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1. 发明申请

WO2013045181A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045181A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066459
申请日：2012-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/145 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.
摘要翻译：在所述方法的至少一个实施例是，对于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括以下步骤：提供一生长衬底（1），通过溅射，和生长III族氮化物半导体层序列制备生长衬底（1）上的III族氮化物成核层（3）（2）与活性层（2A ），其中所述生长衬底（1）（从成核层（3）的材料，和/或半导体层序列2）的材料为上或上方成核层不同（3）。

2. 发明申请

WO2013045190A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND ENTSPRECHENDER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和这样的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045190A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066699
申请日：2012-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/20 , C23C14/06 , H01L33/22 , H01L33/32 , C30B23/06 , C30B29/40
CPC分类号： H01L33/007 , C23C14/0617 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungs form des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Aufwachssubstrats (1), - Erzeugen einer III-Nitrid-Pufferschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und - Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) über der Pufferschicht (3).
摘要翻译：在所述方法的至少一个执行的是，用于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括至少以下步骤： - 提供硅生长衬底（1）， - 通过溅射，和产生生长衬底（1）上的III族氮化物缓冲层（3） - 生长III族氮化物半导体层序列（2）具有在所述缓冲层（3）的有源层（2a）中。

3. 发明申请

WO2012089540A1 VERBUNDSUBSTRAT, HALBLEITERCHIP MIT VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON VERBUNDSUBSTRATEN UND HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：复合基材，具有产生复合衬底及半导体芯片复合基材和方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2012089540A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/EP2011/073134
申请日：2011-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , C09K11/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02612 , H01L21/78 , H01L24/73 , H01L29/02 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/46 , H01L33/507 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Träger (2) und einer Nutzschicht (5) angegeben, wobei die Nutzschicht mittels einer dielektrischen Verbindungsschicht (3) an dem Träger (2) befestigt ist und der Träger (2) ein Strahlungskonversionsmaterial enthält. Weiterhin werden ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Verbundsubstrat, ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit einem Verbundsubstrat angegeben.
摘要翻译：有由（2）被固定在载体上的介电粘结层（3）和所述载体（2）包括一个辐射转换材料与支撑件（2）和耐磨层（5）提供一种复合衬底（1），与所述耐磨层。此外，半导体芯片（10）具有这样的复合衬底，一种制造复合基板的制造方法和用于制造半导体芯片的方法都标有一个复合基板。

4. 发明申请

WO2013041424A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2013041424A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/067808
申请日：2012-09-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/76254 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (12) angegeben, bei dem eine Transferschicht (2), die In x Ga 1-x N mit 0 y Ga 1-y N mit 0 x enthält, auf die zuvor aufgewachsene Transferschicht (2) aufgewachsen, Ionen in die weitere Transferschicht (7) zur Ausbildung einer Trennzone (4) implantiert, ein weiteres Trägersubstrat (8) aufgebracht, und die weitere Transferschicht (7) durch eine Temperaturbehandlung zertrennt. Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（12），其特征在于，（2）含有一个转移层的In x镓1-X N其中0 的x，生长在先前生长转印层（2）上，离子在所述另外的转移层（7）（用于形成分离区4 ）被植入，施加另一个载体基板（8），并且进一步转移层（7）由温度处理切断。随后，包含有源层（10）从所述另外的载体基板（8）进一步转移层（7）的表面背对的半导体层序列（9）生长。

5. 发明申请

WO2009068006A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009068006A3
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001957
申请日：2008-11-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
发明人： WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf der Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitern angegeben. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine Pufferschicht (21), die nominell undotiert oder zumindest teilweise n-leitend dotiert ist, eine aktive Zone (24), die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu empfangen, sowie eine zwischen der Pufferschicht und der aktiven Zone angeordnete Kontaktschicht (22) auf, die n-leitend dotiert ist. In der Kontaktschicht ist die n-Dotierstoffkonzentration größer als in der Pufferschicht. In der Halbleiterschichtenfolge ist eine Ausnehmung (3) enthalten, die sich durch die Pufferschicht hindurch erstreckt und in der ein elektrisches Kontaktmaterial (4) angeordnet ist und an die Kontaktschicht angrenzt. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, das geeignet ist, einen derartigen Halbleiterkörper herzustellen.

6. 发明申请

WO2005071763A3 DÜNNFILM-LED MIT EINER STROMAUFWEITUNGSSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2005071763A3
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/DE2005/000099
申请日：2005-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Bei einer Dünnfilm-LED mit einer aktiven Schicht (7) aus einem Nitridverbindungshalbleiter, die elektromagnetische Strahlung (19) in einer Hauptstrahlungsrichtung (15) emittiert, einer der aktiven Schicht (7) in der Hauptstrahlungsrichtung (15) nachfolgenden Stromaufweitungsschicht (9) aus einem ersten Nitridverbindungshalbleitermaterial, einer Hauptfläche (14), durch welche die in der Hauptstrahlungsrichtung (15) emittierte Strahlung ausgekoppelt wird, und einer ersten Kontaktschicht (11, 12, 13), die auf der Hauptfläche (14) angeordnet ist, ist die Querleitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht (9) durch Ausbildung eines zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erhöht. Die Ausbildung des zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erfolgt vorteilhaft durch das Einbetten mindestens einer Schicht (10) aus einem zweiten Nitridverbindungshalbleitermaterial in die Stromaufweitungsschicht (9).

7. 发明申请

WO2009039820A1 DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：薄膜换镜层和方法及其LED
公开(公告)号：WO2009039820A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001495
申请日：2008-09-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
发明人： HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED, die eine Barriereschicht (3), eine der Barriereschicht (3) nachfolgende erste Spiegelschicht (2), einen der ersten Spiegelschicht (2) nachfolgenden Schichtstapel (5), und mindestens eine dem Schichtstapel (5) nachfolgende Kontaktstruktur (6) umfasst. Der Schichtstapel (5) weist mindestens eine aktive Schicht (5a) auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Kontaktstruktur (6) ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche (4) angeordnet und weist eine Kontaktfläche (7) auf. Die erste Spiegelschicht (2) weist in einem der Kontaktfläche der Kontaktstruktur (6) gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung auf, die größer als die Kontaktfläche (7) der Kontaktstruktur (6) ist. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED.
摘要翻译：本发明涉及到一个薄膜LED，一个阻挡层（3），所述阻隔层（3）随后的第一反射镜层（2），所述第一反射层中的一个（2）随后的下列层堆（5），和所述层堆叠中的至少一个（5）接触结构（6）。层堆叠（5）具有至少发射电磁辐射的有源层（5a）中。接触结构（6）被布置在辐射出射表面（4），并且具有接触表面（7）。所述第一反光镜层（2）具有在所述接触结构（6）区的凹部相对的比所述接触表面较大的接触表面中的一个（7）的接触结构（6）。薄膜的效率的LED增加。

8. 发明申请

WO2010009690A1 STRAHLUNGEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT SCHUTZ GEGEN ELEKTROSTATISCHE ENTLADUNGEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：具有防止电气放电及对应的方法STRAHLUNGEMITTIERENDER半导体芯片
公开(公告)号：WO2010009690A1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：PCT/DE2009/000885
申请日：2009-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , STREUBEL, Klaus , KLEIN, Markus
发明人： ENGL, Karl , HAHN, Berthold , STREUBEL, Klaus , KLEIN, Markus
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/40
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) und eine zweite Halbleiterschicht (22) auf. Der aktive Bereich ist zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste Halbleiterschicht ist auf der dem Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet. Der Halbleiterkörper weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurcherstreckt. Die erste Halbleiterschicht ist elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung von der ersten Halbleiterschicht in Richtung des Trägers erstreckt. Die erste Anschlussschicht ist mit der zweiten Halbleiterschicht über eine Schutzdiode (4) elektrisch verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。半导体层序列具有提供用于产生辐射激活区（20），第一半导体层（21）和第二半导体层（22）。所述有源区设置在第一半导体层和第二半导体层之间。所述第一半导体层被设置在有源区的碱基远程侧。半导体本体具有至少一个凹部（25）延伸穿过所述活性区域。第一半导体层导电地连接至第一连接层（31），其中，在从在所述载体的方向上的第一半导体层延伸的凹部中的第一连接层。第一连接层是通过保护二极管（4）电连接到所述第二半导体层。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

9. 发明申请

WO2006128446A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT EINER KONTAKTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：带有接触结构的LED芯片
公开(公告)号：WO2006128446A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/DE2006/000954
申请日：2006-06-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas , GUENTHER, Ewald Karl Michael , EBERHARD, Franz , RICHTER, Markus , STRAUSS, Jörg
发明人： HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas , GUENTHER, Ewald Karl Michael , EBERHARD, Franz , RICHTER, Markus , STRAUSS, Jörg
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einem Lumineszenzdiodenchip mit einer Strahlungsaustrittsfläche (1) und einer Kontaktstruktur (2, 3, 4), die auf der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet ist, und ein Bondpad (4) und mehrere zur Stromaufweitung vorgesehene Kontaktstege (2, 3), die mit dem Bondpad (4) elektrisch leitend verbunden sind, umfasst, ist das Bondpad (4) in einem Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet. Der Lumineszenzdiodenchip zeichnet sich insbesondere durch eine verminderte Absorption der emittierten Strahlung (23) in der Kontaktstruktur (2, 3, 4) aus.
摘要翻译：在具有辐射出射表面（1）和一个接触结构的LED芯片（2，3，4）的辐射出射表面上的（1）被布置，并且被设置用于电流扩散接触接片的键合焊盘（4）和多个（2,3）与键合焊盘（4）导电连接包括，键合焊盘（4）被布置在所述辐射出射表面的边缘区域（1）。 LED芯片是通过减小在接触结构所发射的辐射（23）的吸收，其特征在于特别是（2，3，4）。

10. 发明申请

WO2003043092A2 OHMSCHE KONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：电阻接触的结构及方法及其
公开(公告)号：WO2003043092A2
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/DE2002/004178
申请日：2002-11-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRÜDERL, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
发明人： BRÜDERL, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L29/45
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/14 , H01L33/325 , H01L33/40
摘要： Die Erfindung beschreibt eine ohmsche Kontaktstruktur mit einer Metallisierung (14), die auf einem Halbleitermaterial (10) angeordnet ist, wobei in dem Halbleitermaterial (10) eine Kontaktschicht gebildet ist, die einen an die Metallisierung (14) grenzenden ersten Teilbereich und einen dem ersten Teilbereich nachgeordneten zweiten Teilbereich (18) aufweist. Die Kontaktschicht ist so dotiert, dass die Dotierungskonzentration (N 2 ) im ersten Teilbereich (12) größer als die Dotierungskonzentration (N 1 ) im zweiten Teilbereich (18) ist.
摘要翻译：本发明涉及的欧姆接触结构，其具有金属化14，其被设置在半导体材料10，其中在所述半导体材料10中，形成有接触层，其具有邻接的金属化14第一部分区域和所述第一部分的第二部分18的下游接触层被掺杂以杂质浓度在N2第一部分12比第二部分18是掺杂浓度N1大。

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