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1. 发明授权

EP1810947B1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement 有权
标题翻译：一种用于制造半导体器件的工艺，以及根据半导体器件的方法制造的材料
公开(公告)号：EP1810947B1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：EP07107755.6
申请日：2001-04-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Benzel, Hubert , Weber, Heribert , Artmann, Hans , Schaefer, Frank
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00 , H01L21/3063
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00047 , B81C1/00595 , B81C2201/0115 , G01L9/0045 , H01L21/3063

2. 发明公开

EP1306349A1 Verfahren zur Herstellung eines Membransensor-Arrays sowie Membransensor-Array 有权
公开(公告)号：EP1306349A1
公开(公告)日：2003-05-02
申请号：EP01125194.9
申请日：2001-10-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Artmann, Hans , Pannek, Thorsten , Siegel, Robert
IPC分类号： B81B3/00 , G01K7/02
CPC分类号： G01K7/028 , B81B3/0081 , B81B2203/0127 , B81C2201/0115
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Membransensor-Arrays mit einem Halbleitermaterialträger (21), auf welchem mehrere flächigen Membranbereiche (22) als Trägerschicht für Sensorelemente angeordnet sind, vorgeschlagen, wobei die flächigen Membranbereiche (22) voneinander durch Stege aus Material mit im Vergleich zu den Membranbereichen (22) und zu der lateralen Umgebung der Stege deutlich besseren Wärmeleiteigenschaften thermisch entkoppelt sind. Erfindungsgemäß werden an Stellen des Halbleitermaterialträgers, an welchen die Stege zur thermischen Entkopplung ausgebildet werden, eine Maskierung für einen nachfolgenden Schritt zur Erzeugung von porösem Halbleitermaterial aufgebracht, und die von der Maskierung nicht geschützten Halbleiterbereiche porösiziert und darauf die Membranbereiche erzeugt. Alternativ wird vorgeschlagen, anstatt dem Einsatz von porösem Silizium einen Plasmaätzprozess von der Rückseite eines Halbleitermaterialträgers vorzunehmen. Mit beiden Verfahren lassen sich insbesondere hohe Integrationsdichten von Membransensoren erreichen. Des Weiteren wird ein vorzugsweise mit einem der soeben beschriebenen Verfahren hergestelltes Membransensor-Array vorgeschlagen.
摘要翻译：桥接（23）构造用于热解耦的位置，接收产生多孔半导体材料的后续阶段的掩模。通过掩蔽保护的半导体是多孔的。最后产生膜区（22）。对于其中桥宽度小于50μm的相应膜传感器阵列，包括独立权利要求。

3. 发明公开

EP1079431A2 Verfahren zur Verkappung eines Bauelements mit einer Kavernenstruktur und Verfahren zur Herstellung der Kavernenstruktur 有权
标题翻译： Verfahren zur Verkappung eines Bauelements mit einer Kavernenstruktur
公开(公告)号：EP1079431A2
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：EP00115981.3
申请日：2000-07-26
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Artmann, Hans , Frey, Wilhelm, Dr. , Laermer, Franz, Dr.
IPC分类号： H01L23/10 , B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0077 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Verkappung mindestens eines von einem Tragkörper (18) getragenen oder bereichsweise umgebenen Bauelementes (17), insbesondere eines mikromechanischen Bauelementes oder Sensorelementes vorgeschlagen. Dabei wird das Bauelement (17) auf der Oberfläche des Tragkörpers (18) bereichsweise derart mit einer Kaverne (13) eines mit einer Kavernenstruktur (20) versehenen Schichtsystems (5) überstülpt, daß die Kaverne (13) und der Tragkörper (18) das Bauelement (17) zumindest weitgehend umhüllen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Kavernenstruktur (20) mit einer Vielzahl von regelmäßig angeordneten Kavernen (13) vorgeschlagen, wobei ein Grundkörper (10), insbesondere einem Siliziumkörper, mit einer Deckschicht (12) mit der Kavernenstruktur (20) strukturiert wird. Außerdem wird eine Trennschicht (11) erzeugt wird, mittels der die Deckschicht (12) von dem Grundkörper (10) trennbar ist.
摘要翻译：用于对由载体主体（18）围绕的部件（17）进行封盖的方法包括：在具有洞穴结构（20）的层系统（5）的洞穴（13）中将载体主体表面上的部件反向拉伸，这样一种方式，使得洞穴和承载体包围该元件。优选特征：层系统包括硅基体，分离层和覆盖层（12）。

4. 发明公开

EP1810947A3 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement 有权
标题翻译：一种用于制造半导体器件的工艺，以及根据半导体器件的方法制造的材料
公开(公告)号：EP1810947A3
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：EP07107755.6
申请日：2001-04-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Benzel, Hubert , Weber, Heribert , Artmann, Hans , Schaefer, Frank
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/3063
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00047 , B81C1/00595 , B81C2201/0115 , G01L9/0045 , H01L21/3063
摘要： Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 2200), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Drucksensor, das ein Halbleitersubstrat (101) aufweist, wie insbesondere aus Silizium, und von einem verfahrensgemäß hergestellten Halbleiterbauelement.
Insbesondere zur Reduzierung der Herstellungskosten eines solchen Halbleiterbauelements wird vorgeschlagen, das Verfahren dahingehend weiterzubilden, daß in einem ersten Schritt eine erste poröse Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, und daß in einem zweiten Schritt ein Hohlraum bzw. eine Kaverne (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) unter oder aus der ersten porösen Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, wobei der Hohlraum bzw. die Kaverne mit einer externen Zugangsöffnung versehen sein kann.

5. 发明授权

EP1306349B1 Verfahren zur Herstellung eines Membransensor-Arrays sowie Membransensor-Array 有权
标题翻译：一种用于生产膜型传感器阵列以及膜传感器阵列处理
公开(公告)号：EP1306349B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：EP01125194.9
申请日：2001-10-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Artmann, Hans , Pannek, Thorsten , Siegel, Robert
IPC分类号： B81B3/00 , G01K7/02
CPC分类号： G01K7/028 , B81B3/0081 , B81B2203/0127 , B81C2201/0115

6. 发明公开

EP1312905A2 Verfahren zur Herstellung von Verformungssensoren mit einem Dehnungsmessstreifen sowie zur Herstellung von Dehnungsmessstreifen und Verformungssensoren sowie Dehnungsmessstreifen 审中-公开
标题翻译：一种制备变形传感器与应变计过程以及用于应变计和变形传感器和应变仪的制造
公开(公告)号：EP1312905A2
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：EP02016525.4
申请日：2002-07-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Artmann, Hans , Flik, Gottfried , Heyers, Klaus
IPC分类号： G01L1/22
CPC分类号： G01L9/0055 , G01L1/2293
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Verformungssensoren mit einem Dehnungsmessstreifen (30) vorgeschlagen, der elektrische Strukturen zur Detektion einer Verformung aufweist und auf einem Oberflächenabschnitt des Verformungssensors aufgebracht ist. Erfindungsgemäß wird ein Oberflächenbereich eines Halbleiterwafers in einer vorgegebenen Dicke porösiziert. Anschließend werden auf der porösizierten Schicht zumindest ein Teil der zur Detektion einer Verformung notwendigen elektrischen DMS-Strukturen einer Vielzahl von DMS-Strukturen aufgebracht und vom Halbleiterwafer an der porösizierten Schicht als Sollbruchstelle abgetrennt. Abschließend werden die abgetrennten DMS-Strukturen mit jeweils einem Oberflächenabschnitt von Verformungssensoren verbunden. Gegenstand der Erfindung ist auch das Verfahren zur Herstellung der Dehnungsmessstreifen (30) sowie ein Verformungssensor und ein Dehnungsmessstreifen.
摘要翻译：变形传感器的生产包括：在规定的厚度制备多孔半导体晶片的表面区域象电动膨胀测量条带结构的必要，用于检测变形的至少一个部分能够被施加到所述多孔层，并从所述半导体除去多孔层为理论断裂点。除去的结构被连接到所述传感器的表面部分。优选的特点：该半导体晶片是硅晶片或碳化硅晶片。该多孔层被部分氧化和/或涂覆有皮肤的氧化物。单 - 和/或多晶半导体材料施加到随后的金属层的多孔层。

7. 发明公开

EP1810947A2 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement 有权
标题翻译：一种用于制造半导体器件的工艺，以及根据半导体器件的方法制造的材料
公开(公告)号：EP1810947A2
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：EP07107755.6
申请日：2001-04-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Benzel, Hubert , Weber, Heribert , Artmann, Hans , Schaefer, Frank
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/306
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00047 , B81C1/00595 , B81C2201/0115 , G01L9/0045 , H01L21/3063
摘要： Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 2200), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Drucksensor, das ein Halbleitersubstrat (101) aufweist, wie insbesondere aus Silizium, und von einem verfahrensgemäß hergestellten Halbleiterbauelement.
Insbesondere zur Reduzierung der Herstellungskosten eines solchen Halbleiterbauelements wird vorgeschlagen, das Verfahren dahingehend weiterzubilden, daß in einem ersten Schritt eine erste poröse Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, und daß in einem zweiten Schritt ein Hohlraum bzw. eine Kaverne (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) unter oder aus der ersten porösen Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, wobei der Hohlraum bzw. die Kaverne mit einer externen Zugangsöffnung versehen sein kann.
摘要翻译：多层半导体电路（100）具有由硅构成的基片（101）。的第一多孔层（104）在所述基板的顶表面的中央部形成。空腔可根据本多孔层形成，并且所述腔体可以具有外部开口，以提供接入。的第二多孔层（105）可在第一下形成，具有较大孔。掩蔽层（102）可以上一左一右或围绕所述多孔层形成。

8. 发明授权

EP1310781B1 Halbleiterbauelement ( Drucksensor ) welches eine Prüfung der Membran und des Hohlraums erlaubt 有权
标题翻译：一种半导体装置（压力传感器），其允许所述膜和所述腔的检查
公开(公告)号：EP1310781B1
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：EP02023284.9
申请日：2002-10-17
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Sautter, Helmut , Schatz, Frank , Graf, Juergen , Artmann, Hans , Gomez, Udo-Martin , Kehr, Kersten
IPC分类号： G01L27/00
CPC分类号： G01L27/00

9. 发明公开

EP1396469A2 Halbleiterbauelement mit Bereichen unterschiedlicher Porenstruktur und Herstellungsverfahren 审中-公开
公开(公告)号：EP1396469A2
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：EP03010777.5
申请日：2003-05-14
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Brenzel, Hubert , Artmann, Hans , Schaefer, Frank
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C2201/0115 , B81C2201/0177 , G01L9/0042
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren vorgeschlagen, wobei ein Halbleitersubstrat (101) vorgesehen ist, wobei ein erster Teilbereich (122) und ein zweiter Teilbereich (121, 125, 126) vorgesehen ist, wobei sich die Porenstruktur des ersten Teilbereichs von der Porenstruktur des zweiten Teilbereichs unterscheidet.
摘要翻译：半导电组件具有半导体衬底（101），中空体积和具有第一和第二子区域的多孔硅的覆盖涂层，由此第一子区域的前孔结构不同于第二子区域的前孔结构子区域。第一和第二子区域结构基本上垂直并平行于主衬底平面。 AN还包括以下的独立权利要求：（a）制造半导体元件的方法，特别是本发明的元件。

10. 发明公开

EP1306348A1 Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit 有权
公开(公告)号：EP1306348A1
公开(公告)日：2003-05-02
申请号：EP01125193.1
申请日：2001-10-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Artmann, Hans , Pannek, Thorsten
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit mit einem Halbleitermaterialträger (2) vorgeschlagen, bei welchem für die Ausbildung von Sensorelementstrukturen für wenigstens einen Sensor eine flächige Membran (8) und eine Isolationswanne (10) zur thermischen Isolierung unter der Membran erzeugt wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung von Membransensoren, die sich auch für Membransensor-Arrays eignen, zu vereinfachen. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass der Träger (2) aus Halbleitermaterial in einem vorgegebenen Bereich, der Sensorelementstrukturen definiert, eine zum umgebenden Halbleitermaterial gezielt unterschiedliche Dotierung erhält, dass aus Halbleitermaterialabschnitten zwischen den durch Dotierung ausgezeichneten Bereichen poröses Halbleitermaterial erzeugt wird und dass das Halbleitermaterial im Wannenbereich (10) unter dem porösiziertem Halbleiter und Teilen der Sensorelementstruktur entfernt und/oder porösiziert wird. Im Weiteren wird eine insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Membransensoreinheit vorgeschlagen.
摘要翻译：半导体衬底（2）的给定区域限定了传感器元件的结构。与周围的半导体区域相比，该区域被有意地掺杂。由掺杂区域的区域之间的半导体形成多孔半导体材料（5）。移动和/或制造多孔的材料下面的槽（10）中的半导体被制成多孔和传感器元件结构的部分。相应的传感器单元包括独立声明。

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