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    • 10. 发明授权
    • Heat treatment apparatus and heat treatment method
    • 热处理设备及热处理方法
    • US09324591B2
    • 2016-04-26
    • US13438234
    • 2012-04-03
    • Koji YoshiiTatsuya YamaguchiWenling WangTakanori Saito
    • Koji YoshiiTatsuya YamaguchiWenling WangTakanori Saito
    • F27D21/00H01L21/67
    • H01L21/67109H01L21/67248
    • A heat treatment apparatus including: a processing container for processing wafers held in a boat; heaters for heating the processing container; and a control section for controlling the heaters. Heater temperature sensors are provided between the heaters and the processing container, in-container temperature sensors are provided in the processing container, and movable temperature sensors are provided in the boat. The temperature sensors are connected to a temperature estimation section. The temperature estimation section selects two of the three types of temperature sensors, e.g. the movable temperature sensors and the in-container temperature sensors, and determines the temperature of a wafer according to the following formula: T=T1×(1−α)+T2×α, α>1, where T1 and T2 represent detection temperatures of the selected temperature sensors, and α represents a mixing ratio.
    • 一种热处理设备,包括:处理容器,用于处理保存在船上的晶片; 用于加热处理容器的加热器; 以及用于控制加热器的控制部。 加热器温度传感器设置在加热器和处理容器之间,容器内温度传感器设置在处理容器中,并且可移动的温度传感器设置在船上。 温度传感器连接到温度估计部。 温度估计部分选择三种类型的温度传感器中的两种,例如, 可移动温度传感器和容器内温度传感器,并根据以下公式确定晶片的温度:T = T1×(1-α)+ T2×α,α> 1,其中T1和T2表示检测温度 的选定温度传感器,α表示混合比。