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    • 2. 发明申请
    • GASSENSOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    • 气体传感器与方法研究
    • WO2005012892A1
    • 2005-02-10
    • PCT/DE2004/001645
    • 2004-07-23
    • PARAGON AGWEBER, HeribertPRUETZ, Odd-AxelKRUMMEL, ChristianSCHELLING, ChristophGRUEN, Detlef
    • WEBER, HeribertPRUETZ, Odd-AxelKRUMMEL, ChristianSCHELLING, ChristophGRUEN, Detlef
    • G01N27/12
    • G01N27/128
    • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gassensor mit einer auf einem Halbleitersubstrat (2) ausgebildeten Membranschicht (3), auf der eine Auswertestruktur (7) in einem Auswertebereich (8) und eine Heizstruktur (9) ausserhalb des Auswertebereichs (8) angeordnet sind, und mit einer über der Auswertestruktur (7) und der Heizstruktur (9) angeordneten gassensitiven Schicht (10), wobei die gassensitive Schicht (10) von der Heizstruktur (9) beheizbar und der elektrische Widerstand der gassensitiven Schicht (10) von der Auswertestruktur (7) auswertbar ist und wobei die Heizstruktur (9) auf einer haftvermittelnden Oxidschicht (6) auf der Oberseite der Membranschicht (3) angeordnet und durch eine Deckoxidschicht (11) von dergassensitiven Schicht getrennt ist. Um eine zuverlässige Funktionsweise zu ermöglichen, ist bei dem Gassensor vorgesehen, dass in dem Auswertebereich (8) eine gegenüber einer Oxidätzung unempfindliche Haftvermittlerschicht (13) zwischen der Membranschicht (3) und der Auswertestruktur (7) angeordnet ist oder dass die Auswertestruktur (7) in dem Auswertebereich (8) entsprechend der Heizstruktur (9) durch die Deckoxidschicht (11) von der gassensitiven Schicht (10) getrennt ist, wobei die Deckoxidschicht (11) Kontaktlöcher (12) aufweist, welche jeweils einen mittleren Bereich der Oberfläche der Auswertestruktur (7) freilegen, um einen direkten Kontakt zwischen der Auswertestruktur (7) und der gassensitiven Schicht (10) herzustellen.
    • 本发明涉及具有在半导体基板上的气体传感器(2)形成的薄膜层(3),其上(9)的评价范围(8)的外侧被布置成评估区域(8)和加热结构的评估结构(7),并用 (9)布置在所述气体敏感层(10),加热中的一个评价结构上述(7),并且其中所述加热结构(9)加热的气体敏感层(10)和评价结构体的气体敏感层(10)的电阻(7) 被评估,并且其中所述加热结构(9),设置在上膜层(3)的顶部粘合促进氧化物层(6)和由覆盖氧化物层(11)由dergassensitiven层分离。 为了使一个可靠的操作,在该或向氧化物蚀刻耐底漆层(13)设置于薄膜层(3)和在所述评价区域的评价结构(7)之间的气体传感器(8)提供,所述评估结构(7) 在通过气体敏感层的覆盖氧化物层(11)相对应的加热结构(9)的评价区域(8)(10)断开,其特征在于,所述覆盖氧化物层(11)具有接触孔(12),(在每种情况下评价的表面的中间部分 暴露7)建立评价的结构(7)和气体敏感层(10)之间的直接接触。
    • 5. 发明申请
    • GMR-STRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    • GMR结构及其制造方法
    • WO2002061446A1
    • 2002-08-08
    • PCT/DE2002/000243
    • 2002-01-25
    • ROBERT BOSCH GMBHGRUEN, DetlefFISCHER, FrankSIEGLE, HenrikHEIN, Peter
    • GRUEN, DetlefFISCHER, FrankSIEGLE, HenrikHEIN, Peter
    • G01R33/09
    • B82Y25/00G01R33/093
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer GMR-Struktur, bei dem auf einen Träger (10, 12, 30, 34) eine metallische Vielfachschicht (12) aufgebracht wird und bei dem die metallische Vielfachschicht (14) zum Erzeugen der GMR-Struktur strukturiert wird, wobei der Träger (10, 12, 30, 34) vor dem Aufbringen der metallischen Vielfachschicht eine Struktur aufweist und das Strukturieren der metallischen Vielfachschicht durch CMP erfolgt. Die Erfindung betrifft ferner eine GMR-Struktur mit einem Träger (10, 12, 30, 34) und einer auf dem Träger (10, 12, 30, 34) angeordneten strukturierten metallischen Vielfachschicht, wobei die strukturierte metallische Vielfachschicht (14) in einer oder mehreren Vertiefungen (50) des Trägers (10, 12, 30, 34) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft ferner eine Verwendung von GMR-Strukturen.
    • 本发明涉及一种方法,用于制造GMR结构,其特征在于,上(10,12,30,34),多层金属(12)施加的支撑,并且其中图案化以产生所述GMR结构的金属多层(14) 是,其中,所述载体(10,12,30,34)具有前的金属多个层来实现的应用程序,并通过CMP金属多个层的构图的结构。 本发明还涉及一种GMR结构,包括一个支承件(10,12,30,34)和一个在载体上(10,12,30,34)布置成图案化的金属多层,其中在一图案化的金属的多个层(14)或 多个所述载体(10,12,30,34)的凹陷(50)的布置。 本发明还涉及一种使用GMR结构。