专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2010146138A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE MEMBRANE PLANE 审中-公开
标题翻译：生产平面膜的方法
公开(公告)号：WO2010146138A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/EP2010/058584
申请日：2010-06-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CONSTANCIAS, Christophe , DALZOTTO, Bernard , FOURNEL, Frank , MICHALLON, Philippe , MORICEAU, Hubert , POUTEAU, Valérie
发明人： CONSTANCIAS, Christophe , DALZOTTO, Bernard , FOURNEL, Frank , MICHALLON, Philippe , MORICEAU, Hubert , POUTEAU, Valérie
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81C2201/017
摘要： Procédé de détermination d'une contrainte de compensation en tension minimale qu'aura une membrane d'épaisseur inférieure ou égale au micromètre, solidaire d'un cadre, possédant en l'absence de sollicitation extérieure, une flèche désirée, dans lequel : a °) on choisit la longueur, la largeur l'épaisseur de la membrane, son matériau, une contrainte résiduelle, b°) on calcule le poids de la membrane, il vérifie c° ) on calcule β, C et C* grâce à un logiciel approprié, d° ) on déduit la flèche calculée h, e°) on la compare à la flèche désirée, f °) si cette flèche calculée est supérieure à la flèche désirée, on ajuste la contrainte résiduelle afin que la flèche calculée soit inférieure ou égale à la flèche désirée, g°) lorsque la flèche calculée est inférieure ou égale à la flèche désirée, on calcule la contrainte de compensation en tension minimale
摘要翻译：本发明涉及一种用于确定厚度不超过1微米的膜的最小张力补偿应力的方法，该膜固定到在没有外部应力的情况下具有期望偏转的框架，其中：a）长度选择膜的宽度和厚度，以及材料和其残余应力; b°）计算膜的重量; c°）ß，C和C *使用合适的软件计算; d°）推导出计算出的偏差h; e°）将偏转与期望的偏转进行比较; f°）如果所计算的偏转大于期望的偏转，则调整残余应力，使得计算的偏转不高于期望的偏转; g°），当计算出的偏转不超过所需偏差时，计算最小张力补偿应力。

2. 发明申请

WO2011092401A2 PROCEDE DE REALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE AVEC PREPARATION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN SILICIUM CRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：生产光伏电池的方法，包括制备晶体硅衬底的表面
公开(公告)号：WO2011092401A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/FR2011/000049
申请日：2011-01-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
发明人： MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L31/02363 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： Un procédé de réalisation d'au moins une cellule photovoltaïque comprend successivement la gravure anisotrope d'une surface (1a) d'un substrat (1) en silicium cristallin et le traitement par gravure isotrope de ladite surface (1a). Le traitement par gravure isotrope comprend au moins deux opérations successives consistant respectivement à former un film mince (11) en oxyde de silicium d'une épaisseur moyenne contrôlée, comprise entre 10nm et 500nm et à retirer ledit film mince ainsi formé. L'opération consistant à former un film mince (11) en oxyde de silicium à la face (1a) du substrat (1) est réalisée par une oxydation par voie sèche activée thermiquement. Un tel procédé permet d'améliorer l'état de surface de la surface (1a) du substrat (1) une fois celle-ci gravée de manière anisotrope.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生至少一个光伏电池的方法，其连续地包括各向异性地蚀刻晶体硅衬底（1）的表面（1a）并通过各向同性蚀刻来处理所述表面（1a）。通过各向同性蚀刻进行的处理包括分别涉及形成氧化硅薄膜（11）的至少两个连续的操作，其具有调节的平均厚度在10nm和500nm之间，以及去除所述如此形成的薄膜。涉及在基板（1）的表面（1a）上形成氧化硅薄膜（11）的操作通过热活化干法氧化进行。这种方法使得可以改进基板（1）的表面（1a）的表面状态，一旦各向异性蚀刻。

3. 发明申请

WO2011161122A1 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：用于传输单晶硅薄膜的方法
公开(公告)号：WO2011161122A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/060380
申请日：2011-06-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , ARGOUD, Maxime , MORICEAU, Hubert , FRETIGNY, Christian
发明人： ARGOUD, Maxime , MORICEAU, Hubert , FRETIGNY, Christian
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： B32B38/0008 , C23C14/0005 , C23C14/48 , H01L21/76254 , Y02P20/582
摘要： Procédé de transfert d'une couche mince (3) de silicium monocristallin à partir d'un substrat donneur (1) qui est en silicium monocristallin, dans lequel : - des conditions d'implantation sont telles que l'épaisseur de la couche mince (3) est inférieure à 10 micromètres, et - l'épaisseur d'une couche de polymère (5) pour le collage de la couche mince sur un substrat récepteur est inférieure à un seuil critique défini en fonction de l'énergie et de la dose d'implantation, ce seuil critique étant inférieur ou égal à la plus petite des deux grandeurs suivantes : •500 nm, et •à l'épaisseur de la future couche mince.
摘要翻译：本发明涉及从由单晶硅制成的供体衬底（1）转移单晶硅薄膜（3）的方法，其中：注入条件使得薄膜（3）的厚度小于10μm; 并且用于将薄膜粘合到接收衬底的聚合物层（5）的厚度小于根据植入的能量和量定义的临界阈值，所述临界阈值小于或等于以下两种量：500nm; 和未来薄膜的厚度。

4. 发明申请

WO2011092402A2 CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE COMPRENANT UN FILM MINCE DE PASSIVATION EN OXYDE CRISTALLIN DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION 审中-公开
标题翻译：包括晶体氧化硅钝化薄膜的光电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2011092402A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/FR2011/000050
申请日：2011-01-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MUR, Pierre , MORICEAU, Hubert , RIBEYRON, Pierre-Jean
发明人： MUR, Pierre , MORICEAU, Hubert , RIBEYRON, Pierre-Jean
IPC分类号： H01L31/072
CPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Une cellule photovoltaïque à hétérojonction comporte au moins un film mince (11) en oxyde cristallin de silicium disposé, directement, sur une des faces avant ou arrière (1a) d'un substrat (1) en silicium cristallin, entre ledit substrat (1) et une couche en silicium amorphe ou micro-cristallin (3). Le film mince (11) est destiné à permettre la passivation de ladite face (1a) du substrat (1). Le film mince (11) est, plus particulièrement, obtenu par oxydation radicalaire d'une partie superficielle du substrat (1), avant le dépôt de la couche en silicium amorphe (3). De plus, une couche mince en silicium amorphe intrinsèque ou microdopée (2) peut être disposée entre ledit film mince (11) et la couche en silicium amorphe ou microcristallin.
摘要翻译：异质结光伏电池包括至少一个结晶氧化硅薄膜（11），其直接放置在所述基板（1）和非晶或微晶体之间的晶体硅基板（1）的前表面或后表面（1a）中的一个上，晶体硅层（3）。薄膜（11）用于使基板（1）的所述表面（1a）钝化。具体地说，薄膜（11）通过在沉积非晶硅层（3）之前对基片（1）的表面部分进行自由基氧化而获得。此外，可以在所述薄膜（11）和非晶或微晶硅层之间放置本征或微掺杂的非晶硅薄层（2）。

5. 发明申请

WO2017080944A1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS PAR COLLAGE DE SURFACES DE PHOSPHURE D'INDIUM 审中-公开
标题翻译：键合磷化铟表面结合衬底的方法
公开(公告)号：WO2017080944A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/EP2016/076806
申请日：2016-11-07
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , SOITEC
发明人： IMBERT, Bruno , MORICEAU, Hubert , BLOT, Xavier
IPC分类号： C09J5/02 , C09J5/06
CPC分类号： C09J5/02 , C09J5/06 , C09J2203/326
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage comprenant les étapes suivantes : a) fournir un premier substrat comprenant une première face en phosphure d'indium cristallin, b) fournir un second substrat comprenant une seconde face cristalline et différente du phosphure d'indium, c) former une couche intermédiaire de phosphure d'indium cristallin sur la seconde face du second substrat, d) former un assemblage, par une étape de collage direct, en mettant en contact la première face du premier substrat avec la couche intermédiaire, l'étape de collage direct étant réalisée sous une atmosphère présentant une pression supérieure à 10" 4 Pa, de préférence supérieure à 10- 3 Pa. e) soumettre l'assemblage, formé à l'étape d), à un traitement thermique.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法包括以下步骤：a）提供包含第一结晶磷化铟面的第一衬底，b）提供包含第二晶体表面和不同的磷化铟面的第二衬底， c）在第二衬底的第二侧上形成结晶磷化铟的中间层，d）通过直接结合步骤，通过使第一衬底的第一面与中间层，直接结合步骤在预先设定较高压力的气氛下进行; 10“→4 Pa，更高患病率” E）提交组件，形式＆oacute; ＆Agrave; 步骤d），＆gt; 一个热处理。

6. 发明申请

WO2016180828A1 PROCEDE DE COLLAGE DIRECT DE SUBSTRATS AVEC AMINCISSEMENT DES BORDS D'AU MOINS UN DES DEUX SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：用于直接粘结基板的方法，包括两个基板中的一个边缘的边缘的薄膜
公开(公告)号：WO2016180828A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/EP2016/060448
申请日：2016-05-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , MORALES, Christophe , MORICEAU, Hubert , RIEUTORD, François
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L24/83 , H01L27/1203
摘要： Procédé de collage direct entre au moins un premier et un deuxième substrats (100, 102), chacun des premier et deuxième substrats comportant une première et une deuxième faces principales (104, 106, 108, 110), comportant au moins les étapes de : - premier amincissement de bords (114) du premier substrat sur au moins une partie de la circonférence du premier substrat, au niveau de la première face principale du premier substrat; - mise en contact de la deuxième face principale du premier substrat avec la deuxième face principale du deuxième substrat telle qu'une onde de collage se propage entre les premier et deuxième substrats, solidarisant les premier et deuxième substrats l'un à l'autre par collage direct tel que des parties de la deuxième face principale du premier substrat se trouvant sous des parties amincies de la première face principale du premier substrat sont solidarisées au deuxième substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在至少第一和第二基底（100,102）之间直接结合的方法，所述第一和第二基底中的每一个包括第一和第二主表面（104,106,108,110），包括至少以下步骤：在第一基板的第一主表面上，在第一基板的圆周的至少一部分上使第一基板的边缘（114）首先变薄; 并且将第一基板的第二主表面与第二基板的第二主表面接触，使得键合波在第一和第二基板之间传播，通过直接接合将第一和第二基板彼此固定，使得位于第一基板的第一主表面的薄化部分下方的第一基板的第二主表面固定到第二基板。

7. 发明申请

WO2017009564A1 POCHOIR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU POCHOIR 审中-公开
标题翻译：横断面及其制造方法
公开(公告)号：WO2017009564A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/FR2016/051768
申请日：2016-07-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： ZUSSY, Marc , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/38 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/20 , G03F1/38
摘要： Le pochoir (100) est destiné à la réalisation, à l'échelle micrométrique, d'un dépôt d'un matériau sur un substrat (200) ou de gravure d'un substrat (200), le pochoir (100) comprenant; une membrane (2) comportant une face avant (3) destinée à être orientée vers ledit substrat (200) et une face arrière (4) opposée à la face avant (3), la membrane (2) comportant au moins une portion de rigidification (7) et au moins une portion active (5) comprenant une surface active (10) délimitée par la face avant (3), la au moins une portion active (5) présentant une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la au moins une portion de rigidification (7), la au moins une portion de rigidification (7) étant configurée de sorte à assurer la planéité d'au moins la surface active (10), et au moins deux ouvertures (8) traversantes ménagées dans la portion active (5) et débouchant sur la surface active (10).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在微尺度上执行材料沉积在基底（200）上或用于雕刻基底（200）的模版（100），所述模板（100）包括：膜（ 2），包括旨在朝向所述基底（200）的前表面（3）和与所述前表面（3）相对的后表面（4），所述膜（2）包括至少一个加强部分（7）至少一个活动部分（5）包括由所述前表面（3）限定的活动表面（10），所述至少一个活动部分（5）的厚度低于所述至少一个加强部分（7）的厚度，所述至少一个加强部分（7）构造成保证至少所述有效表面（10）的平坦度，以及布置在所述有效部分（5）中并连接到所述活动部分（10）的至少两个通孔（8）表面（10）。

8. 发明申请

WO2018028982A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE ÉPITAXIÉE SUR UNE PLAQUE DE CROISSANCE 审中-公开
标题翻译：在生长板上制造外延层的方法
公开(公告)号：WO2018028982A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：PCT/EP2017/068807
申请日：2017-07-25
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： MORICEAU, Hubert , CHARLES, Matthew , MORALES, Christophe
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/20
摘要： La présente invention concerne la maîtrise de la qualité de dépôt d'une couche épitaxiée 4, par exemple de nitrure de gallium,sur une plaque de croissance 2, par exemple de silicium, en particulier au niveau des bords de la plaque. L'invention vise notamment à réduire la complexité et le coût de fabrication des solutions connues. Le procédé de fabrication selon l'invention met à profit l'existence d'un chanfrein sur chaque plaque de croissance 2 et prévoit un dépôt 140 auto-positionné d'un film de protection 3 sur au moins une partie du chanfrein grâce à un masque mécanique empêchant le dépôt 140 du film de protection 3sur la zone utile Zu à l'épitaxie.
摘要翻译：本发明涉及质量的控制。例如在例如硅的生长板2上，特别是在板的边缘处沉积例如氮化镓的层4。本发明特别针对于减少复杂性和相关性; 和已知解决方案的制造成本。 d＆oacute的过程; 按照本发明制造利用每个生长板2上存在的倒角并预测自我定位中断。在至少一部分倒角上形成保护膜3 包围有用区域Zu上的保护膜3的突起140的机械掩模。所述é外延。

9. 发明申请

WO2013178764A1 PROCEDE ET SYSTEME D'OBTENTION D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE 审中-公开
标题翻译：用于获得半导体波形的方法和系统
公开(公告)号：WO2013178764A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/EP2013/061206
申请日：2013-05-30
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： PENOT, Jean-Daniel , DREVET, Béatrice , GARANDET, Jean-Paul , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/62
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02532 , H01L21/02625 , H01L21/02664 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： L'invention porte sur un procédé d'obtention d'une tranche en matériau semi-conducteur à partir d'un substrat donneur (100) en un premier matériau semi-conducteur et comprenant dans son épaisseur une zone de fragilisation (210), caractérisé en ce qu'il comprend: le dépôt (320) d'un deuxième matériau semi-conducteur à l'état liquide simultanément sur une pluralité de zones (310) d'une face (101) du substrat donneur(100); l'étalement du deuxième matériau semi-conducteur à l'état liquide jusqu'à former une couche sur ladite face (101) du substrat donneur(100); la solidification au moins partielle de la couche du deuxième matériau semi-conducteur déposé pour épaissir le substrat donneur(100); la séparation du substrat donneur (100) au niveau de la zone de fragilisation (210). L'invention porte également sur un procédé de réalisation d'un panneau photovoltaïque et sur un système permettant de mettre en œuvre le procédé d'obtention du substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种用于从由第一半导体材料制成的施主衬底（100）获得半导体材料晶片的方法，并且在其厚度上包括断开区（210），其特征在于，其包括：沉积（320）在所述供体衬底（100）的面（101）的多个区域（310）上同时处于液态的第二半导体材料; 将第二半导体材料以液态扩展，直到形成在施主衬底（100）的所述面（101）上的层为止; 至少部分地固化所述第二沉积半导体材料的所述层，以使所述施主衬底（100）变厚; 在分离区（210）处分离施主衬底（100）。本发明还涉及制造光伏面板的方法和用于实现获得衬底的方法的系统。

10. 发明申请

WO2014096690A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE ÉPAISSE CRISTALLINE 审中-公开
标题翻译：制造厚晶体层的方法
公开(公告)号：WO2014096690A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/FR2013/053146
申请日：2013-12-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , FOURNEL, Frank
IPC分类号： C30B1/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/52 , C30B31/22 , C30B33/06
CPC分类号： H01L31/1812 , C30B1/023 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/52 , C30B31/22 , C30B33/06 , H01L21/76254 , H01L31/028 , H01L31/1864 , H01L31/1872
摘要： Il comprend les étapes consistant à: a) Implanter des espèces ioniques à travers un substrat comportant au moins en surface une couche cristalline (10) de SixGei-x de sorte à former un plan de fragilisation dans ladite couche délimitant un film germe (3), b) Déposer une couche amorphe (5) de Si y Ge 1-y sur le film germe (3), c) Appliquer un traitement de fracture de sorte à obtenir une structure détachée (8) comportant le film germe (3) et la couche de Si y Ge 1-y amorphe (5) d'une part, et un négatif (4) du substrat d'autre part, et d) Appliquer à la structure détachée (8) un traitement thermique de sorte à obtenir une couche épaisse cristalline d'une épaisseur supérieure à 10 micromètres et désolidarisée du négatif (4). L'invention concerne également une structure comprenant un substrat de silicium cristallin présentant un film germe, une couche de silicium amorphe comportant une région de contrainte comprenant des ions implantés.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：a）通过至少在其表面上包含SixGe1-x的结晶层（10）的底物注入离子物质，以便在所述层中形成弱化平面，将种子膜（ 3）; b）在种子膜（3）上沉积SiyGe1-y的非晶层（5）; c）施加分裂工艺以获得包含种子膜（3）和非晶SiyGe1-y层（5）的一个分离的结构（8），另一方面获得负极（4）的衬底手; 以及d）对分离结构（8）进行热处理，以获得厚度大于10微米的厚结晶层，该层不固定在负极（4）上。本发明还涉及包括晶体硅衬底的结构，其包括种子膜和含有包含注入离子的应力区域的非晶硅层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式