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1. 发明申请

WO2015128399A3 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE PAR ASSEMBLAGE D'AU MOINS DEUX ELEMENTS PAR COLLAGE DIRECT 审中-公开
标题翻译：通过直接集合组装至少两个元件来构建结构的方法
公开(公告)号：WO2015128399A3
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/EP2015/053984
申请日：2015-02-26
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： GONDCHARTON, Paul , BENAISSA, Lamine , IMBERT, Bruno , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/98 , H01L23/485
摘要： Procédé de réalisation d'une structure par collage direct de deux éléments comportant la réalisation des éléments à assembler et l'assemblage desdits éléments, dans lequel la réalisation des éléments à assembler comporte les étapes: - dépôt sur un substrat d'une couche de TiN ou TaN par dépôt physique en phase vapeur, - dépôt d'une couche de cuivre sur la couche de TiN ou TaN, les conditions de dépôt de la couche de TiN ou TaN par dépôt physique en phase vapeur étant telles que la couche de cuivre présente une orientatioin cristallographique principalement en (220), et dans lequel l'assemblage desdits éléments comporte les étapes: - polissage des surfaces des couches de cuivre destinées à venir en contact de sorte à ce qu'elles présentent une rugosité inférieure à 1 nm RMS et des propriétés hydrophiles, - mise en contact desdites surfaces, - stockage de ladite structure à pression atmosphérique et à température ambiante.
摘要翻译：
处理程序; 通过直接结合两个元素来构建结构，包括完成元素“ 组装和组装所述元件，其中元件的完成包括以下步骤： - 通过物理气相在TiN或TaN层的衬底上， - 在所述层上的铜层 TiN或TaN中，通过物理气相去除TiN或TaN层的条件使得铜层主要在（220）晶面取向，并且其中所述元件的组件包括以下步骤：抛光打算使用的铜层的表面; 与...接触他们展示的是什么粗糙和蔼; INF＆eacute;＆agrave更高; 1nm RMS和亲水性质， - 接触所述表面， - 存储所述结构和材料; 大气压力和＆gt; 环境温度。

2. 发明申请

WO2013050352A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE OPERATION MECANIQUE DANS UNE STRUCTURE COMPORTANT DEUX COUCHES DE RIGIDITES DIFFERENTES 审中-公开
标题翻译：在包含两层不同刚度的结构中执行机械操作的方法
公开(公告)号：WO2013050352A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/EP2012/069425
申请日：2012-10-02
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： MORICEAU, Hubert , ARGOUD, Maxime , ZUSSY, Marc
IPC分类号： B26D3/06 , B26D7/08 , B26D7/10 , B24B7/22 , B24B19/02 , B28D5/00 , B24B9/02
CPC分类号： B26D3/00 , B24B7/228 , B24B19/02 , B26D3/06 , B26D7/08 , B26D7/10 , B28D5/00 , B28D5/0082 , Y10T83/02
摘要： Procédé de réalisation d'au moins une opération mécanique sur une structure (10) comportant au moins une première couche (12) empilée sur au moins une deuxième couche (14), la première couche étant composée d'au moins un matériau dont le module d'Young est supérieur ou égal à environ 50 GPa et supérieur à celui d'au moins un matériau dont est composée la deuxième couche, comportant au moins les étapes de : amincissement de la première couche, localisé au niveau d'au moins une zone (20) de la structure destinée à subir une application d'une force d'appui lors de la mise en oeuvre de l'opération mécanique, mise en œuvre de l'opération mécanique comportant l'application de la force d'appui localisée sur au moins une partie ladite zone de la structure. Ainsi, on évite d'endommager la première couche du fait qu'au niveau de la zone amincie, la structure peut subir une flexion importante sans endommager la première couche - par exemple pour un type d'opération mécanique impliquant un appui sur la structure.
摘要翻译：本发明涉及一种在结构（10）上执行至少一个机械操作的方法，所述结构（10）包括堆叠在至少一个第二层（14）顶部上的至少一个第一层（12），所述第一层由至少一个材料具有大于或等于约50GPa的杨氏模量并且大于形成第二层的至少一种材料的材料。所述方法至少包括以下步骤：其中：当所述机械操作正在执行时，所述第一层在所述结构的至少一个区域（20）中变薄，所述至少一个区域旨在承受支承力; 并且执行机械操作，包括在所述结构的上述区域的至少一部分上施加局部承受力。因此，可以防止对第一层的损伤，因为在减薄的区域中，结构可以承受显着的弯曲而不会使第一层受损，例如用于对结构施加承载力的类型的机械操作。

3. 发明申请

WO2012028518A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN FILM, PAR EXEMPLE MONOCRISTALLIN, SUR UN SUPPORT EN POLYMÈRE 审中-公开
标题翻译：用于生产膜的方法，例如聚合物基材上的单晶膜
公开(公告)号：WO2012028518A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064587
申请日：2011-08-24
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , MORICEAU, Hubert , ARGOUD, Maxime , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc
发明人： MORICEAU, Hubert , ARGOUD, Maxime , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L21/68 , H01L21/6835 , H01L21/762 , H01L21/76224
摘要： Pour obtenir un film en un premier matériau sur un support en polymère : on colle une première plaque sur une seconde plaque (2), l'une au moins de ces plaques comportant au moins une couche du premier matériau située à proximité de l'interface, on creuse dans la première plaque au moins une cavité (4) dont le fond (5), parallèle à l'interface entre les première et seconde plaques, définit dans la première plaque une zone de fond, on forme une couche de polymère (8) dans cette cavité sur une épaisseur contrôlée à partir de son fond, on élimine la seconde plaque sur au moins la majeure partie de son épaisseur, en sorte de libérer, sous la couche de polymère, un film comportant ladite couche du premier matériau.
摘要翻译：为了获得在聚合物基板上由第一材料制成的薄膜：第一薄片粘合到第二薄片（2）上，这些薄片中的至少一个具有至少一层第一材料位于界面附近; 在第一片材中切割出至少一个空腔（4），所述腔体的底部（5）平行于第一和第二片材之间的界面限定了第一片材中的底部区域; 在该空腔中从其底部开始以受控的厚度形成聚合物层（8）在其至少大部分厚度上除去第二片，以便在聚合物层下方释放包含第一材料层的膜。

4. 发明申请

WO2015107290A3 PROCÉDÉ DE PLACEMENT ET DE COLLAGE DE PUCES SUR UN SUBSTRAT RÉCEPTEUR EN UTILISANT UN PLOT A L'AIDE D'UNE FORCE D'ATTRACTION MAGNÉTIQUE, ÉLECTROSTATIQUE OU ÉLECTROMAGNÉTIQUE. 审中-公开
公开(公告)号：WO2015107290A3
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/FR2015/050052
申请日：2015-01-09
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DEGUET, Chrystel , FOURNEL, Frank , MORICEAU, Hubert , SANCHEZ, Loic
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/683 , H01L21/68
摘要： Un procédé de placement et de collage de puces (4) sur un substrat récepteur (6), ce procédé comportant : a) la fourniture (44, 98) de plusieurs puces (4), chaque puce (4) comportant une face de collage et une couche de transfert (36), b) le placement (70, 100, 126) des puces (4) à des emplacements prédéfinis en attirant la couche de transfert (36) à l'aide d'un plot (58), la force d'attraction entre la couche de transfert (36) et le plot (58) étant une force choisie dans le groupe composé d'une force magnétique, d'une force électrostatique et d'une force électromagnétique, c) le collage (74, 100, 126) des faces de collage des puces (4) ainsi placées sur des zones de réception respectives d'une face active (10) du substrat récepteur (6), chaque zone de réception ayant la même surface que la face de collage collée sur cette zone de réception et chaque zone de réception étant lisse et directement bordée par une zone périphérique lisse et au même niveau pour prolonger cette zone de réception dans un même plan ou par une zone périphérique en retrait à l'intérieur du substrat (6), dans lequel : - les faces de collage et les zones de réception sont préparées pour permettre un collage sans apport de matière adhésive entre les faces de collage et les zones de réception correspondantes, puis - lors de l'étape c), chaque face de collage est mise en contact direct avec sa zone de réception respective pour obtenir ainsi un collage sans apport de matière adhésive (un collage direct) des puces (4) sur le substrat récepteur (6).

5. 发明授权

EP1631984B1 PROCÉDÉ D'OBTENTION D 'UNE STRUCTURE COMPRENANT UN SUBSTRAT SUPPORT ET UNE COUCHE ULTRAMINCE 有权转让
标题翻译： PROCÉDÉD'OBTENTION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UN SUBSTRAT SUPPORT ET UNE COUCHE ULTRAMINCE
公开(公告)号：EP1631984B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：EP04767238.1
申请日：2004-06-03
申请人： Soitec , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoît , GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76259

6. 发明公开

EP3166132A1 PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：生产基材的方法
公开(公告)号：EP3166132A1
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：EP16197394.6
申请日：2016-11-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , Soitec
发明人： MORICEAU, Hubert , IMBERT, Bruno , BLOT, Xavier
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L2224/83894 , H01L2224/83935 , H01L2924/1032
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un premier substrat comprenant une première face dite face avant (11), ladite face avant étant faite d'un semi-conducteur de type III-V,
b) fournir un second substrat,
c) former une couche d'oxyde radicalaire sur ladite face avant, du premier substrat par exécution d'une oxydation radicalaire,
d) assembler, par une étape de collage direct, le premier substrat et le second substrat de manière à former un assemblage comprenant la couche d'oxyde radicalaire intercalée entre les premier et second substrats,
e) exécuter un traitement thermique destinée à renforcer l'interface de l'assemblage formée à l'étape d), et à faire disparaître, au moins partiellement, la couche d'oxyde radicalaire.
摘要翻译：本发明涉及一种制造方法，该制造方法包括以下步骤：a）提供包括第一所谓正面（11）的第一衬底，所述正面由III-V族半导体制成，b）提供第二衬底，c）通过进行自由基氧化在所述第一衬底的所述前表面上形成自由基氧化物层，d）通过直接键合步骤将所述第一衬底和所述第二衬底组装到形成包括介于第一基板和第二基板之间的基氧化物层的组件，e）进行旨在加强步骤d）中形成的组件的界面的热处理，并且至少部分地，自由基氧化层。

7. 发明授权

EP2153462B1 METHOD FOR PRODUCING HYBRID COMPONENTS 有权
公开(公告)号：EP2153462B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：EP08760680.2
申请日：2008-06-06
申请人： Soitec , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/8258 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84
摘要： A method for producing a hybrid substrate, including a support substrate, a continuous buried insulator layer and, on this continuous layer, a hybrid layer including alternating zones of a first material and at least one second material, wherein these two materials are different by their nature and/or their crystallographic characteristics. The method forms a hybrid layer, including alternating zones of first and second materials, on a homogeneous substrate, assembles this hybrid layer, the continuous insulator layer and the support substrate, and eliminates a part at least of the homogeneous substrate, before or after the assembling.

8. 发明授权

EP1831923B1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 有权转让
公开(公告)号：EP1831923B1
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：EP05825588.6
申请日：2005-12-22
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Soitec
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02

9. 发明授权

EP1692716B1 COLLAGE MOLECULAIRE DE COMPOSANTS MICROELECTRONIQUES SUR UN FILM POLYMERE 有权转让
公开(公告)号：EP1692716B1
公开(公告)日：2019-11-20
申请号：EP04816510.4
申请日：2004-12-06
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , DI CIOCCIO, Léa
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/98 , H01L25/065

10. 发明授权

EP1631982B1 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE TRES MINCE PAR AMINCISSEMENT PAR AUTO-PORTAGE PROVOQUE 有权转让
标题翻译：一种用于生产薄层BY非常挑起SELBSTRAGUNG
公开(公告)号：EP1631982B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：EP04742879.2
申请日：2004-06-03
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Chrystelle , BATAILLOU, Benoit
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254

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