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    • 1. 发明申请
    • OPTICAL ELEMENTS COMPRISING MAGNETOSTRICTIVE MATERIAL
    • 包含磁性材料的光学元件
    • WO2013160008A1
    • 2013-10-31
    • PCT/EP2013/055235
    • 2013-03-14
    • CARL ZEISS SMT GMBH
    • HUBER, PeterDIER, Oliver
    • G03F7/20G02B26/08G02B27/00G02B17/06G21K1/06
    • G02F1/0128B82Y10/00G02B5/0816G02B5/0891G02B17/06G02B26/0816G02B27/0068G03F7/2008G03F7/70266G03F7/70891G03F7/7095G03F7/70958G21K1/062
    • The invention relates to an optical element (21) comprising a substrate (30) and a reflective coating (31). The reflective coating (31) has, in particular for the reflection of EUV radiation, a plurality of layer pairs having alternate layers (33a, 33b) composed of a high refractive index material and a low refractive index material, wherein at least one active layer (34) composed of a magnetostrictive material is formed within the reflective coating (31). The invention also relates to an optical element (21) having a substrate (30) and a reflective coating (31), wherein the optical element (21 ) comprises at least one first active layer comprising a material having positive magnetostriction and at least one second active layer comprising a material having negative magnetostriction, wherein the layer thicknesses and the layer materials of the active layers are chosen such that mechanical stress changes or changes in length of the active layers that are produced by a magnetic field mutually compensate for one another. The invention also relates to an optical arrangement, in particular an EUV lithography apparatus, which comprises at least one such optical element (21).
    • 本发明涉及一种包括基底(30)和反射涂层(31)的光学元件(21)。 反射涂层(31)特别是EUV辐射的反射,具有由高折射率材料和低折射率材料组成的交替层(33a,33b)的多个层对,其中至少一个有源层 在反射涂层(31)内形成由磁致伸缩材料构成的(34)。 本发明还涉及具有基底(30)和反射涂层(31)的光学元件(21),其中光学元件(21)包括至少一个第一有源层,该第一有源层包括具有正磁致伸缩的材料和至少一个第二 活性层包括具有负磁致伸缩性的材料,其中选择有源层的层厚度和层材料,使得由磁场产生的有源层的机械应力变化或长度的变化彼此相互补偿。 本发明还涉及一种光学装置,特别是EUV光刻设备,其包括至少一个这样的光学元件(21)。
    • 3. 发明申请
    • REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT, SOWIE OPTISCHES SYSTEM EINER MIKROLITHOGRAPHISCHEN PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
    • 反射光学元件,以及微光刻投射曝光设备的光学系统
    • WO2015075214A1
    • 2015-05-28
    • PCT/EP2014/075356
    • 2014-11-24
    • CARL ZEISS SMT GMBHENKISCH, HartmutPAUL, Hans-JochenSCHICKETANZ, ThomasDIER, OliverWEBER, JörnGRASSE, ChristianWINTER, RalfSTROBEL, Sebastian
    • ENKISCH, HartmutPAUL, Hans-JochenSCHICKETANZ, ThomasDIER, OliverWEBER, JörnGRASSE, ChristianWINTER, RalfSTROBEL, Sebastian
    • G03F7/20G21K1/06
    • G03F7/7015G02B5/0875G02B5/0891G03F7/70316G21K1/062
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element sowie ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Ein reflektives optisches Element weist ein Substrat (52) und ein auf diesem Substrat angeordnetes Viellagensystem (51) auf, wobei das Viellagensystem (51) eine Mehrzahl von Teilstapeln aus jeweils einer ersten Lage (54) eines ersten Materials und wenigstens einer zweiten Lage (55) eines zweiten Materials aufweist, wobei sich das erste Material und das zweite Material im Wert des Realteils des Brechungsindex bei einer Arbeitswellenlänge des reflektiven optischen Elements (50) voneinander unterscheiden, wobei jeder dieser Teilstapel (53) eine Teilstapeldicke (D i ) und ein Lagendickenverhältnis (Γ i ) aufweist, wobei das Lagendickenverhältnis (Γ i ) als Quotient der Dicke der jeweiligen ersten Lage (54) und der Teilstapeldicke (D i ) definiert ist, wobei in einem ersten Abschnitt des Viellagensystems (51) für wenigstens eine der beiden Größen Teilstapeldicke (D i ) und Lagendickenverhältnis (Γ i ) die mittlere quadratische Abweichung vom jeweiligen Mittelwert um wenigstens 10% kleiner ist als in einem zweiten Abschnitt des Viellagensystems (51); und wobei das reflektive optische Element (50) eine Reflektivität (R) aufweist, deren Wellenlängenabhängigkeit in einem Wellenlängenintervall von Δλ = 0.5nm einen PV-Wert kleiner als 0.25 besitzt, wobei der PV-Wert definiert ist als PV = (R max_rel - R min_rel )/R max_abs , wobei R max_rel den maximalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ, R min_rel den minimalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ und R max_abs den absolut maximalen Reflektivitätswert bezeichnen.
    • 本发明涉及一种反射光学元件和微光刻投射曝光设备的光学系统。 一种反射光学元件包括基底(52)和设置在阀所述衬底的多层系统(51),所述多层系统(51)包括多个亚电池堆的每个包括第一材料的第一层(54)和至少一个第二层(55 )第二材料,其中所述第一材料和在所述反射光学元件的工作波长的折射率的实数部分的值的第二材料(50)彼此不同,每个所述子叠层(53)(一个局部堆叠厚度(DI)和一个层厚度比 γI),其中所述片材厚度之比(γI)被定义为相应的第一层(54)和部件层叠厚度(DI),的厚度的比率,其中在所述多层系统(51),用于所述两个尺寸部分堆叠厚度中的至少一个的第一部分(DI) 和位置厚度比(γI),根均从各自的均方差的至少10%是小 比在多层系统(51)的第二部分; 并且其中,所述反射光学元件(50)具有一个反射率(R),其波长依赖性在波长间隔Δλ= 0.5nm的PV值具有小于0.25,其中,所述PV值被定义为PV =(Rmax_rel - Rmin_rel) / Rmax_abs其中Rmax_rel在该波长间隔Δλ,Rmin_rel最大反射率表示在该波长间隔Δλ最小反射率和Rmax_abs绝对最大反射率。
    • 5. 发明申请
    • OPTICAL SYSTEM, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
    • 光学系统,特别是用于微型投影曝光设备
    • WO2018007081A1
    • 2018-01-11
    • PCT/EP2017/063715
    • 2017-06-06
    • CARL ZEISS SMT GMBHENKISCH, HartmutSCHICKETANZ, ThomasKALISKY, MatusDIER, Oliver
    • ENKISCH, HartmutSCHICKETANZ, ThomasKALISKY, MatusDIER, Oliver
    • G03F7/20G21K1/06
    • The invention relates to an optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus, with at least one mirror (200) which has an optically effective surface and, for electromagnetic radiation of a predefined operating wavelength impinging on the optically effective surface at an angle of incidence of at least 65° relative to the respective surface normal, has a reflectivity of at least 0.5, wherein the mirror has a reflection layer (210) and a compensation layer (220) which is arranged above this reflection layer (210) in the direction of the optically effective surface, wherein the compensation layer (220), for an intensity distribution generated in a pupil plane or a field plane of the optical system during operation thereof, reduces the difference between the maximum and the minimum intensity value by at least 20% compared to an analogous structure without the compensation layer (220).
    • 本发明涉及一种光学系统,特别是用于微光刻投影曝光装置的光学系统,其具有至少一个反射镜(200),该反射镜具有光学有效表面,并且对于预定工作波长入射的电磁辐射 以至少65°的入射角在光学有效表面上; 相对于相应的表面法线具有至少0.5的反射率,其中该反射镜具有反射层(210)和补偿层(220),该补偿层布置在该反射层(210)上方的光学有效表面 ,其中对于在其操作期间在光学系统的光瞳平面或场平面中产生的强度分布,补偿层(220)将最大强度值与最小强度值之间的差减小至少20%,与类似 结构没有补偿层(220)。
    • 6. 发明申请
    • EUV-SPIEGEL UND OPTISCHES SYSTEM MIT EUV-SPIEGEL
    • EUV镜子和带镜子的EUV光学系统
    • WO2015107116A1
    • 2015-07-23
    • PCT/EP2015/050687
    • 2015-01-15
    • CARL ZEISS SMT GMBH
    • SCHICKETANZ, ThomasDIER, OliverSTROBEL, SebastianWINTER, Ralf
    • G02B5/08G21K1/06
    • G02B5/0891G02B5/0816G02B5/0875G21K1/062
    • Ein EUV-Spiegel umfasst ein Substrat (SUB) und eine auf dem Substrat aufgebrachte Mehrlagen-Schichtanordnung (ML), die für Strahlung einer Wellenlänge λ aus dem extremen Ultraviolettbereich (EUV) reflektierend wirkt und eine Vielzahl von Schichtpaaren mit abwechselnden Schichten aus einem hoch brechenden Schichtmaterial und einem niedrig brechenden Schichtmaterial umfasst, wobei das hoch brechende Schichtmaterial bei der Wellenlänge einen größeren Realteil des Brechungsindex aufweist als das niedrig brechende Schichtmaterial. Die Mehrlagen-Schichtanordnung weist eine für die Strahlung reflektierend wirkende erste Schichtgruppe (LG1) mit zehn oder mehr von ersten Schichtpaaren auf, wobei jedes erste Schichtpaar eine erste Schicht (H) aus einem hoch brechenden ersten Schichtmaterial mit einer ersten Schichtdicke, eine zweite Schicht (L) aus einemniedrig brechenden zweiten Schichtmaterial mit einer zweiten Schichtdicke sowie eine Periodendicke (P) aufweist, die der Summe der Schicht- dicken aller Schichten eines ersten Schichtpaares entspricht. Die Schichtdicken eines der Schichtmaterialien sind in Abhängigkeit von der Periodennummer durch eine einfach monotone erste Schichtdickenverlaufsfunktion definierbar, z.B. durch eine lineare, quadratische oder ex-ponentielle Schichtdickenverlaufsfunktion. Die Schichtdicken des anderen der Schichtmaterialien variieren in Abhängigkeit von der Periodennummer gemäß einer zweiten Schichtdickenverlaufsfunktion.
    • EUV反射镜包括基底(SUB),并施加到用于从所述极紫外范围(EUV)的波长λ的辐射作用反射基板多层涂层组件(ML)的涂层,并用高折射率的交替层的多对层中的 层材料和低折射率层包含材料,其特征在于,具有比所述低折射率层的材料的折射率的较大实部的波长的高折射率层的材料。 该多层薄膜组件具有用于辐射第一层组(LG1)具有十个或更多个第一层对,构成的反射作用,其中每个第一对层中,第一层(H)的高折射第一层材料的具有第一厚度,第二层( 具有第二层厚度,以及一个周期厚度(P)的第一层对对应的所有层的层厚度之和低折射第二层材料的L)。 该层的材料的层厚度可以通过简单的单调第一层厚度分布函数在时间段数,例如依赖被定义 由线性的,二次的,或者前ponentielle层厚度分布的功能。 其他层的材料的层厚度取决于周期数按照第二层厚度分布的功能。
    • 7. 发明申请
    • OPTISCHES ELEMENT UND OPTISCHE ANORDNUNG DAMIT
    • 光学元件及其光学安装
    • WO2017186439A1
    • 2017-11-02
    • PCT/EP2017/057277
    • 2017-03-28
    • CARL ZEISS SMT GMBH
    • GRASSE, ChristianDIER, OliverWEBER, JörnWINTER, Ralf
    • G02B1/16G21K1/06G02B5/08G03F7/20
    • Die Erfindung betrifft ein optisches Element (14), insbesondere für die EUV-Lithographie, umfassend: ein Substrat (15), eine auf das Substrat (15) aufgebrachte reflektierende Beschichtung (16), sowie eine sich zwischen dem Substrat (15) und der reflektierenden Beschichtung (16) erstreckende elektrisch leitende Beschichtung (19), die mindestens eine erste, unter Zugspannung stehende Schicht (22a) und mindestens eine zweite, unter Druckspannung stehende Schicht (22b) aufweist. Die elektrisch leitende Beschichtung (19) weist mindestens einen Abschnitt (20) auf, der sich an dem Substrat (15) seitlich über die reflektierende Beschichtung (16) hinaus erstreckt. Die Erfindung betrifft auch eine optische Anordnung, insbesondere ein EUV-Lithographiesystem, mit mindestens einem solchen optischen Element (14).
    • 本发明涉及一种尤其用于EUV光刻的光学元件(14),包括:衬底(15),施加到衬底(15)的反射涂层(16),以及 在基底(15)和反射涂层(16)之间延伸的导电涂层(19),其包括至少第一张紧层(22a)和至少第二压缩应力层(22b)。 导电涂层(19)具有至少一个横向延伸超过衬底(15)上的反射涂层(16)的部分(20)。 本发明还涉及一种光学装置,特别是EUV光刻系统,其具有至少一个这样的光学元件(14)
    • 8. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SPIEGELS, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
    • 制造方法MIRROR,尤其是对于微光刻投射曝光设备
    • WO2017009014A1
    • 2017-01-19
    • PCT/EP2016/064385
    • 2016-06-22
    • CARL ZEISS SMT GMBHDIER, OliverGRASSE, ChristianWEBER, JörnSIX, Stephan
    • DIER, OliverGRASSE, ChristianWEBER, JörnSIX, Stephan
    • G03F7/20G21K1/06
    • G03F7/70316G03F7/70958G21K1/062
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Spiegels sowie einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren wird in einer Beschichtungsanlage ein Spiegelsubstrat durch Aufbringen eines vorgegebenen Schichtaufbaus zur Erzielung eines vorgegebenen Soll-Schichtdickenprofils des Spiegels beschichtet, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Virtuelles Unterteilen des vorgegebenen Schichtaufbaus in wenigstens zwei Schichtsysteme (610, 710, 620, 720, 730), und Beschichten des Spiegelsubstrats (605, 705) durch Aufbringen der wenigstens zwei Schichtsysteme unter Vorgabe unterschiedlicher Einzel-Soll-Schichtdickenprofile für diese Schichtsysteme, wobei diese Einzel-Soll-Schichtdickenprofile so gewählt werden, dass sich die jeweiligen Abweichungen der Einzel-Soll-Schichtdickenprofile von dem vorgegebenen Soll-Schichtdickenprofil in ihrem Beitrag zur Wellenfrontwirkung des Spiegels wenigstens teilweise kompensieren.
    • 本发明涉及一种制造反射镜和反射镜,特别是用于微光刻投射曝光设备的方法。 710,620,720虚拟分割所述规定层结构在至少两个层系统(610:在涂布系统中的本发明的方法中,反射镜衬底是通过施加预定的层结构,用于实现所述反射镜的预定的期望层厚度分布涂覆,所述方法包括以下步骤 ,730),以及镜基板(605的涂层,705),通过不同的各个目标层厚度分布对于这些层系统,其中,这些单独的目标层厚度分布被选择为使得规范应用所述至少两层系统中的单个的各自的偏差 期望层厚度分布从预定的期望层厚度分布在其对波阵面的镜面效果的贡献至少部分地补偿。
    • 9. 发明申请
    • SURFACE CORRECTION OF MIRRORS WITH DECOUPLING COATING
    • 倒装涂层反光镜的表面校正
    • WO2014206736A1
    • 2014-12-31
    • PCT/EP2014/062132
    • 2014-06-11
    • CARL ZEISS SMT GMBH
    • DIER, OliverHACKL, TobiasSTICKEL, Franz-JosefLÖRING, UlrichAßMUS, TilmannMÜLLER, JürgenKAMENOV, VladimirRENNON, Siegfried
    • G02B5/08G21K1/06
    • G03F7/702G02B5/0816G02B5/0891G02B27/0025G03F7/70308G03F7/70316G03F7/706G03F7/70975G21K1/062H05G2/005
    • The invention relates to a mirror (1) for EUV lithography, comprising a substrate (2) and a reflective coating (3, 4), wherein the reflective coating comprises a first group (3) of layers (3a, 3b) and a second group (4) of layers (4a, 4b), wherein the first group (3) and second group (4) of layers (3a, 3b; 4a, 4b) are designed in each case for reflecting radiation having a used wavelength in the range of between 5 nm and 30 nm, wherein the first group (3) of layers (3a, 3b) is arranged between the substrate (2) and the second group (4) of layers (4a, 4b), and wherein a decoupling coating (6) is arranged between the first group (3) and second group (4) of layers (3a, 3b, 4a, 4b), said decoupling coating being designed for optically decoupling the second group (4) of layers (4a, 4b) from the first group (3) of layers (3a, 3b) by preventing the radiation having the used wavelength from reaching the first group (3) of layers (3a, 3b). The reflective coating (3, 4) preferably has a correction layer (5) having a layer thickness variation for correcting the surface form of the mirror (1). The invention also relates to a projection optical unit and an optical system for EUV lithography comprising at least one such mirror, a method for correcting the surface form of such a mirror, and methods for correcting the imaging properties of such a projection optical unit.
    • 本发明涉及一种用于EUV光刻的反射镜(1),其包括基底(2)和反射涂层(3,4),其中所述反射涂层包括第一组(3)层(3a,3b) 组(4)层(4a,4b),其中在每种情况下设计层(3a,3b; 4a,4b)的第一组(3)和第二组(4),用于将具有使用波长的辐射反射在 范围在5nm和30nm之间,其中层(3a,3b)的第一组(3)布置在基板(2)和层(4a,4b)的第二组(4)之间,并且其中去耦 涂层(6)布置在层(3a,3b,4a,4b)的第一组(3)和第二组(4)之间,所述去耦涂层被设计用于光学地将第二组(4)的层(4a, 4b)从层(3a,3b)的第一组(3)通过防止具有使用波长的辐射到达层(3a,3b)的第一组(3)。 反射涂层(3,4)优选具有用于校正反射镜(1)的表面形状的层厚度变化的校正层(5)。 本发明还涉及用于EUV光刻的投影光学单元和光学系统,其包括至少一个这种反射镜,用于校正这种反射镜的表面形状的方法以及用于校正这种投影光学单元的成像特性的方法。