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1. 发明申请

WO2012110591A1 PROCEDE DE REALISATION D'UN SUPPORT DE SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：生产基板支架的方法
公开(公告)号：WO2012110591A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/EP2012/052672
申请日：2012-02-16
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , FOURNEL, Frank , BALLY, Laurent , ZUSSY, Marc
发明人： FOURNEL, Frank , BALLY, Laurent , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/683
CPC分类号： B81C3/001 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
摘要： Procédé de réalisation d'un support d'au moins un substrat à partir d'une première (P1,) et une deuxième (P2) plaque comprenant chacune des première et une deuxième faces planes parallèles, comportant les étapes : a) délimitation sur la première face plane de la deuxième plaque (P2,) de plusieurs surfaces (6) au moyen d'une zone au niveau de laquelle un collage direct avec une face de la première plaque (P1) est empêchée, dite zone non collable, b) mise en contact de la première face de la deuxième plaque (P2) avec la première face de la première plaque (P1), c) collage direct entre lesdites premières faces sauf au niveau de la zone non collable, d) retrait des portions de la deuxième plaque (P2) située à l'aplomb des surfaces (6) à l'intérieur de la zone non collable.
摘要翻译：本发明涉及一种从第一（P1）和第二（P2）板制造用于至少一个基板的保持器的方法，每个包括第一和第二平行平面，该方法包括以下步骤：a）第二平板（P2）的第一平坦表面，多个表面（6），其使用防止与所述第一板（P1）的所谓的不可粘附表面的直接粘附的区域; b）将第二板（P2）的第一表面与第一板（P1）的第一表面接触; c）直接将所述第一表面粘合在一起，除了不可粘附的区域外; 以及d）将位于垂直于所述表面（6）垂直的所述第二板（P2）的部分拉回所述不可粘合区域内部。

2. 发明申请

WO2007006914A1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS PAR DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE COLLAGE D'OXYDE OU DE NITRURE 审中-公开
标题翻译：通过沉积氧化物或氮化物结合层组装衬底的方法
公开(公告)号：WO2007006914A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/FR2006/001596
申请日：2006-07-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
发明人： DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/78 , H01L21/58 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01031
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage par collage moléculaire de deux substrats dont au moins un est réalisé dans un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que l'un des substrats, appelé premier substrat, comporte une surface (A) dont au moins une partie est plane et dotée d'une rugosité initiale de surface compatible avec le collage moléculaire, le procédé comportant les étapes suivantes : - dépôt, sur au moins une portion (14a, 14b) de la partie plane de la surface (A) du premier substrat, d'une couche mince (16a, 16b) de collage d'oxyde ou de nitrure d'épaisseur comprise entre 10 et 20 nm pour permettre un collage moléculaire sans étape préalable de polissage, - saturation en groupements hydroxyles de la couche mince de collage, - mise en contact de la couche mince (16a, 16b) de collage saturée en groupements hydroxyles avec une surface (B) du deuxième substrat (10), au moins localement plane en regard de la portion de la partie plane de la surface (A) et saturée en groupements hydroxyles, - collage moléculaire de type hydrophile entre les deux substrats.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过分子键合两个基板组装的方法，其中至少一个由半导体材料制成，其特征在于，称为第一基板的基板之一包括表面（A），其表面至少有一部分是并具有与分子键合相容的初始表面粗糙度。本发明的方法在于在第一衬底的表面平坦部分（A）的至少一个部分（14a，14b）上沉积厚度范围为10至20nm的薄氧化物或氮化物结合层（16a，16b）为了在没有预先抛光的情况下进行分子键合，在使具有羟基的薄接合层饱和的情况下，使由羟基饱和的薄接合层（16a，16b）与第二基板（10）表面（B）接触，相对于表面（A）的平坦部分至少局部平坦并且被羟基饱和并且在所述两个基底之间进行亲水性分子结合。

3. 发明申请

WO2006037933A2 PROCEDE D'ELABORATION DE STRUCTURES EMPILEES MIXTES, A ZONES ISOLANTES DIVERSES ET/OU ZONES DE CONDUCTION ELECTRIQUE VERTICALE LOCALISEES 审中-公开
标题翻译：生产混合堆叠结构的工艺，具有各种绝缘区和/或局部垂直导电区
公开(公告)号：WO2006037933A2
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/FR2005/050825
申请日：2005-10-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc , DECHAMP, Jérôme
发明人： MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc , DECHAMP, Jérôme
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/7624 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, sur un substrat semi-conducteur dont une surface présente une topologie, ce procédé comportant : a) - une étape de formation d'une première couche (24) en un premier matériau isolant sur ladite surface, b) - une étape de formation d'une deuxième couche en un deuxième matériau isolant (28), moins dense que le premier matériau isolant, d'épaisseur comprise entre 2,5 p et 3,5 p, c) - une étape de planarisation de l'ensemble.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法在具有呈现拓扑结构的表面的半导体衬底上形成半导体结构的方法，该方法在图1中公开。包括：a） - 在所述表面上的第一绝缘材料中形成第一层（24）的步骤，b） - 将第二层形成为层厚度小于第一绝缘材料的第二绝缘材料（28），其厚度在2.5p和3.5p之间，c） - 所述第二绝缘材料在一起。

4. 发明申请

WO2006024721A3 MICROBATTERIE COMPORTANT DES CONNEXIONS TRAVERSANTES ET PROCEDE DE REALISATION D'UNE TELLE MICROBATTERIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2006024721A3
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/FR2005/001771
申请日：2005-07-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , LAURENT, Jean-Yves , SALOT, Raphaël , MARSACQ, Didier , ZUSSY, Marc
发明人： LAURENT, Jean-Yves , SALOT, Raphaël , MARSACQ, Didier , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01M10/04
摘要： La microbatterie comporte un support (1) ayant une face avant (2) et une face arrière (3) et des premier (4) et second (5) collecteurs de courant disposés sur la face avant (2) du support (1). Sur les collecteurs de courant (4 et 5) est disposé un empilement comportant une cathode (8) et une anode (6) séparées par un électrolyte (7). L'anode (6) et la cathode (8) sont en contact respectivement avec les premier (4) et second (5) collecteurs de courant. Une couche de protection (9) recouvre ledit empilement. La microbatterie comporte, en contact avec les premier (4) et second (5) collecteurs de courant, des connexions (10) traversant le support (1) de sa face avant (2) à sa face arrière (3). L'empilement recouvre, de préférence, sensiblement la totalité de la face avant (2) du support (1). Un procédé de réalisation de la microbatterie comporte la gravure, dans la face avant (2) du support (1 ), de cavités ayant une profondeur inférieure à l'épaisseur du support (1 ), le comblement des cavités avec un matériau conducteur et le retrait d'une épaisseur de la face arrière (3) du support (1), de manière à découvrir le matériau conducteur contenu dans les cavités.

5. 发明申请

WO2006024721A2 MICROBATTERY COMPRISING THROUGH-CONNECTIONS AND PRODUCTION METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：包含通过连接的微型计算机及其生产方法
公开(公告)号：WO2006024721A2
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/FR2005001771
申请日：2005-07-08
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , LAURENT JEAN-YVES , SALOT RAPHAEL , MARSACQ DIDIER , ZUSSY MARC
发明人： LAURENT JEAN-YVES , SALOT RAPHAEL , MARSACQ DIDIER , ZUSSY MARC
IPC分类号： H01M10/04 , H01M4/04 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M10/36
CPC分类号： H01M10/0585 , H01M2/0257 , H01M4/0421 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , Y10T29/49115
摘要： The invention relates to a microbattery comprising through-connections and to the production method thereof. The inventive microbattery comprises a support (1) having a front face (2) and a rear face (3) and first (4) and second (5) current collectors which are disposed on the front face (2) of the support (1). A stack comprising a cathode (8) and an anode (6) which are separated by an electrolyte (7) is disposed on the current collectors (4 and 5). The anode (6) and the cathode (8) are in contact with the first (4) and second (5) current collectors respectively. The aforementioned stack is covered with a protective layer (9). In addition, the microbattery comprises connections (10) which pass through the support (1) from the front face (2) to the rear face (3) thereof and which are in contact with the first (4) and second (5) current collectors. The stack preferably covers essentially all of the front face (2) of the support (1). The invention also relates to a method of producing the microbattery, which comprises: the etching of cavities in the front face (2) of the support (1), said cavities having a depth less than the thickness of the support (1); the filling of the cavities with a conductive material; and the removal of a layer of the rear face (3) from the support (1), in order to reveal the conductive material contained in the cavities.
摘要翻译：本发明涉及一种包括通孔连接的微电池及其制造方法。本发明的微电池包括具有前表面（2）和后表面（3）的支撑件（1）和设置在支撑件（1）的前表面（2）上的第一（4）和第二（5）集电器）。包括由电解质（7）分离的阴极（8）和阳极（6）的堆叠设置在集流器（4和5）上。阳极（6）和阴极（8）分别与第一集电体（4）和第二集电体（5）接触。上述叠层被保护层（9）覆盖。此外，微电池包括从前表面（2）穿过支撑件（1）到其后表面（3）的连接件（10），它们与第一（4）和第二（5）电流接触收藏家。堆叠优选地覆盖支撑件（1）的基本上所有的前表面（2）。本发明还涉及一种生产微电池的方法，其包括：蚀刻支撑体（1）的前表面（2）中的空腔，所述空腔的深度小于支撑件（1）的厚度; 用导电材料填充空腔; 以及从支撑件（1）去除后表面（3）的层，以便露出包含在空腔中的导电材料。

6. 发明申请

WO2003083930A1 PROCEDE DE MANIPULATION DE COUCHES SEMICONDUCTRICES POUR LEUR AMINCISSEMENT 审中-公开
标题翻译：用于处理半导体层的方法，以同样的方式
公开(公告)号：WO2003083930A1
公开(公告)日：2003-10-09
申请号：PCT/FR2003/000954
申请日：2003-03-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
发明人： ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L21/2007 , B81C1/0038 , B81C2201/0191 , B81C2203/036 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L2221/68359 , Y10S438/977
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention d'une couche mince à partir d'une plaque comprenant une face avant présentant un relief donné et une face arrière, comprenant les étapes consistant à :a) se procurer une poignée support possédant une face servant de face de collage ;b) préparer la face avant de la plaque, cette préparation comprenant une planarisation incomplète de la face avant de la plaque, pour obtenir une énergie de collage E0 comprise entre une première valeur, correspondant à l'énergie de collage minimum compatible avec l'étape postérieure d'amincissement, et une deuxième valeur, correspondant à l'énergie de collage maximale compatible avec l'opération postérieure de désolidarisation, l'énergie de collage E0 étant telle que E0 equals; E, E étant l'énergie de collage qui serait obtenue si la face avant de la plaque était complètement planarisée, étant le rapport entre la surface planarisée incomplètement de la face avant de la plaque et la surface de la face avant de la plaque si elle était planarisée complètement ;c) solidariser, par adhésion moléculaire, la face avant de la plaque sur la face de collage de la poignée support ;d) amincir la plaque à partir de sa face arrière jusqu'à obtenir la couche mince ;e) reporter la couche mince sur un support d'utilisation, impliquant la désolidarisation d'avec la poignée support.
摘要翻译：本发明涉及一种从具有给定浮雕和后侧的具有前侧的板获得薄层的方法，所述方法包括以下步骤：a）获得包括用作粘合侧的一侧的支撑手柄 ; b）制备板的正面，使得其部分平面化，以获得位于与随后的变薄阶段相容的最小结合能相对应的第一值之间的结合能E0和对应于最大结合的第二值能量与随后的剥离操作相容，结合能E0使得E0 =αE，E是如果板的前侧完全平面化将获得的结合能，而α是部分平面化表面的板的前侧，如果它是完全平面的，板的正面的表面; c）通过分子结合将板的前侧结合到支撑柄的接合表面; d）将板从其后侧开始变薄，直到获得薄层; 和e）薄层从支撑手柄剥离并转移到支撑体上。

7. 发明申请

WO2002084721A3 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084721A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/18
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'une interface entre une couche destinée à faire partie de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de tenue mécanique, et une seconde zone (Z2) ayant un second niveau de tenue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou par une couche intermédiaire poreuse.

8. 发明申请

WO2002084721A2 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：可分离的基板或可拆卸的结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2002084721A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/19041 , Y10T156/11
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'un interface entre une couche destinée à faire de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de teneue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou rpar une couche intermédiaire poreuse.
摘要翻译：本发明涉及薄层的制备，其包括在用于产生所述薄层的层与基底之间形成界面的步骤，其特征在于所述界面以至少提供至少具有第一级机械强度的第一区域（Z1）和具有基本上低于第一区域的机械强度水平的第二区域（Z2）。所述界面可以通过以不同的方式制备的表面，通过在所述区域中以不同的方式被掩埋和脆化的层或通过中间多孔层来胶合表面而形成。

9. 发明申请

WO2006070160A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 审中-公开
标题翻译：用于调整由两板组装获得的结构的方法
公开(公告)号：WO2006070160A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051128
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TRACIT TECHNOLOGIES , ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： L'invention concerne un procédé de détourage d'une structure obtenue par fixation d'une première plaque sur une deuxième plaque selon des faces de contact et amincissement de la première plaque, au moins l'une d'entre la première plaque et la deuxième plaque étant chanfreinée et exposant ainsi le bord de la face de contact de la première plaque, le détourage concernant la première plaque. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) sélection de la deuxième plaque parmi des plaques présentant une résistance à l'attaque chimique prévue à l'étape b) suffisante par rapport à la première plaque pour permettre la réalisation de l'étape b) ; b) après fixation de la première plaque sur la deuxième plaque, attaque chimique du bord de la première plaque de façon à former dans la première plaque un piédestal reposant entièrement sur la face de contact de la deuxième plaque et supportant le reste de la première plaque ; c) amincissement de la première plaque jusqu'à atteindre et entamer le piédestal pour fournir une partie amincie de la première plaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整通过将第一板固定在接触面上的第二板上并使第一板变薄而获得的结构的方法，所述第一板和第二板中的至少一个被倒角并因此使接触边缘暴露面对第一块板块，表示修剪关于第一块板。该方法包括以下步骤：a）从具有对步骤b）中计划的化学侵蚀的抗性的那些板中选择第二板，其足以与第一板相关以允许步骤b）进行，b）之后将第一板固定到第二板上，执行第一板的边缘的化学侵蚀，以便在第一板上形成基座，其完全搁置在第二板的接触面上并且支撑第一板的其余部分， c）第一板的变薄以便刚刚到达和分解成基座，以提供第一板的变薄的部分。

10. 发明申请

WO2006037933A3 METHOD FOR PROVIDING MIXED STACKED STRUCTURES, WITH VARIOUS INSULATING ZONES AND/OR ELECTRICALLY CONDUCTING ZONES VERTICALLY LOCALIZED 审中-公开
标题翻译：用于提供混合堆叠结构的方法，具有各种绝缘区域和/或电气导电区域，垂直定位
公开(公告)号：WO2006037933A3
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/FR2005050825
申请日：2005-10-06
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU HUBERT , MORALES CHRISTOPHE , ZUSSY MARC , DECHAMP JEROME
发明人： MORICEAU HUBERT , MORALES CHRISTOPHE , ZUSSY MARC , DECHAMP JEROME
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/7624 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： The invention concerns a method for producing a semiconductor structure, on a semiconductor substrate whereof one surface has a topology, said method comprising the following steps: a) forming a first layer (24) in a first insulating material on said surface, b) forming a second layer in a second insulating material (28), less dense than the first insulating material, of thickness ranging between 2.5 and 3.5 p, c) planarizing the assembly.
摘要翻译：本发明涉及在半导体衬底上制造半导体结构的方法，其中一个表面具有拓扑结构，所述方法包括以下步骤：a）在所述表面上形成第一绝缘材料中的第一层（24），b）形成在第二绝缘材料（28）中的第二层，其密度小于第一绝缘材料，厚度范围在2.5和3.5p之间，c）平坦化组件。

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