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91. 发明公开

EP1967488A3 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein Membransensor 审中-公开
标题翻译：一种用于制造半导体器件和半导体器件，尤其是膜片传感器处理
公开(公告)号：EP1967488A3
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：EP08104525.4
申请日：2004-11-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Lammel, Gerhard , Benzel, Hubert , Schaefer, Frank , Armbruster, Simon , Schelling, Christoph , Brasas, Joerg
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/007 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00658 , B81C2201/0115 , B81C2201/0116 , B81C2201/0136
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines mikromechanischen Membransensors, sowie ein Halbleiterbauelement nach einem der beanspruchten Herstellungsverfahren, mit einem Halbleiterträger, einer Membran und einer Kaverne.

92. 发明公开

EP1560263A3 Method for forming macropores in a layer and products obtained thereof 审中-公开
标题翻译：在一个层的宏观孔隙，从而制成的产品的制造过程
公开(公告)号：EP1560263A3
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：EP05447014.1
申请日：2005-02-02
申请人： INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)
发明人： Bearda, Twan , Kunnen, Eddy
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/033 , H01L21/762
CPC分类号： B81C1/00031 , B81B1/002 , B81C2201/0115 , H01L21/0331 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L33/22 , Y10S438/96
摘要： The present invention discloses a method for forming macropores in a substrate. On a substrate a pattern of submicron features is formed. This pattern is covered with a layer, which is preferably selectively removable with respect to the substrate and the submicron features. This cover layer is removed until the submicron features are exposed. The submicron features are then etched selectively to the cover layer, thereby creating a pattern of submicron openings in this cover layer. The patterned cover layer is used as a hardmask to etch macropores in the substrate.

93. 发明授权

EP1417151B9 METHOD FOR THE FABRICATION OF SUSPENDED POROUS SILICON MICROSTRUCTURES AND APPLICATION IN GAS SENSORS 有权
标题翻译：制造悬浮多孔硅微结构的方法及其在气体传感器中的应用
公开(公告)号：EP1417151B9
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：EP02712117.7
申请日：2002-02-18
申请人： NCSR "DEMOKRITOS" , Tsamis, Christos , Tserepi, Angeliki , Nassiopoulou, Androula G.
发明人： TSAMIS, Christos, NCSR "Demokritos" , TSEREPI, Angeliki, NCSR "Demokritos" , NASSIOPOULOU, Androula, G., NCSR "Demokritos"
IPC分类号： B81B3/00 , G01F1/684 , H05B1/00
CPC分类号： H05B3/265 , B81B2201/0278 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81C1/00682 , B81C1/0069 , B81C2201/0115 , G01F1/6845 , G01N27/12 , G01N27/16 , G01N27/18
摘要： This invention provides a front-side silicon micromachining process for the fabrication of suspended Porous Silicon membranes in the form of bridges or cantilevers and of thermal sensor devices employing these membranes. The fabrication of the suspended Porous Silicon membranes comprises the following steps: (a) formation of a Porous Silicon layer (2) in, at least one, predefined area of a Silicon substrate (1), (b) definition of etch windows (5) around or inside said Porous Silicon layer (2) using standard photolithography and (c) selective etching of the Silicon substrate (1), underneath the Porous Silicon layer (2), by using dry etching techniques to provide release of the Porous Silicon membrane and to form a cavity (6) under the said Porous Silicon layer. Furthermore, the present invention provides a method for the fabrication of thermal sensors based on Porous Silicon membranes with minimal thermal losses, since the proposed methodology combines the advantages that result from the low thermal conductivity of Porous Silicon and the use of suspended membranes. Moreover, the front-side micromachining process proposed in the present invention simplifies the fabrication process. Various types of thermal sensor devices, such as calorimetric-type gas sensors, conductometric-type gas sensors and thermal conductivity sensors are described utilizing the proposed methodology.
摘要翻译：本发明提供了用于制造桥或悬臂形式的悬浮多孔硅膜和采用这些膜的热传感器装置的正面硅微机械加工方法。悬浮多孔硅膜的制造包括以下步骤：（a）在硅衬底（1）的至少一个预定义区域中形成多孔硅层（2），（b）蚀刻窗口（5））在所述多孔硅层（2）周围或内部使用标准光刻和（c）在所述多孔硅层（2）下方通过使用干法蚀刻技术选择性蚀刻所述硅衬底（1）以提供所述多孔硅膜并在所述多孔硅层下方形成空腔（6）。此外，本发明提供了一种制造基于多孔硅膜的热传感器的方法，其具有最小的热损失，因为所提出的方法结合了由多孔硅的低导热性和使用悬浮膜所产生的优点。而且，本发明提出的正面微机械加工工艺简化了制造工艺。利用所提出的方法描述了各种类型的热传感器装置，例如量热型气体传感器，电导型气体传感器和热导传感器。

94. 发明授权

EP1306348B1 Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit 有权
标题翻译：一种用于生产膜型传感器单元和膜型传感器单元的方法
公开(公告)号：EP1306348B1
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：EP01125193.1
申请日：2001-10-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Artmann, Hans , Pannek, Thorsten
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136

95. 发明授权

EP1417151B1 METHOD FOR THE FABRICATION OF SUSPENDED POROUS SILICON MICROSTRUCTURES AND APPLICATION IN GAS SENSORS 有权
标题翻译：生产工艺悬浮多孔硅微结构和应用气体传感器
公开(公告)号：EP1417151B1
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：EP02712117.7
申请日：2002-02-18
申请人： NCSR "DEMOKRITOS" , Tsamis, Christos , Tserepi, Angeliki , Nassiopoulou, Androula G.
发明人： TSAMIS, Christos, NCSR "Demokritos" , TSEREPI, Angeliki, NCSR "Demokritos" , NASSIOPOULOU, Androula, G., NCSR "Demokritos"
IPC分类号： B81B3/00 , G01F1/684 , H05B1/00
CPC分类号： H05B3/265 , B81B2201/0278 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81C1/00682 , B81C1/0069 , B81C2201/0115 , G01F1/6845 , G01N27/12 , G01N27/16 , G01N27/18
摘要： This invention provides a front-side silicon micromachining process for the fabrication of suspended Porous Silicon membranes in the form of bridges or cantilevers and of thermal sensor devices employing these membranes. The fabrication of the suspended Porous Silicon membranes comprises the following steps: (a) formation of a Porous Silicon layer (2) in, at least one, predefined area of a Silicon substrate (1), (b) definition of etch windows (5) around or inside said Porous Silicon layer (2) using standard photolithography and (c) selective etching of the Silicon substrate (1), underneath the Porous Silicon layer (2), by using dry etching techniques to provide release of the Porous Silicon membrane and to form a cavity (6) under the said Porous Silicon layer. Furthermore, the present invention provides a method for the fabrication of thermal sensors based on Porous Silicon membranes with minimal thermal losses, since the proposed methodology combines the advantages that result from the low thermal conductivity of Porous Silicon and the use of suspended membranes. Moreover, the front-side micromachining process proposed in the present invention simplifies the fabrication process. Various types of thermal sensor devices, such as calorimetric-type gas sensors, conductometric-type gas sensors and thermal conductivity sensors are described utilizing the proposed methodology.

96. 发明公开

EP1208002A4 DEPOSITED THIN FILM VOID-COLUMN NETWORK MATERIALS 审中-公开
标题翻译：德国知识产权协会（LEEDÄULE-NETZWERKSMATERIALIEN）
公开(公告)号：EP1208002A4
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：EP00939410
申请日：2000-05-30
申请人： PENN STATE RES FOUND
发明人： FONASH STEPHEN J , KALKAN ALI KAAN , BAE SANGHOON
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/12 , G01N27/447 , H01J49/04 , H01J49/16 , B32B3/10 , C23C10/06 , C23C16/06 , H05H1/02
CPC分类号： B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
摘要： A novel porous film is disclosed comprising a network of silicon columns in a continuous void which may be fabricated using high density plasma deposition at low temperatures, i.e., less than about 250 ° C. This silicon film is a two-dimensional nano-sized array of rodlike columns. This void-column morphology can be controlled with deposition conditions and the porosity can be varied up to 90%. The simultaneous use of low temperature deposition and etching in the plasma approach utilized, allows for the unique opportunity of obtaining columnar structure, a continuous void, and polycrystalline column composition at the same time. Unique devices may be fabricated using this porous continuous film by plasma deposition of this film on a glass, metal foil, insulator or plastic substrates.
摘要翻译：公开了一种新颖的多孔膜，其包括在连续空隙中的硅柱网络，其可以在低温即低于约250℃下使用高密度等离子体沉积来制造。该硅膜是二维纳米尺寸阵列的棒状柱。这种空隙柱形态可以用沉积条件控制，并且孔隙度可以变化高达90％。在所采用的等离子体方法中同时使用低温沉积和蚀刻允许在同时获得柱状结构，连续空隙和多晶柱组成的独特机会。可以使用该多孔连续膜通过将该膜等离子体沉积在玻璃，金属箔，绝缘体或塑料基底上来制造独特的器件。

97. 发明公开

EP1544163A3 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein Membransensor 有权转让
标题翻译：一种用于制造半导体器件和半导体器件，尤其是膜片传感器处理
公开(公告)号：EP1544163A3
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：EP04105448.7
申请日：2004-11-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： BENZEL, Hubert , SCHAEFER, Frank , ARMBRUSTER, Simon , Lammel, Gerhard , SCHELLING, Christoph , BRASAS, Joerg
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/007 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C2201/0115 , B81C2201/0116 , B81C2201/0136
摘要： Die Anmeldung beschreibt ein Herstellungsverfahren eines insbesondere mikromechanischen Halbleiterbauelements sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Zur Herstellung des Halbleiterbauelements ist vorgesehen, dass auf einem Halbleiterträger ein strukturiertes Stabilisierungselement mit wenigstens einer Öffnung erzeugt wird. Die Öffnung ist dabei so angebracht, dass sie den Zugang zu einem mit einer ersten Dotierung aufweisenden ersten Bereich im Halbleiterträger erlaubt. Weiterhin ist ein selektives Herauslösen wenigstens eines Teils des mit der ersten Dotierung versehenen Halbleitermaterials aus dem ersten Bereich des Halbleiterträger vorgesehen. Darüber hinaus wird mittels einer ersten Epitaxieschicht, die auf das Stabilisierungselement aufgebracht wird, eine Membran oberhalb des ersten Bereichs erzeugt. Wenigstens ein Teil des ersten Bereichs dient in einem weiteren Verfahrensschritt dazu, eine Kaverne unterhalb des Stabilisierungselement zu erzeugen. Der Kern der Anmeldung besteht nun darin, das strukturierte Stabilisierungselement mittels einer zweiten Epitaxieschicht, die auf dem Halbleiterträger aufgebracht wird, zu erzeugen.

98. 发明公开

EP1396469A3 Halbleiterbauelement mit Bereichen unterschiedlicher Porenstruktur und Herstellungsverfahren 审中-公开
标题翻译：具有不同的孔结构和制造方法的区域的半导体器件
公开(公告)号：EP1396469A3
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：EP03010777.5
申请日：2003-05-14
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Brenzel, Hubert , Artmann, Hans , Schaefer, Frank
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C2201/0115 , B81C2201/0177 , G01L9/0042
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren vorgeschlagen, wobei ein Halbleitersubstrat (101) vorgesehen ist, wobei ein erster Teilbereich (122) und ein zweiter Teilbereich (121, 125, 126) vorgesehen ist, wobei sich die Porenstruktur des ersten Teilbereichs von der Porenstruktur des zweiten Teilbereichs unterscheidet.

99. 发明公开

EP1549586A1 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN 审中-公开
标题翻译：微机械结构和方法
公开(公告)号：EP1549586A1
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：EP03718615.2
申请日：2003-03-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： LAMMEL, Gerhard , ARMBRUSTER, Simon , SCHAEFER, Frank , BENZEL, Hubert
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0038 , B81C2201/0115
摘要： Disclosed are a micromechanical component and a method for producing a micromechanical component, in which a hollow space (10) and an area made of porous silicon (11) are provided, said area made of porous silicon (11) being used for lowering the pressure in the hollow space (10).

100. 发明公开

EP1546027A2 VERFAHREN UND MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法和微机械部件
公开(公告)号：EP1546027A2
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：EP03717116.2
申请日：2003-02-27
申请人： Robert Bosch GmbH
发明人： LAMMEL, Gerhard , SCHAEFER, Frank , WEBER, Heribert , FINKBEINER, Stefan
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00476 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C2201/0109 , B81C2201/0115
摘要： Disclosed are a production method and a micromechanical component, in which porous silicon (106) is used as a sacrificial layer and a functional layer (130) is exposed by etching away the sacrificial layer.

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