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1. 发明申请

WO2006008410A1 ASSEMBLAGE PAR ADHESION MOLECULAIRE DE DEUX SUBSTRATS, L'UN AU MOINS SUPPORTANT UN FILM CONDUCTEUR ELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：通过分子粘合装配两个基板，两个支持电导体膜之一
公开(公告)号：WO2006008410A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/FR2005/050521
申请日：2005-06-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , FEUILLET, Guy , POCAS, Stéphane
发明人： MORICEAU, Hubert , FEUILLET, Guy , POCAS, Stéphane
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/18
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L2224/04026 , H01L2224/05009 , H01L2224/29082 , H01L2224/29117 , H01L2224/29138 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/83193 , H01L2224/83801 , H01L2224/8381 , H01L2224/8383 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/10329 , Y10T156/10 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire d'un premier substrat et d'un deuxième substrat selon des faces de contact, la face de contact du premier substrat présentant une couche électriquement conductrice sur au moins une partie de sa surface, le procédé comprenant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche de liaison sur au moins une partie de la couche électriquement conductrice, ladite couche de liaison étant apte à assurer une adhésion moléculaire avec une zone de la face de contact du deuxième substrat et apte à se combiner avec la couche électriquement conductrice pour former un alliage conducteur, - mise en contact et collage par adhésion moléculaire de la couche de liaison du premier substrat avec la zone de la face de contact du deuxième substrat, - transformation, sur tout ou partie de son épaisseur, de tout ou partie de la couche électriquement conductrice avec tout ou partie de la couche de liaison et avec au moins une partie de l'épaisseur de la zone de la face de contact sur tout ou partie de la surface du deuxième substrat pour former une zone d'alliage(s) conducteur(s).
摘要翻译：本发明涉及一种通过分子粘合沿接触面组装第一衬底和第二衬底的方法，第一衬底的接触面在其表面的至少一部分上具有导电层。本发明的方法包括以下步骤：在导电层的至少一部分上沉积连接层，所述连接层能够确保与第二基底的接触面的区域的分子粘附并能够与导电层以形成导电合金; 将第一基板的连接层与第二基板的接触面的区域接触，并通过分子粘合将其接合; 在其全部或一部分宽度上，全部或部分导电层与全部或部分连接层进行转换，接触面的面积的至少一部分宽度在表面的全部或部分上以形成导电合金区域。

2. 发明申请

WO2006008411A1 ASSEMBLAGE PAR ADHESION MOLECULAIRE DE DEUX SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：通过分子粘合装配两个基体
公开(公告)号：WO2006008411A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/FR2005/050522
申请日：2005-06-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FEUILLET, Guy , MORICEAU, Hubert , POCAS, Stéphane , JALAGUIER, Eric , MOUSSY, Norbert
发明人： FEUILLET, Guy , MORICEAU, Hubert , POCAS, Stéphane , JALAGUIER, Eric , MOUSSY, Norbert
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L24/83 , H01L27/14634 , H01L33/0079 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/07811 , Y10T29/49126 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage pour permettre des liaisons électriques localisées entre des zones situées sur une face d'un premier substrat et des zones correspondantes situées sur une face d'un deuxième substrat, lesdites faces étant situées en regard l'une de l'autre, au moins l'un des substrats présentant une topographie de surface, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à : - former une couche intermédiaire comprenant au moins une couche d'enfouissement sur la face du substrat ou des substrats présentant une topographie de surface pour la (les) rendre compatible(s) d'un point de vue topographique avec le collage moléculaire desdites faces des substrats l'une à l'autre, la résistivité et/ou l'épaisseur de la couche intermédiaire étant choisies pour permettre lesdites liaisons électriques localisées, - mettre en contact les deux faces, les substrats étant positionnés de façon à pouvoir assurer les liaisons électriques entre les zones situées sur le premier substrat et les zones correspondantes situées sur le deuxième substrat, - coller par adhésion moléculaire les faces du premier et du deuxième substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种用于实现位于第一基板的表面上的区域和位于第二基板的表面上的对应区域之间的局部电连接的组装方法，所述面朝向彼此，并且至少一个基板具有表面形貌。该方法的特征在于包括以下步骤：在衬底的表面或具有表面形貌的衬底上形成包含至少一个掩埋层的中间层，以使其/它们在表面上与这些的分子键衬底彼此相对的面，中间层的电阻率和/或厚度被选择用于实现所述局部电连接; 将两个面放置在接触状态，基板的定位方式使得它们能够确保位于第一基板上的区域与位于第二基板上的相应区域之间的电连接; 通过分子粘附键合第一和第二基底的表面。

3. 发明申请

WO2005064657A1 PROCEDE DE SCELLEMENT DE DEUX PLAQUES AVEC FORMATION D'UN CONTACT OHMIQUE ENTRE CELLES-CI 审中-公开
标题翻译：密封两片板与OHMIC接触的方法
公开(公告)号：WO2005064657A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/FR2004/050742
申请日：2004-12-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , POCAS, Stéphane , MORICEAU, Hubert , MICHAUD, Jean-François
发明人： POCAS, Stéphane , MORICEAU, Hubert , MICHAUD, Jean-François
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/26506 , H01L21/266
摘要： L'invention concerne un procédé de scellement de deux plaques (2, 12) de matériaux semi-conducteurs, comportant : une étape d'implantation d'espèces métalliques (4) dans au moins la première plaque ; une étape d'assemblage de la première et de la deuxième plaque ; une étape de recuit.
摘要翻译：本发明涉及一种密封由半导体材料制成的两块板（2,12）的方法。本发明的方法包括以下步骤：将至少第一板中的金属物质（4）注入; 组装第一和第二板; 并进行退火。

4. 发明申请

WO2011092401A2 PROCEDE DE REALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE AVEC PREPARATION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN SILICIUM CRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：生产光伏电池的方法，包括制备晶体硅衬底的表面
公开(公告)号：WO2011092401A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/FR2011/000049
申请日：2011-01-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
发明人： MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L31/02363 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： Un procédé de réalisation d'au moins une cellule photovoltaïque comprend successivement la gravure anisotrope d'une surface (1a) d'un substrat (1) en silicium cristallin et le traitement par gravure isotrope de ladite surface (1a). Le traitement par gravure isotrope comprend au moins deux opérations successives consistant respectivement à former un film mince (11) en oxyde de silicium d'une épaisseur moyenne contrôlée, comprise entre 10nm et 500nm et à retirer ledit film mince ainsi formé. L'opération consistant à former un film mince (11) en oxyde de silicium à la face (1a) du substrat (1) est réalisée par une oxydation par voie sèche activée thermiquement. Un tel procédé permet d'améliorer l'état de surface de la surface (1a) du substrat (1) une fois celle-ci gravée de manière anisotrope.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生至少一个光伏电池的方法，其连续地包括各向异性地蚀刻晶体硅衬底（1）的表面（1a）并通过各向同性蚀刻来处理所述表面（1a）。通过各向同性蚀刻进行的处理包括分别涉及形成氧化硅薄膜（11）的至少两个连续的操作，其具有调节的平均厚度在10nm和500nm之间，以及去除所述如此形成的薄膜。涉及在基板（1）的表面（1a）上形成氧化硅薄膜（11）的操作通过热活化干法氧化进行。这种方法使得可以改进基板（1）的表面（1a）的表面状态，一旦各向异性蚀刻。

5. 发明申请

WO2006070160A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 审中-公开
标题翻译：用于调整由两板组装获得的结构的方法
公开(公告)号：WO2006070160A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051128
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TRACIT TECHNOLOGIES , ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： L'invention concerne un procédé de détourage d'une structure obtenue par fixation d'une première plaque sur une deuxième plaque selon des faces de contact et amincissement de la première plaque, au moins l'une d'entre la première plaque et la deuxième plaque étant chanfreinée et exposant ainsi le bord de la face de contact de la première plaque, le détourage concernant la première plaque. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) sélection de la deuxième plaque parmi des plaques présentant une résistance à l'attaque chimique prévue à l'étape b) suffisante par rapport à la première plaque pour permettre la réalisation de l'étape b) ; b) après fixation de la première plaque sur la deuxième plaque, attaque chimique du bord de la première plaque de façon à former dans la première plaque un piédestal reposant entièrement sur la face de contact de la deuxième plaque et supportant le reste de la première plaque ; c) amincissement de la première plaque jusqu'à atteindre et entamer le piédestal pour fournir une partie amincie de la première plaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整通过将第一板固定在接触面上的第二板上并使第一板变薄而获得的结构的方法，所述第一板和第二板中的至少一个被倒角并因此使接触边缘暴露面对第一块板块，表示修剪关于第一块板。该方法包括以下步骤：a）从具有对步骤b）中计划的化学侵蚀的抗性的那些板中选择第二板，其足以与第一板相关以允许步骤b）进行，b）之后将第一板固定到第二板上，执行第一板的边缘的化学侵蚀，以便在第一板上形成基座，其完全搁置在第二板的接触面上并且支撑第一板的其余部分， c）第一板的变薄以便刚刚到达和分解成基座，以提供第一板的变薄的部分。

6. 发明申请

WO2008148882A3 METHOD FOR PRODUCING HYBRID COMPONENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2008148882A3
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/EP2008/057110
申请日：2008-06-06
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： The invention concerns a method for producing a hybrid substrate, comprising a support substrate (40), a continuous buried insulator layer (42) and, on this layer, a hybrid layer (26) comprising alternating zones of a first material (26) and at least one second material (32), wherein these two materials are different by their nature and/or their crystallographic characteristics, said method comprising: the formation of a hybrid layer (26), comprising alternating zones of first and second materials, on a homogeneous substrate (22), an intermediate step of assembly of the free surface of the hybrid layer, or of a dielectric fromed on this surface, with a buffer substrate, the assembly of this hybrid layer, the continuous insulator layer (42) and the support substrate (40), the elimination of a part at least of the homogeneous substrate (40), before or after the assembly step.

7. 发明申请

WO2005057637A2 COLLAGE MOLECULAIRE DE COMPOSANTS MICROELECTRONIQUES SUR UN FILM POLYMERE 审中-公开
标题翻译：微电子组件与聚合物膜分子结合的方法
公开(公告)号：WO2005057637A2
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/FR2004/050656
申请日：2004-12-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , DI CIOCCIO, Léa
发明人： MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , DI CIOCCIO, Léa
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L25/50 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/8001 , H01L2224/80012 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2924/0002
摘要： Un procédé d'adhésion moléculaire directe d'un composant électronique (6) sur un polymère (4) est décrit. Le polymère (4) est recouvert d'une couche de liaison (5), par exemple en oxyde de silicium, qui permet de s'affranchir des problèmes occasionnés par la présence d'hydrocarbures. Le procédé permet la fabrication de structures tridimensionnelles (10) exempte de colle.
摘要翻译：本发明涉及一种将电子部件（6）直接分子粘合到聚合物（4）上的方法。根据本发明，聚合物（4）被例如氧化硅的接合层（5）覆盖，这消除了由烃的存在引起的问题。本发明的方法可用于生产没有胶水的三维结构（10）。

8. 发明申请

WO2005004233A1 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UN SUBSTRAT SUPPORT ET UNE COUCHE ULTRAMINCE 审中-公开
标题翻译：获得支撑衬底和超薄层的结构的方法
公开(公告)号：WO2005004233A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/FR2004/001369
申请日：2004-06-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoît , GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
发明人： AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoît , GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention d'une structure comprenant au moins un substrat support (3), une couche ultramince issue d'un substrat source (1) notamment en matériau semi-conducteur et éventuellement une couche intercalaire et comprenant les étapes consistant à : a) coller par adhésion moléculaire un substrat support (3) sur la face avant (10) d'un substrat source (1) qui présente une zone de fragilisation (12) délimitant une couche utile (13) à transférer dont l'épaisseur est notablement plus grande que celle de ladite couche ultramince (130), b) détacher ledit substrat support (3) du reste (14) du substrat source (1), le long de ladite zone de fragilisation (12), de façon à obtenir une structure intermédiaire comprenant au moins ladite couche utile (13) transférée et ledit substrat support (3), c) procéder à l'amincissement de ladite couche utile (13) transférée jusqu'à obtenir ladite couche ultra mince.Application à la fabrication de substrats dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于获得具有至少一个支撑衬底（3）的结构的方法，由源衬底（1）制成的超薄层，特别是由半导体材料制成并且可选地具有插入层。本发明的方法包括以下步骤：a）通过分子粘合将支撑衬底（3）粘附到具有限定有用层的脆性区域（12）的源衬底（1）的正面（10） 13），其宽度明显大于所述超薄层（130）的宽度; b）沿着所述脆化区域（12）将所述支撑衬底（3）从所述源衬底（1）的其余部分（14）移除，由此获得至少具有所述转移的有用层（13）和所述支撑衬底（3）的中间结构）; c）使该转移的有用层（13）变薄直到获得超薄层。本发明用于制造电子学，光电子学或光学领域的衬底。

9. 发明申请

WO2005001915A3 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE EMPILEE PAR TRANSFERT DE COUCHE MINCE 审中-公开
公开(公告)号：WO2005001915A3
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：PCT/FR2004/050290
申请日：2004-06-24
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , CRISTOLOVEANU, Sorin , ALLIBERT, Frédéric
发明人： MORICEAU, Hubert , CRISTOLOVEANU, Sorin , ALLIBERT, Frédéric
IPC分类号： H01L21/20
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure empilée comprenant les étapes suivantes : formation, à partir d'un substrat initial (30) comportant un matériau semiconducteur, d'une partie à transférer (31) comprenant au moins une couche mince dudit matériau semiconducteur et présentant une première surface de collage, fourniture d'un support de réception (32) présentant une deuxième surface de collage, transfert de ladite partie depuis le substrat initial vers le support de réception, la première surface de collage étant fixée à la deuxième surface de collage par adhésion moléculaire selon une interface de collage, formation d'une zone adaptée permettant de modifier les propriétés électriques de tout ou partie de la couche mince (31), cette zone adaptée étant présente dans la structure au niveau de l'interface de collage.

10. 发明申请

WO2010146138A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE MEMBRANE PLANE 审中-公开
标题翻译：生产平面膜的方法
公开(公告)号：WO2010146138A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/EP2010/058584
申请日：2010-06-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CONSTANCIAS, Christophe , DALZOTTO, Bernard , FOURNEL, Frank , MICHALLON, Philippe , MORICEAU, Hubert , POUTEAU, Valérie
发明人： CONSTANCIAS, Christophe , DALZOTTO, Bernard , FOURNEL, Frank , MICHALLON, Philippe , MORICEAU, Hubert , POUTEAU, Valérie
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81C2201/017
摘要： Procédé de détermination d'une contrainte de compensation en tension minimale qu'aura une membrane d'épaisseur inférieure ou égale au micromètre, solidaire d'un cadre, possédant en l'absence de sollicitation extérieure, une flèche désirée, dans lequel : a °) on choisit la longueur, la largeur l'épaisseur de la membrane, son matériau, une contrainte résiduelle, b°) on calcule le poids de la membrane, il vérifie c° ) on calcule β, C et C* grâce à un logiciel approprié, d° ) on déduit la flèche calculée h, e°) on la compare à la flèche désirée, f °) si cette flèche calculée est supérieure à la flèche désirée, on ajuste la contrainte résiduelle afin que la flèche calculée soit inférieure ou égale à la flèche désirée, g°) lorsque la flèche calculée est inférieure ou égale à la flèche désirée, on calcule la contrainte de compensation en tension minimale
摘要翻译：本发明涉及一种用于确定厚度不超过1微米的膜的最小张力补偿应力的方法，该膜固定到在没有外部应力的情况下具有期望偏转的框架，其中：a）长度选择膜的宽度和厚度，以及材料和其残余应力; b°）计算膜的重量; c°）ß，C和C *使用合适的软件计算; d°）推导出计算出的偏差h; e°）将偏转与期望的偏转进行比较; f°）如果所计算的偏转大于期望的偏转，则调整残余应力，使得计算的偏转不高于期望的偏转; g°），当计算出的偏转不超过所需偏差时，计算最小张力补偿应力。

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