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    • 2. 发明申请
    • BELEUCHTUNGSSYSTEM FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHIE-PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
    • 照明系统,微光刻投射曝光系统
    • WO2008022680A1
    • 2008-02-28
    • PCT/EP2007/006463
    • 2007-07-20
    • CARL ZEISS SMT AGGRUNER, ToralfTOTZECK, Michael
    • GRUNER, ToralfTOTZECK, Michael
    • G03F7/20H05H7/04
    • G03F7/70566B82Y10/00G03F7/70008G21K2201/061H05G2/00
    • Ein Beleuchtungssystem (6) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (1) hat eine EUV-Lichtquelle (7), die einen Ausgabestrahl (13) linear polarisierten EUV-Beleuchtungslichts erzeugt. Eine Beleuchtungsoptik (24, 25, 31, 37) führt den Ausgabestrahl (13) längs einer optischen Achse (20), wodurch ein Beleuchtungsfeld in einer Retikelebene (2) mit dem Ausgabestrahl (13) beleuchtet wird. Eine mindestens die EUV-Lichtquelle (7) umfassende Beleuchtungs-Untereinheit (7) des Beleuchtungssystems (6) hat eine Polarisations-Einstelleinrichtung (15, 18) zur Vorgabe einer definierten Polarisation des EUV-Ausgabestrahls (13) der Beleuchtungs-Untereinheit (7). Es resultiert ein Beleuchtungssystem, das flexibel an Polarisationsanforderungen der Anlage sowie der auf das Substrat bzw. den Wafer zu projizierenden Struktur angepasst werden kann.
    • 用于微光刻投射曝光设备(1)的照明系统(6)生成(7),其具有输出光束(13)的线偏振光EUV照明光的EUV光源。 的照明光学部件(24,25,31,37)开沿着光轴(20),由此在掩模母版平面(2)的照明场由所述输出光束(13)照射的输出光束(13)。 至少所述EUV光源(7)包括照射子单元(7)的照明系统(6)具有用于设置一个限定的照明子单元的EUV发射光束(13)的偏振的偏振调整装置(15,18)(7) , 结果是该系统的偏振要求的照明系统,并且可以被适配为在基板或晶片结构要投影灵活。
    • 5. 发明申请
    • PROJEKTIONSOBJEKTIV SOWIE VERFAHREN ZUM AUSWÄHLEN VON OPTISCHEN MATERIALIEN IN EINEM DERARTIGEN OBJEKTIV
    • 投影镜头和方法,这样的镜头选择光材料
    • WO2004111690A1
    • 2004-12-23
    • PCT/EP2003/006402
    • 2003-06-18
    • CARL ZEISS SMT AGGERHARD, MichaelENKISCH, BirgitGRUNER, Toralf
    • GERHARD, MichaelENKISCH, BirgitGRUNER, Toralf
    • G02B1/02
    • G02B17/0892G02B13/143G02B17/08G03F7/70225G03F7/70958G03F7/70966
    • Ein Projektionsobjektiv (10) für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage umfasst mehrere Gruppen aufeinanderfolgender optischer Elemente. In wenigstens einer Gruppe sind wenigstens ein erstes optisches Element aus einem Erdalkalimetall-Fluorid-Reinkristall und wenigstens ein zweites optisches Element aus einem Erdalkalimetall-Fluorid-­Mischkristall, das wenigstens zwei verschiedene Erdalkalimetalle enthält, angeordnet. Alle optischen Elemente aus einem Erdalkalimetall-Fluorid-Mischkristall und vorzugsweise keines der optischen Elemente aus einem Erdalkalimetall-Fluorid-Reinkristall erfüllen dabei die Bedingung m i = GPL i * DB (θ i ) ≥ S. Die Grösse m i ist ein jedem optischen Element L i zugeordneter Verzögerungsparameter, GPL i die geometrische Weglänge eines unter maximalem Öffnungswinkel auf das optische Element L i auftreffenden Aperturstrahls (28), θ i der Öffnungswinkel zwischen dem Aperturstrahl (28) und der optischen Achse (26) des optischen Elements L i , DB(θ i ) ein Mass für die Doppelbrechung des optischen Elements L i , das von dem Material und der Kristallorientierung des optischen Elements L i unabhängig ist, und S ein für alle optischen Elemente L i einheitlicher Schwellenwert. Das Projektionsobjektiv weist eine geringe Doppelbrechung auf und ist kostengünstiger, als wenn alle optischen Elemente aus teuren Mischkristallen beständen.
    • 用于微光刻投影曝光设备的投影透镜(10)包括多个连续的光学元件的组。 在至少一个基团是至少一种碱土金属氟化物结晶的第一光学元件和至少由含有至少两种不同的碱土金属碱土氟化物固溶体布置的第二光学元件。 的碱土氟化物固体溶液和优选没有碱土金属氟化物晶体的光学元件的所有光学元件满足该条件MI = GPLi * DB(thetai)> = S的大小MI是每个光学元件栗相关联的延迟参数 ,GPLi入射在最大打开角度的光学构件栗孔径射线(28)的几何路径,thetai孔射线(28)和光学构件的光轴(26)之间的打开角度栗,DB(thetai)的双折射的测量 光学部件的Li,是独立于所述光学部件Li的材料和晶体取向的,和S,一个,通用于所有光学元件李阈值。 投影透镜具有低的双折射,是便宜比如果昂贵混晶种群的所有光学元件。
    • 6. 发明申请
    • PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
    • 投射曝光系统,
    • WO2004107054A2
    • 2004-12-09
    • PCT/EP2004/002309
    • 2004-03-06
    • CARL ZEISS SMT AGDITTMANN, OlafGRUNER, Toralf
    • DITTMANN, OlafGRUNER, Toralf
    • G03F7/20
    • G03F7/70308G03F7/70966
    • Eine insbesondere für die Mikro-Lithographie ausgeführte Projektionsbelichtungsanlage weist eine Projektionsoptik auf, die mindestens ein doppelbrechendes optisches Element umfasst. Mit der Projektionsoptik wird ein Projektionsstrahlenbündel von einer Objektebene in eine Bildebene abgebildet. Die optischen Komponenten der Projektionsoptik sind derart zueinander angeordnet und/oder eingerichtet, dass sich für die jedem Feldpunkt zugeordneten Abbildungsstrahlen durch die gemeinsame optische Wirkung (1) der optischen Elemente ein von null verschiedener näherungsweiser konstanter Betrag der Doppelbrechung über den Bündelquerschnitt des Projektionslichtbündels ergibt. Dies stellt eine einfacher zu realisierende Optimierungsvorschrift als eine Kompensation der Doppelbrechung auf Null dar.
    • 特别是用于微光刻执行的投射曝光设备具有包括至少一个折射光学元件的投影光学系统。 与投影光学系统,从物体平面上的投影光束在成像面成像。 的投影光学装置的光学元件被布置成彼此和/或适用于通过公共光学效应被分配用于每个场点的成像光束在非零光学元件结果与双折射的在投影光束的束横截面恒定量近似的(1)。 这提供了一种简单,实现最优化的规则显示为双折射的零补偿。
    • 8. 发明申请
    • LINSE AUS KRISTALLMATERIAL
    • LENS晶体材料
    • WO2003096124A1
    • 2003-11-20
    • PCT/EP2002/012690
    • 2002-11-13
    • CARL ZEISS SMT AGENKISCH, BirgitENKISCH, HartmutGRUNER, Toralf
    • ENKISCH, BirgitENKISCH, HartmutGRUNER, Toralf
    • G03F7/20
    • G03F7/70966B24B13/00G02B1/02G02B3/00
    • Verfahren zur Herstellung eines optischen Rohlings (1) aus einem Kristallmaterial als Vorstufe zur Herstellung einer Linse oder eines Linsenteils für ein Objektiv, insbesondere ein Projektionsobjektiv für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage. Bei dem Verfahren wird zunächst die Orientierung einer definiert innerhalb der Kristallstruktur orientierten ersten Kristallrichtung (3) bestimmt. Dann wird der optische Rohling (1) derart bearbeitet, dass die erste Kristallrichtung (3) im wesentlichen senkrecht auf einer optischen Roh-Fläche (7) des optischen Rohlings (1) steht. Dann wird eine Markierung auf dem optischen Rohling (1) oder auf einer Haltefassung des optischen Rohlings (1) aufgebracht, welche in einem definierten Zusammenhang zu einer zweiten Kristallrichtung (11) steht, welche einen von Null verschiedenen Winkel zur ersten Kristallrichtung (3) einnimmt.
    • 一种用于制造由液晶材料的作为前体的光学预型件(1),用于制造透镜或透镜用于微光刻投影曝光装置的透镜部,特别是投射物镜方法。 在该过程中所述第一晶体方向(3)内取向的明确的晶体结构的取向,首先确定。 然后,光学坯料(1)以这样的方式被加工,所述第一晶体方向(3)基本上垂直于光轴的原始表面(7)的光学预型件(1)。 然后,将光学预型件上的标记(1)或光学坯料(1)的保持架被施加,这是在到第二结晶方向(11),它占据一个非零角度与第一晶体方向的定义的关系(3)上 ,
    • 9. 发明申请
    • OPTICAL SYSTEM, IN PARTICULAR ILLUMINATION DEVICE OR PROJECTION OBJECTIVE OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
    • 光学系统,特别是照明设备或投影微波投影曝光装置的目标
    • WO2008119794A1
    • 2008-10-09
    • PCT/EP2008/053847
    • 2008-03-31
    • CARL ZEISS SMT AGTOTZECK, MichaelGRUNER, ToralfFIOLKA, Damian
    • TOTZECK, MichaelGRUNER, ToralfFIOLKA, Damian
    • G03F7/20
    • G03F7/70566
    • The invention relates to an optical system, in particular an illumination device or a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus, comprising a polarization compensator (100, 200, 300, 400, 800, 900), which has at least one polarization-modifying partial element (110-140, 210-240, 310-340, 410-440, 810-840, 910-940), and a manipulator (150, 250, 722, 851-854, 951a-954a, 951b-954b), by means of which the position of the at least one partial element can be altered, wherein, in the optical system, at least one operating mode (501-504) can be set in which the intensity, over a region which belongs to a plane perpendicular to the optical axis (OA) and which can be illuminated with light from said light source, does not exceed 20% of the maximum intensity in said plane, and wherein the manipulator (150, 250, 722, 851-854, 951a-954a, 951b-954b) is arranged in said region.
    • 本发明涉及光学系统,特别是微光刻投影曝光装置的照明装置或投影物镜,该光学装置或投影物镜包括极化补偿器(100,200,300,400,800,900),其具有至少一个偏振修正 部分元件(110-140,210-240,310-340,410-440,810-840,910-940)和操纵器(150,250,722,851-854,951a-954a,951b-954b) ,借助于此可以改变至少一个部分元件的位置,其中在光学系统中,可以设置至少一个操作模式(501-504),其中强度在属于 垂直于光轴(OA)的并且可以用来自所述光源的光照射的平面不超过所述平面中最大强度的20%,并且其中所述操纵器(150,250,722,851-854,951a -954a,951b-954b)布置在所述区域中。