14) dopées différemment de manière à former une jonction polaire orientée selon un direction transversale du dispositif d'émission. Des électrodes (15, 16) couplées aux zones transversales dopées modifient un indice effectif vu par le mode optique hybride,

99. 发明公开

EP2154760A3 Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung 审中-公开
标题翻译：光学元件和过程及其制备
公开(公告)号：EP2154760A3
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：EP09009312.1
申请日：2009-07-17
申请人： Karlsruher Institut für Technologie
发明人： Vannahme, Christoph , Mappes, Timo, Dr. , Schelb, Mauno
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/36 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/021 , H01S5/12 , H01S5/4031 , H01S2301/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches Element und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Das optische Element umfasst ein Substrat 1, in das ein passiver Wellenleiter 10, der eine Dicke D und eine obere Kante 11 aufweist, und ein Laserwellenleiter 20, der eine Dicke d und eine obere Kante 21 aufweist, eingebracht sind, wobei der passive Wellenleiter 10 und der Laserwellenleiter 20 über eine Verbindungsfläche 15 derart in direktem Kontakt zueinander stehen, dass zwischen dem passiven Wellenleiter 10 und dem Laserwellenleiter 20 Stirnkopplung besteht, und zwischen der oberen Kante 11 des passiven Wellenleiters 10 und der oberen Kante 21 des Laserwellenleiters 20 ein Absatz 25, der eine Höhe H aufweist, vorgesehen ist.
Zwischen dem passivem Wellenleiter 10 und dem Laserwellenleiter 20 besteht eine wesentlich verbesserte Kopplung. Damit wird das technische Problem der Einkopplung von Laserlicht in die im Substrat 1 integrierten Wellenleiter 10, 10', 20 gelöst. Eine Abdeckung 30 schont das Lasermaterial.

100. 发明公开

EP2729997A1 LASER DEVICE 有权
标题翻译：激光装置
公开(公告)号：EP2729997A1
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：EP12732519.9
申请日：2012-07-02
申请人： Danmarks Tekniske Universitet
发明人： CHUNG, Il-Sug
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/02 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/026 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/1032 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/18311 , H01S5/18319 , H01S5/1838 , H01S5/18386
摘要： The present invention provides a light source for light circuits on a silicon platform. A vertical laser cavity is formed by a gain region arranged between a first mirror structure and a second mirror structure, both acting as mirrors, by forming a grating region including an active material in a silicon layer in a semiconductor structure or wafer structure. A waveguide for receiving light from the region of the mirrors is formed within or to be connected to the region of the mirrors, and functions as an output coupler for the VCL. Thereby, vertical lasing modes are coupled to lateral in-plane modes of the in-plane waveguide formed in the silicon layer, and light can be provided to e.g. photonic circuits on a SOI or CMOS substrate in the silicon.
摘要翻译：本发明提供了一种用于硅平台上的光电路的光源。通过在半导体结构或晶片结构中的硅层中形成包括活性材料的光栅区域，通过布置在第一反射镜结构和第二反射镜结构之间的增益区域形成垂直激光腔，两者均用作反射镜。用于接收来自反射镜区域的光的波导形成在反射镜的区域内或与反射镜的区域连接，并且用作VCL的输出耦合器。从而，垂直激射模式被耦合到在硅层中形成的平面内波导的横向平面内模式，并且光可以被提供给例如光纤。硅上的SOI或CMOS衬底上的光子电路。

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