专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2008135013A2 HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：半导体芯片和一种用于生产半导体芯片
公开(公告)号：WO2008135013A2
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/DE2008/000703
申请日：2008-04-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , WEIMAR, Andreas
发明人： ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18308 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3095 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25) umfasst, angegeben. Auf dem Halbleiterkörper (2) ist eine Spiegelstruktur (3) angeordnet, die eine Spiegelschicht (4) und eine zumindest bereichsweise zwischen der Spiegelschicht und dem Halbleiterkörper angeordnete dielektrische Schichtstruktur (5) aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：有一个半导体芯片（1），包括一个半导体主体（2），其包括具有用于产生辐射有源区（25）所表示的半导体层序列。在半导体主体（2）有（3）包括反射镜层（4）的反射镜结构和至少部分地设置在反射镜层和介电层以在半导体本体结构（5）之间。此外，被指定用于制造半导体芯片的方法。

2. 发明申请

WO2009132641A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2009132641A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/DE2009/000629
申请日：2009-04-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) beschrieben, die von Kontakten (5) über eine Stromaufweitungsschicht (3) elektrisch kontaktiert wird. Die Kontakte (5) bedecken zirka 1 % - 8 % der Fläche der Halbleiterschichtenfolge (2). Die Kontakte (5) bestehen beispielsweise aus separaten Kontaktpunkten (51), die an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Gitters (52) mit einer Gitterkonstante von 12 μm angeordnet sind. Die Stromaufweitungsschicht (3) enthält beispielsweise Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder Zinkoxid und weist eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 60 nm auf.
摘要翻译：公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（1）（2）触头（5）通过电流扩散层（3）电接触。触头（5），其覆盖约1％ - 半导体层序列（2）的表面的8％。例如触头（5）包括被布置在具有12微米的晶格常数的规则栅格（52）的结点分离的接触点（51）。电流扩散层（3）包括，例如氧化铟锡，氧化铟锌或氧化锌，其厚度在15纳米至60纳米的范围内。

3. 发明申请

WO2009068015A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：电介质层结构的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2009068015A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001973
申请日：2008-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , WEIMAR, Andreas
发明人： HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/22 , H01L33/46
摘要： Es wird ein Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (11) aufweist. An die Halbleiterschichtenfolge schließt sich eine Spiegelstruktur (2) an, die eine dielektrische Schichtstruktur (21) umfasst. Diese Spiegelstruktur reflektiert mindestens 96 % des unter einem beliebigen Winkelbereichs auf sie treffenden, in der aktiven Zone (11) erzeugten Lichtes. Die Schichten (211, 212) der dielektrischen Schichtstruktur (21) können beispielsweise ein low-index Material oder einen 3D photonischen Kristall enthalten. Neben der dielektrischen Schichtstruktur (21) kann die Spiegelstruktur (2) zusätzlich einen metallischen Spiegel (22) umfassen.
摘要翻译：公开是具有提供用于产生电磁辐射，有源层（11）中的开口的半导体层序列（1）的半导体芯片。到半导体层序列，反射镜结构（2）连接，其包括介电层结构（21）。该反射镜结构反映在其上的任意的角度范围入射产生的光的至少96％，在有源区（11）。该介电层结构（21）的层（211，212）可以，例如，低折射率材料或3D光子晶体包括在内。除了介电层结构（21）中，反射镜结构（2）可以另外包括一个金属镜（22）。

4. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

5. 发明申请

WO2009039820A1 DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：薄膜换镜层和方法及其LED
公开(公告)号：WO2009039820A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001495
申请日：2008-09-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
发明人： HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED, die eine Barriereschicht (3), eine der Barriereschicht (3) nachfolgende erste Spiegelschicht (2), einen der ersten Spiegelschicht (2) nachfolgenden Schichtstapel (5), und mindestens eine dem Schichtstapel (5) nachfolgende Kontaktstruktur (6) umfasst. Der Schichtstapel (5) weist mindestens eine aktive Schicht (5a) auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Kontaktstruktur (6) ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche (4) angeordnet und weist eine Kontaktfläche (7) auf. Die erste Spiegelschicht (2) weist in einem der Kontaktfläche der Kontaktstruktur (6) gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung auf, die größer als die Kontaktfläche (7) der Kontaktstruktur (6) ist. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED.
摘要翻译：本发明涉及到一个薄膜LED，一个阻挡层（3），所述阻隔层（3）随后的第一反射镜层（2），所述第一反射层中的一个（2）随后的下列层堆（5），和所述层堆叠中的至少一个（5）接触结构（6）。层堆叠（5）具有至少发射电磁辐射的有源层（5a）中。接触结构（6）被布置在辐射出射表面（4），并且具有接触表面（7）。所述第一反光镜层（2）具有在所述接触结构（6）区的凹部相对的比所述接触表面较大的接触表面中的一个（7）的接触结构（6）。薄膜的效率的LED增加。

6. 发明申请

WO2013045181A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045181A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066459
申请日：2012-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/145 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.
摘要翻译：在所述方法的至少一个实施例是，对于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括以下步骤：提供一生长衬底（1），通过溅射，和生长III族氮化物半导体层序列制备生长衬底（1）上的III族氮化物成核层（3）（2）与活性层（2A ），其中所述生长衬底（1）（从成核层（3）的材料，和/或半导体层序列2）的材料为上或上方成核层不同（3）。

7. 发明申请

WO2013045190A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND ENTSPRECHENDER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和这样的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045190A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066699
申请日：2012-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/20 , C23C14/06 , H01L33/22 , H01L33/32 , C30B23/06 , C30B29/40
CPC分类号： H01L33/007 , C23C14/0617 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungs form des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Aufwachssubstrats (1), - Erzeugen einer III-Nitrid-Pufferschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und - Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) über der Pufferschicht (3).
摘要翻译：在所述方法的至少一个执行的是，用于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括至少以下步骤： - 提供硅生长衬底（1）， - 通过溅射，和产生生长衬底（1）上的III族氮化物缓冲层（3） - 生长III族氮化物半导体层序列（2）具有在所述缓冲层（3）的有源层（2a）中。

8. 发明申请

WO2012031932A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体元件
公开(公告)号：WO2012031932A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/EP2011/064836
申请日：2011-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GEBUHR, Tobias , GALLMEIER, Hans-Christoph , WEIMAR, Andreas
发明人： GEBUHR, Tobias , GALLMEIER, Hans-Christoph , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/56 , H01L25/16 , H01L33/50 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/18 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/167 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01005 , H01L2924/01023 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Kontakt von elektrischen Kontakten des späteren optoelektronischen Halbleiterbauelements mit Fremdpartikeln eines Füllstoffs vermieden wird.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体器件，其中避免与填料的杂质颗粒随后光电子半导体器件的电触头的接触的方法。

9. 发明申请

WO2003038913A3 NITRID-BASIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003038913A3
公开(公告)日：2003-05-08
申请号：PCT/DE2002/004026
申请日：2002-10-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
发明人： STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Nitrid-basierendes Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper (1) mit einer darauf aufgebrachten Kontaktmetallisierung (4) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist mit einer Schutzschicht versehen, die gegebenenfalls auch Teilbereiche der Kontaktmetallisierung (4) bedeckt und die eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Ausnehmungen (5) aufweist.

10. 发明申请

WO2012116887A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LICHTAUSKOPPELSTRUKTUREN IN EINEM HALBLEITERKÖRPER UND LICHT EMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：工艺在半导体体及发光半导体主体PRODUCING LICHTAUSKOPPELSTRUKTUREN
公开(公告)号：WO2012116887A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/EP2012/052314
申请日：2012-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZINI, Lorenzo , WEIMAR, Andreas , RODE, Patrick
发明人： ZINI, Lorenzo , WEIMAR, Andreas , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Lichtauskoppelstrukturen (115) in einem Halbleiterkörper (1) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der eine zur Lichterzeugung geeignete aktive Zone (120) enthält. Auf einer Oberfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) wird eine Maskenschicht (3) hergestellt. Die Maskenschicht (3) weist eine Mehrzahl von Struktureinheiten (30) auf, deren Position und Größe reproduzierbar einstellbar und gezielt eingestellt ist. Die Konturen der Struktureinheiten (30) legen einen von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) fest. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) an dem von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) zur Ausbildung der Lichtauskoppelstrukturen (115) geätzt. Zudem wird ein Licht emittierender Halbleiterkörper (1) angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种用于在半导体主体（1）的制备Lichtauskoppelstrukturen（115）的处理。在一个方法步骤中，设置在半导体主体（1），其包含适用于光产生活性区域（120）的装置。在半导体本体的一个表面（111）（1）产生时，掩模层（3）。掩模层（3）包括多个，其位置和尺寸被再现地调整可调整的和选择性的结构单元（30）的。的结构单元（30）的轮廓限定的掩模层的一个表面（111）牢固地（3）的未覆盖部分（1111）。在进一步的方法步骤中，在半导体本体（1），所述表面（111）用于形成Lichtauskoppelstrukturen（115）的掩模层（3）的暴露部分（1111）的被蚀刻。另外，发光半导体主体（1）中指定。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式