专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012004250A1 PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN MATERIAU PIEZOELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：压电材料的方法
公开(公告)号：WO2012004250A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061290
申请日：2011-07-05
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , SOITEC , DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
发明人： DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/131 , Y10T29/42
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à base d'un matériau piézoélectrique, comportant: a)la réalisation d'un empilement comportant au moins une couche métallique (22) et au moins une couche conductrice (26) sur un substrat en matériau piézoélectrique(20), au moins un contact électrique (31) étant établi entre la couche conductrice (26) et un élément métallique (29) extérieur à l'empilement, b)une implantation ionique et/ou atomique, à travers au moins ladite couche conductrice (26) et la couche métallique (22), c)un report de ce substrat sur un substrat de report (30) puis une fracture de ce substrat piézoélectrique reporté, dans la zone de fragilisation (27).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造压电材料结构的方法，包括：a）在由压电材料制成的衬底（20）上制造包括至少一个金属层（22）和至少一个导电层（26）的叠层体，至少一个电触头（31）在所述导体层（26）和所述叠层之外的金属元件（29）之间建立; b）通过至少所述导电层（20）和所述金属层（22）注入离子和/或原子; c）将所述衬底转移到转移衬底（30）上，然后在所述弱化区域（27）中压碎所述转移的压电衬底。

2. 发明申请

WO2015197526A1 PROCEDE DE PASSIVATION ET PROCEDE DE COLLAGE DIRECT DE COUCHES DE TUNGSTENE 审中-公开
标题翻译：吞吐层钝化过程和直接结合过程
公开(公告)号：WO2015197526A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/EP2015/063932
申请日：2015-06-22
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： BENAISSA, Lamine , GONDCHARTON, Paul , IMBERT, Bruno
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/60 , C23C14/08
CPC分类号： H01L24/83 , C22F1/18 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/06 , C23C14/083 , C23C14/165 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01L21/187 , H01L21/2855 , H01L21/76834 , H01L21/76898 , H01L23/53266 , H01L24/80 , H01L25/50 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/80896 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014
摘要： Procédé de formation et de passivation d'une couche de tungstène, comprenant les étapes suivantes consistant à a) déposer (S1) par dépôt PVD une couche de tungstène sur un substrat; et b) déposer (S2) par dépôt PVD une couche d'oxyde de tungstène de passivation sur la couche de tungstène, par pulvérisation réactive sous un plasma contenant du dioxygène, la couche d'oxyde de tungstène telle que déposée étant amorphe et présentant une résistivité comprise entre 5.10 -2 et 5.10 -3 Ω.cm, le substrat étant maintenu sous atmosphère inerte entre l'étape a) et l'étape b).
摘要翻译：用于形成和钝化钨层的方法，包括以下步骤：a）通过PVD沉积沉积（S1）在基底上的钨层; 和b）通过PVD沉积沉积（S2），通过在含有二氧的等离子体中的反应溅射在钨层上沉积氧化钨钝化层，沉积的氧化钨层是无定形的，电阻率介于5×10-2和 5×10 -3Ω.cm，将基板在步骤a）和步骤b）之间保持在惰性气氛中。

3. 发明申请

WO2015128399A3 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE PAR ASSEMBLAGE D'AU MOINS DEUX ELEMENTS PAR COLLAGE DIRECT 审中-公开
标题翻译：通过直接集合组装至少两个元件来构建结构的方法
公开(公告)号：WO2015128399A3
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/EP2015/053984
申请日：2015-02-26
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： GONDCHARTON, Paul , BENAISSA, Lamine , IMBERT, Bruno , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/98 , H01L23/485
摘要： Procédé de réalisation d'une structure par collage direct de deux éléments comportant la réalisation des éléments à assembler et l'assemblage desdits éléments, dans lequel la réalisation des éléments à assembler comporte les étapes: - dépôt sur un substrat d'une couche de TiN ou TaN par dépôt physique en phase vapeur, - dépôt d'une couche de cuivre sur la couche de TiN ou TaN, les conditions de dépôt de la couche de TiN ou TaN par dépôt physique en phase vapeur étant telles que la couche de cuivre présente une orientatioin cristallographique principalement en (220), et dans lequel l'assemblage desdits éléments comporte les étapes: - polissage des surfaces des couches de cuivre destinées à venir en contact de sorte à ce qu'elles présentent une rugosité inférieure à 1 nm RMS et des propriétés hydrophiles, - mise en contact desdites surfaces, - stockage de ladite structure à pression atmosphérique et à température ambiante.
摘要翻译：
处理程序; 通过直接结合两个元素来构建结构，包括完成元素“ 组装和组装所述元件，其中元件的完成包括以下步骤： - 通过物理气相在TiN或TaN层的衬底上， - 在所述层上的铜层 TiN或TaN中，通过物理气相去除TiN或TaN层的条件使得铜层主要在（220）晶面取向，并且其中所述元件的组件包括以下步骤：抛光打算使用的铜层的表面; 与...接触他们展示的是什么粗糙和蔼; INF＆eacute;＆agrave更高; 1nm RMS和亲水性质， - 接触所述表面， - 存储所述结构和材料; 大气压力和＆gt; 环境温度。

4. 发明申请

WO2016079136A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MOUSSE AQUEUSE, MOUSSE AQUEUSE OBTENUE PAR UN TEL PROCÉDÉ ET SES UTILISATIONS 审中-公开
标题翻译：生产水泡沫的方法，通过这种方法获得的水性泡沫及其用途
公开(公告)号：WO2016079136A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/EP2015/076851
申请日：2015-11-17
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： CADRA, Stéphane , SALAS, Jean-Félix , BALLAND-LONGEAU, Alexia , GARONNE, François , FAURE, Sylvain , IMBERT, Bruno
IPC分类号： B01J20/22 , C08J9/30 , A01N25/16 , A62D3/38 , C06B21/00
CPC分类号： C08J9/30 , A62D3/38 , B01J20/24 , B01J20/28047 , C06B21/0091 , C08J9/0061 , C08J2305/00 , C08J2425/08
摘要： L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une mousse aqueuse comprenant les étapes suivantes : (a) la préparation d'une solution comprenant au moins un tensioactif et au moins un solvant polaire protique, (b) la mise en contact de la solution avec un gaz sous pression, moyennant quoi un mélange diphasique est obtenu, et (c) l'injection du mélange diphasique, moyennant quoi, après détente ou dispersion du gaz, la mousse aqueuse est obtenue. Selon l'invention, la solution comprend, en outre, au moins un composé gélifiant choisi parmi un polysaccharide non azoté et de la gélatine. L'invention se rapporte également à la mousse aqueuse obtenue par un tel procédé ainsi qu'à ses utilisations, notamment dans les domaines de la décontamination, de la purification d'effluents ou encore du désamorçage ou du confinement d'engins explosifs ou suspectés comme tels.
摘要翻译：本发明涉及一种生产含水泡沫的方法，包括以下步骤：（a）制备包含至少一种表面活性剂和至少一种质子极性溶剂的溶液，（b）使溶液与加压气体接触，由此获得两相混合物，（c）注入两相混合物，由此在膨胀或分散气体之后，得到含水泡沫体。根据本发明，溶液还包含至少一种选自非含氮多糖和明胶的胶凝化合物。本发明还涉及通过这种方法获得的含水泡沫体及其用途，特别是在去污，净化污水或排放或容纳爆炸装置或疑似爆炸装置的领域。

5. 发明申请

WO2014191337A1 PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE DEUX SUBSTRATS DE NATURE DIFFÉRENTE VIA UNE COUCHE INTERMÉDIAIRE DUCTILE 审中-公开
标题翻译：通过中间层组装两种不同基底的方法
公开(公告)号：WO2014191337A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/EP2014/060789
申请日：2014-05-26
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： IMBERT, Bruno , BENAISSA, Lamine , GONDCHARTON, Paul
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L2224/83203 , H01L2224/83895 , H01L2924/10253 , H01L2924/10335 , H01L2924/3511
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une hétérostructure (H), comprenant les étapes de : - mise en contact d'un premier substrat (1) ayant un premier coefficient de dilation thermique et d'un deuxième substrat (3) ayant un deuxième coefficient de dilation thermique différent dudit premier coefficient de dilation thermique, - recuit de l'assemblage formé par la mise en contact du premier substrat et du deuxième substrat, - après recuit, retour à température ambiante dudit assemblage, caractérisé par : - la fourniture, avant ladite mise en contact, d'au moins une couche intermédiaire (2) en surface d'au moins un des premier et deuxième substrats, ladite au moins une couche intermédiaire étant réalisée en un matériau ductile lors des étapes de recuit et de retour à température ambiante, - la réalisation de la mise en contact avec l'au moins une couche intermédiaire intercalée entre le premier et le deuxième substrats, - lors du retour à température ambiante, application d'une pression extérieure audit assemblage afin de le maintenir compressé (TC, C).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造异质结构（H）的方法，包括以下步骤：将具有第一热膨胀系数的第一衬底（1）与第二衬底（3）接触，第二衬底（3）的热膨胀系数不同于所述第一热膨胀系数， - 退火通过使第一基板和第二基板接触而形成的组件， - 在退火之后，将所述组件返回到环境温度，其特征在于：在所述接触放置之前提供至少一个中间层（2）在所述第一和第二基底中的至少一个的表面上，所述至少一个中间层在退火期间由延性材料制成并返回到环境温度步骤， - 执行与至少一个中间层插入在第一和第二基板之间， - 在返回到环境温度期间，向所述组件施加外部压力以保持其压缩（TC，C）。

6. 发明申请

WO2016059094A1 PROCÉDÉ DE COLLAGE DIRECT VIA DES COUCHES MÉTALLIQUES PEU RUGUEUSES 审中-公开
标题翻译：通过低韧性金属层进行直接粘合的方法
公开(公告)号：WO2016059094A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/EP2015/073746
申请日：2015-10-14
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： GONDCHARTON, Paul , BENAISSA, Lamine , IMBERT, Bruno
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/2745 , H01L2224/278 , H01L2224/29082 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/2918 , H01L2224/29186 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/83054 , H01L2224/83092 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83895 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/1068 , H01L2924/20102 , H01L2924/00014
摘要： L'invention porte sur un procédé d'assemblage d'un premier substrat (1) et d'un deuxième substrat (3) par l'intermédiaire de couches de collage métalliques (2, 4), comprenant les étapes de : dépôt, en surface de chacun des premier et deuxième substrats (1, 3), d'une couche métallique (2, 4) d'épaisseur contrôlée pour borner la rugosité de surface de chacune des couches métalliques déposées en dessous d'un seuil de rugosité; mise à l'air des couches métalliques déposées en surface des premier et deuxième substrats; collage direct des premier et deuxième substrats par mise en contact des couches de collage métalliques déposées, la rugosité de surface des couches mises en contact étant celle obtenue à l'issue de l'étape de dépôt. Le collage peut être réalisé sous air, à pression atmosphérique et à température ambiante, sans application de pression à l'assemblage des premier et deuxième substrats résultant de la mise en contact direct des couches de collage métalliques déposées.
摘要翻译：本发明涉及通过金属粘合层（2,4）组装第一基板（1）和第二基板（3）的方法，所述方法包括以下步骤：在第一和第二基板衬底（1,3），具有控制的厚度的金属层（2,4），以将每个沉积的金属层的表面粗糙度限制在低于粗糙度阈值; 将沉积在第一和第二基板的表面上的金属层暴露于空气中; 通过使沉积的金属粘附层接触来直接粘附第一和第二基底，接触层的表面粗糙度是在沉积步骤结束时获得的。粘合力可以在大气压和室温下在空气中进行，而不会由于直接接触沉积的金属粘合层而对第一和第二基板的组件施加压力。

7. 发明申请

WO2015018784A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AVEC COLLAGE TEMPORAIRE VIA DES COUCHES MÉTALLIQUES 审中-公开
标题翻译：通过金属层制造具有临时粘结的半导体结构的工艺
公开(公告)号：WO2015018784A1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：PCT/EP2014/066703
申请日：2014-08-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： GONDCHARTON, Paul , BENAISSA, Lamine , CHARVET, Anne-Marie , IMBERT, Bruno
IPC分类号： H01L21/683 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L27/0688 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2924/15311
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure mettant en œuvre un collage temporaire d'un substrat à manipuler (1) avec un substrat poignée (3), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - fournir le substrat à manipuler (1) recouvert d'une première couche métallique (2), la première couche présentant une première taille de grains; - fournir le substrat poignée (3) recouvert d'une seconde couche métallique (4), la seconde couche présentant la même composition que la première couche métallique et une seconde taille de grains différente de la première taille de grains; - assemblage du substrat à manipuler (1) et du substrat poignée (3) par collage direct assisté par thermocompression des première et seconde couches métalliques (2, 4); - traitement éventuel du substrat à manipuler assemblé au substrat poignée; - démontage de l'assemblage du substrat à manipuler et du substrat poignée pour former la structure, ledit démontage comprenant un recuit thermique de fragilisation dudit assemblage conduisant au détachement du substrat poignée (3).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造结构的方法，其特征在于包括以下步骤：将待处理的基板（1）临时粘合到载体基板（3）上，其特征在于包括以下步骤：具有第一金属层（2），所述第一层具有第一晶粒尺寸; 提供覆盖有第二金属层（4）的载体基板（3），所述第二层具有与第一金属层相同的组成和与第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸; 通过第一和第二金属层（2,4）的热压加工辅助直接粘合来组装要处理的基板（1）和载体基板（3）。可选地将要处理的基板组装到载体基板上; 拆卸要处理的基板的组件和载体基板以形成结构，所述拆卸包括使所述组件变弱并使载体基板（3）分离的热退火。

8. 发明公开

EP2591515A1 PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN MATERIAU PIEZOELECTRIQUE 有权
标题翻译：程序植入压电材料中
公开(公告)号：EP2591515A1
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：EP11730951.8
申请日：2011-07-05
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Soitec
发明人： DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/131 , Y10T29/42
摘要： The invention relates to a method for producing a piezoelectric material structure, comprising: a) producing a stack comprising at least one metal layer (22) and at least one conductive layer (26) on a substrate (20) made of a piezoelectric material, at least one electrical contact (31) being established between the conductive layer (26) and a metal element (29) outside the stack; b) implanting ions and or atoms through at least said conductive layer (20) and the metal layer (22); c) transferring said substrate onto a transfer substrate (30), and then fracturing said transferred piezoelectric substrate in the weakened area (27).

9. 发明公开

EP3166132A1 PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：生产基材的方法
公开(公告)号：EP3166132A1
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：EP16197394.6
申请日：2016-11-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , Soitec
发明人： MORICEAU, Hubert , IMBERT, Bruno , BLOT, Xavier
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L2224/83894 , H01L2224/83935 , H01L2924/1032
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un premier substrat comprenant une première face dite face avant (11), ladite face avant étant faite d'un semi-conducteur de type III-V,
b) fournir un second substrat,
c) former une couche d'oxyde radicalaire sur ladite face avant, du premier substrat par exécution d'une oxydation radicalaire,
d) assembler, par une étape de collage direct, le premier substrat et le second substrat de manière à former un assemblage comprenant la couche d'oxyde radicalaire intercalée entre les premier et second substrats,
e) exécuter un traitement thermique destinée à renforcer l'interface de l'assemblage formée à l'étape d), et à faire disparaître, au moins partiellement, la couche d'oxyde radicalaire.
摘要翻译：本发明涉及一种制造方法，该制造方法包括以下步骤：a）提供包括第一所谓正面（11）的第一衬底，所述正面由III-V族半导体制成，b）提供第二衬底，c）通过进行自由基氧化在所述第一衬底的所述前表面上形成自由基氧化物层，d）通过直接键合步骤将所述第一衬底和所述第二衬底组装到形成包括介于第一基板和第二基板之间的基氧化物层的组件，e）进行旨在加强步骤d）中形成的组件的界面的热处理，并且至少部分地，自由基氧化层。

10. 发明授权

EP2591515B1 PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN MATERIAU PIEZOELECTRIQUE 有权
标题翻译：程序植入压电材料中
公开(公告)号：EP2591515B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：EP11730951.8
申请日：2011-07-05
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Soitec
发明人： DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： H01L41/313
CPC分类号： H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/131 , Y10T29/42

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式