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1. 发明申请

WO2011092402A2 CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE COMPRENANT UN FILM MINCE DE PASSIVATION EN OXYDE CRISTALLIN DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION 审中-公开
标题翻译：包括晶体氧化硅钝化薄膜的光电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2011092402A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/FR2011/000050
申请日：2011-01-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MUR, Pierre , MORICEAU, Hubert , RIBEYRON, Pierre-Jean
发明人： MUR, Pierre , MORICEAU, Hubert , RIBEYRON, Pierre-Jean
IPC分类号： H01L31/072
CPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Une cellule photovoltaïque à hétérojonction comporte au moins un film mince (11) en oxyde cristallin de silicium disposé, directement, sur une des faces avant ou arrière (1a) d'un substrat (1) en silicium cristallin, entre ledit substrat (1) et une couche en silicium amorphe ou micro-cristallin (3). Le film mince (11) est destiné à permettre la passivation de ladite face (1a) du substrat (1). Le film mince (11) est, plus particulièrement, obtenu par oxydation radicalaire d'une partie superficielle du substrat (1), avant le dépôt de la couche en silicium amorphe (3). De plus, une couche mince en silicium amorphe intrinsèque ou microdopée (2) peut être disposée entre ledit film mince (11) et la couche en silicium amorphe ou microcristallin.
摘要翻译：异质结光伏电池包括至少一个结晶氧化硅薄膜（11），其直接放置在所述基板（1）和非晶或微晶体之间的晶体硅基板（1）的前表面或后表面（1a）中的一个上，晶体硅层（3）。薄膜（11）用于使基板（1）的所述表面（1a）钝化。具体地说，薄膜（11）通过在沉积非晶硅层（3）之前对基片（1）的表面部分进行自由基氧化而获得。此外，可以在所述薄膜（11）和非晶或微晶硅层之间放置本征或微掺杂的非晶硅薄层（2）。

2. 发明申请

WO2011092401A2 PROCEDE DE REALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE AVEC PREPARATION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN SILICIUM CRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：生产光伏电池的方法，包括制备晶体硅衬底的表面
公开(公告)号：WO2011092401A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/FR2011/000049
申请日：2011-01-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
发明人： MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L31/02363 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： Un procédé de réalisation d'au moins une cellule photovoltaïque comprend successivement la gravure anisotrope d'une surface (1a) d'un substrat (1) en silicium cristallin et le traitement par gravure isotrope de ladite surface (1a). Le traitement par gravure isotrope comprend au moins deux opérations successives consistant respectivement à former un film mince (11) en oxyde de silicium d'une épaisseur moyenne contrôlée, comprise entre 10nm et 500nm et à retirer ledit film mince ainsi formé. L'opération consistant à former un film mince (11) en oxyde de silicium à la face (1a) du substrat (1) est réalisée par une oxydation par voie sèche activée thermiquement. Un tel procédé permet d'améliorer l'état de surface de la surface (1a) du substrat (1) une fois celle-ci gravée de manière anisotrope.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生至少一个光伏电池的方法，其连续地包括各向异性地蚀刻晶体硅衬底（1）的表面（1a）并通过各向同性蚀刻来处理所述表面（1a）。通过各向同性蚀刻进行的处理包括分别涉及形成氧化硅薄膜（11）的至少两个连续的操作，其具有调节的平均厚度在10nm和500nm之间，以及去除所述如此形成的薄膜。涉及在基板（1）的表面（1a）上形成氧化硅薄膜（11）的操作通过热活化干法氧化进行。这种方法使得可以改进基板（1）的表面（1a）的表面状态，一旦各向异性蚀刻。

3. 发明申请

WO2013004923A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À HOMOJONCTION COMPRENANT UN FILM MINCE DE PASSIVATION EN OXYDE CRISTALLIN DE SILICIUM. 审中-公开
标题翻译：用于生产由结晶硅氧化物制成的钝化薄膜的单体光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2013004923A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/FR2012/000266
申请日：2012-07-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , VESCHETTI, Yannick , MUR, Pierre , MORICEAU, Hubert , RIBEYRON, Pierre-Jean
发明人： VESCHETTI, Yannick , MUR, Pierre , MORICEAU, Hubert , RIBEYRON, Pierre-Jean
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque à homojonction comportant au moins un film mince (5) en oxyde cristallin de silicium disposé, directement, sur une des faces avant (1a) ou arrière (1b) d'un substrat (1) en silicium cristallin. Le film mince (5) est destiné à permettre la passivation de ladite face (1a, 1b) du substrat (1). Le film mince en oxyde cristallin de silicium (5) est avantageusement disposé directement sur la face avant (1a) du substrat, celle-ci constituant l'interface entre le film mince en oxyde cristallin de silicium (5) et une des deux régions (2, 3) de types de dopage opposés formant l'homojonction dans le substrat (1). Le film mince (11) est, plus particulièrement, obtenu par oxydation radicalaire d'une partie superficielle du substrat (1). De plus, la cellule photovoltaïque peut avantageusement comporter une couche anti-reflet (6, 7) au niveau de la face avant (1a) et/ou de la face arrière (1b) du substrat (1).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造均质光伏电池的方法，该方法包括直接放置在晶体硅衬底（1）的前表面（1a）或后表面（1b）上的至少一层结晶氧化硅薄膜（5）。薄膜（5）旨在允许基板（1）的所述表面（1a，1b）钝化。晶体氧化硅薄膜（5）有利地直接放置在基板的前表面（1a）上，所述表面形成结晶氧化硅薄膜（5）与两个区域（2,3）之间的界面），在衬底（1）中形成均质结的相反掺杂型。更具体地，薄膜（11）通过基底（1）的表面部分的自由基氧化获得。此外，光伏电池可以有利地包括在基板（1）的前表面（1a）和/或后表面（1b）上的抗反射层（6,7）。

4. 发明申请

WO2014044871A2 CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE CELLULE 审中-公开
标题翻译：光伏异质结电池和制造这种电池的方法
公开(公告)号：WO2014044871A2
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/EP2013/069880
申请日：2013-09-24
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BUCKLEY, Julien , MUR, Pierre
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0747 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要： L'invention concerne une cellule photovoltaïque à hétérojonction comprenant un substrat (1) dopé, dans laquelle : - une première face principale (1A) dudit substrat est recouverte d'une couche de passivation (2A), d'une couche (3A) dopée du type opposé à celui du substrat, formant l'émetteur de ladite cellule, - la seconde face principale (1B) dudit substrat est recouverte d'une couche de passivation (2B), d'une couche (3B) dopée du même type que le substrat, formant un champ répulsif pour les porteurs minoritaires du substrat, caractérisée en ce que : - le matériau de la couche de passivation (2A) côté émetteur (E) est choisi pour présenter une barrière de potentiel plus basse pour les porteurs minoritaires photogénérés que pour les porteurs majoritaires du substrat, et - le matériau de la couche de passivation (2B) côté champ répulsif (BSF) est choisi pour présenter une barrière de potentiel plus basse pour les porteurs majoritaires photogénérés que pour les porteurs minoritaires du substrat.
摘要翻译：本发明涉及适用于光伏电池的光伏电池。 ħéT E rojonction包括衬底（1）掺杂é;，其中： - 第一和egrave;重主面（1A）的所述衬底上覆盖有钝化层（2A），一个层（3A）DOPDé 相反类型的e; ＆Agrave; 所述基板的，形成所述单元的电导演， - 所述衬底覆盖有钝化层（2B），层（3B）DOPéê米＆ecirc的第二主面（图1B）;我所述衬底形成用于所述衬底的少数载流子的排斥场，其特征在于： - 所述钝化层（2A）的材料是 É导演（E）被选择为PRé信通的阻挡＆egrave;再最低电位的对少数载流子Photogé否E [R（E S）为基材的多数载流子，并且 - 所述钝化层的垫é廖内（2B）c＆ocirc; t＆oacute; 选择脉冲场（BSF）为相对多数载流子提供比基底的少数载流子更低的势垒。

5. 发明申请

WO2007059996A1 DISPOSITIF NANOSTRUCTURE 审中-公开
标题翻译：纳米结构设备
公开(公告)号：WO2007059996A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/EP2006/011300
申请日：2006-11-24
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MUR, Pierre , OILLIC, Cécile
发明人： MUR, Pierre , OILLIC, Cécile
IPC分类号： G11C13/02 , C12Q1/68 , G01N33/553
CPC分类号： C12Q1/001 , B82Y10/00 , G01N33/54366 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C2213/53
摘要： La présente invention a pour objet un dispositif nanostructuré (100) comprenant un substrat (101), une couche intermédiaire (102), une zone (103) consistant d'une pluralité des sites nanostructurés tridimensionnels (104) en un matériau semiconducteur, présentant des espèces chimiques (106) accrochés à la surface des lesdites sites nanostructurés tridimensionnels (104). Le dispositif selon l'invention est utilisable pour la fabrication d'une biopuce et d'une mémoire électronique. La présente invention a également pour objet un procédé pour la formation d'une mémoire électronique.
摘要翻译：本发明涉及一种纳米结构设备（100），其包括基底（101），中间层（102），由半导体材料制成的多个三维结构化位点（104）组成的区域（103），具有化学物质（106）固定在所述三维纳米结构部位（104）的表面上。本发明的装置可用于制造生物芯片和电子存储器。本发明还涉及一种用于形成电子存储器的方法。

6. 发明申请

WO2013026861A1 PROCEDE DE CARACTERISATION D'AU MOINS UNE COUCHE DE MATERIAU A NANOCRISTAUX DE SEMI-CONDUCTEUR 审中-公开
标题翻译：用于表征包含半导体纳米晶体的至少一层材料的方法
公开(公告)号：WO2013026861A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/EP2012/066303
申请日：2012-08-22
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , BAUDRIT, Mathieu , MUR, Pierre , SURANA, Kavita , THONY, Philippe
发明人： BAUDRIT, Mathieu , MUR, Pierre , SURANA, Kavita , THONY, Philippe
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , G01N21/55 , H01L22/14
摘要： Procédé de caractérisation d'une couche (110) de matériau comportant des nanocristaux de semi- conducteur (108), comprenant les étapes de : réalisation d'un empilement alterné de m premières couches (110) d'indice de réfraction complexe n 1 et de m deuxièmes couches (106) d'indice de réfraction complexe n 2 différent de n 1 , dans lequel les premières couches (110) comportent les nanocristaux de semi-conducteur (108), l'empilement étant disposé sur un substrat (102), avec m ≥ 2, mesure de la réflectivité, dans une gamme de longueurs d'ondes, de l'empilement, calcul de n 1 à partir de m, des épaisseurs des premières et deuxièmes couches, et de la mesure de réflectivité de l'empilement, par la mise en œuvre d'un méthode de calcul de matrices de transfert optique, calcul de la capacité électrique C 1 d'une des premières couches à partir de la mesure de la capacité électrique de l'empilement et du substrat.
摘要翻译：本发明涉及用于表征包含半导体纳米晶体（108）的材料层（110）的方法，包括以下步骤，其包括：形成具有复折射率n1和m的m个第一层（110）的交替堆叠第二层（106）具有与n1不同的复合折射率n2，其中第一层（110）包括半导体纳米结构（108），所述堆叠设置在基板（102）上，其中m = 2; 在波长范围内测量堆叠的反射率; 使用光学转移矩阵计算基于m，第一和第二层的厚度和堆叠反射率测量来计算n1; 并且基于堆叠和基板的电容的测量来计算第一层之一的电容C1。

7. 发明申请

WO2006008415A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE EBAUCHE DE BIOPUCE, EBAUCHE ET BIOPUCE 审中-公开
标题翻译：生产BIOCHIP BLANK的方法，以及对应的BLANK和BIOCHIP
公开(公告)号：WO2006008415A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/FR2005/050538
申请日：2005-07-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MOLLARD, Laurent , OILLIC, Cécile , MAZEN, Frédéric , MUR, Pierre
发明人： MOLLARD, Laurent , OILLIC, Cécile , MAZEN, Frédéric , MUR, Pierre
IPC分类号： B01J19/00
CPC分类号： G03F7/0757 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00605 , B01J2219/00644 , B01J2219/00659 , C40B60/14 , G01N33/54353 , G03F7/40
摘要： La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une ébauche de biopuce, à une ébauche et à un laboratoire sur puce. Le procédé de fabrication comprend : (a) dépôt sur une surface d'un substrat d'une couche d'un matériau de résine constitué d'un silsesquioxane ; (b) recuit de la couche du matériau de résine déposée de manière à la figer ; (c) structuration d'au moins un motif géométrique dans ladite couche figée par un rayonnement photonique ou un bombardement électronique ou ionique ; (d) développement dudit, au moins un, motif géométrique structuré ; et (e) traitement de ladite couche figée développée pour former sur celle-ci des groupements silanols afin d'obtenir ladite ébauche de biopuce. Cette ébauche permet la fixation de sondes biologiques, par exemple telles que de l'ADN ou de l'ARN, par l'intermédiaire des groupements silanols fonctionnalisés.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产生物芯片坯料，相应坯料和片上实验室的方法。制备方法包括以下步骤：（a）将由倍半硅氧烷组成的树脂材料层沉积在基材的表面上; （b）使沉积的树脂材料层退火以使其固化; （c）通过光子辐射或通过电子或离子轰击在所述固化层中构造至少一个几何图案; （d）显影所述至少一个结构化几何图案，以及; （e）处理显影的固化层以在其上形成硅烷醇基团以获得生物芯片坯料。这个空白使生物样品，例如 DNA或RNA，通过官能化硅烷醇基团进行固定。

8. 发明申请

WO2009118353A2 METALLIC NANOCRYSTAL ENCAPSULATION 审中-公开
标题翻译：金属纳米结构
公开(公告)号：WO2009118353A2
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/EP2009/053539
申请日：2009-03-25
申请人： ATMEL ROUSSET SAS , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DUFOURCQ, Joel , VANDROUX, Laurent , MUR, Pierre , BODNAR, Sylvie
发明人： DUFOURCQ, Joel , VANDROUX, Laurent , MUR, Pierre , BODNAR, Sylvie
IPC分类号： C30B25/00 , C30B29/52 , C30B29/60 , C30B33/00
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/4417 , C23C16/56 , H01L29/42332
摘要： A method of forming a device includes forming protective shells about metallic nanocrystals supported bya substrate. The metallic nanocrystals having protective shells are encapsulated with a layer formed with process parameters that are not compatible with the integrity of unprotected metallic nanocrystals.
摘要翻译：一种形成器件的方法包括：在由衬底支撑的金属纳米晶体上形成保护壳。具有保护壳的金属纳米晶体被封装有与不受保护的金属纳米晶体的完整性不相容的工艺参数形成的层。

9. 发明申请

WO2009118354A1 METALLIC NANOCRYSTAL PATTERNING 审中-公开
标题翻译：金属纳米图案
公开(公告)号：WO2009118354A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/EP2009/053540
申请日：2009-03-25
申请人： ATMEL ROUSSET SAS , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DUFOURCQ, Joel , VANDROUX, Laurent , MUR, Pierre , BODNAR, Sylvie
发明人： DUFOURCQ, Joel , VANDROUX, Laurent , MUR, Pierre , BODNAR, Sylvie
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/788 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/42332 , B82Y10/00 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/28273 , H01L29/7881 , Y10T428/256
摘要： A device and method include forming a mask on a substrate supporting a plurality of metallic nanocrystals such that a portion of the metallic nanocrystals is exposed. Protective shells are formed about the exposed metallic nanocrystals. Unprotected metallic nanocrystals are removed.
摘要翻译：一种器件和方法包括在支撑多个金属纳米晶体的衬底上形成掩模，使得一部分金属纳米晶体暴露。围绕暴露的金属纳米晶体形成保护壳。去除未保护的金属纳米晶体。

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