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1. 发明专利

KR102235443B1 KR102235443B1 - Thin film transistor array panel and method manufacturing the panel 有权
公开(公告)号：KR102235443B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140003549A
申请日：2014-01-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김소연 , 김현 , 박은혜 , 주병환 , 최승하
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1362 , H01L21/336
摘要： 본 발명은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 게이트 구동부 영역의 제1 연결부 및 표시 영역의 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 연결부를 노출하는 제1 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위의 소정 영역에 형성되어 있는 반도체층, 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 연결부와 연결되어 있는 제2 연결부, 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 데이터선, 상기 데이터선, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 제2 연결부 위에 형성되어 있는 보호막, 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 제1 접촉 구멍의 측벽이 차지하는 수평폭은 1~2㎛인 박막 트랜지스터 표시판을 제공한다.

2. 发明申请

WO2014200134A1 ＣＴＨＲＣ１의 발현 및 활성 억제제를 유효성분으로 포함하는 췌장암 치료 및 전이억제용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于治疗和抑制含有CTHRC1表达和活性抑制剂作为活性成分的胰腺癌的化疗的组合物
公开(公告)号：WO2014200134A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/KR2013/005460
申请日：2013-06-20
申请人： 한국생명공학연구원 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 고상석 , 김석호 , 박은혜 , 송시영 , 황연실 , 조지윤
IPC分类号： A61K48/00 , A61K39/395 , A61P35/00
CPC分类号： G01N33/57438 , C12Q1/6886 , C12Q2600/158
摘要： 본 발명은 췌장암 진단 및 스크리닝용 단백질 마커 및 이의 용도에 관한 것으로, 구체적으로 췌장암 환자 시료에서 CTHRC1의 mRNA 및 단백질의 발현이 증가하고, 상기 CTHRC1이 과발현 또는 녹다운된 세포주를 주입한 마우스에서 각각 암의 발생 및 전이가 증가 또는 억제되는 것을 확인하였으며, 또한, CTHRC1이 과발현 또는 녹다운되도록 세포주를 수립하여, CTHRC1의 과발현 또는 녹다운이 세포의 이동성, 부착성, Src-FAK 신호 및 Rac 1의 발현의 발현이 각각 증가 또는 억제되는 것을 확인함으로써, 췌장암 진단용 조성물 및 킷트, 진단방법, 활성물질 스크리닝 방법 및 췌장암의 치료 및 전이 억제용 조성물로 유용하게 사용될 수 있음을 확인하였다.
摘要翻译：本发明涉及用于诊断和筛选胰腺癌的蛋白质标记及其用途。更具体地，在来自胰腺癌患者的样品中证实了CTHRC1的mRNA和蛋白质表达的增加，并且在注射了具有CTHRC1过表达或敲低的细胞系的小鼠中证实了癌症发生和转移的增加或抑制。此外，通过建立细胞系以确定CTHRC1过表达或敲低来证实由于CTHRC1过表达或敲低引起的Src-FAK信号和Rac1的细胞迁移，附着和表达的增加或抑制，以及证实了组合物和胰腺癌诊断试剂盒的有用性，诊断方法，活性物质筛选方法以及作为治疗和抑制胰腺癌转移的组合物的用途。

3. 发明公开

KR1020130077116A 산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于氧化物半导体的组合物及使用其制造薄膜晶体管衬底的方法
公开(公告)号：KR1020130077116A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145657
申请日：2011-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 김두나 , 박은혜 , 김동림 , 김현재 , 임유승 , 임현수
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： C09D5/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/449 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , C01G1/02 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L2021/775
摘要： PURPOSE: A composition for an oxide semiconductor and a method for manufacturing a thin film transistor substrate using the same are provided to prevent environmental contamination by performing an annealing process at a low temperature. CONSTITUTION: A pixel part is formed in a displaying area (DA). The pixel includes a pixel electrode (PE). A gate driving part (GD) is formed in the peripheral area (PA) of the displaying area. The gate driving part sends a gate driving signal to the pixel part. A data driving part (DD) sends a data driving signal to the pixel part.
摘要翻译：目的：提供一种用于氧化物半导体的组合物和使用其的薄膜晶体管基板的制造方法，以通过在低温下进行退火处理来防止环境污染。构成：在显示区域（DA）中形成像素部分。像素包括像素电极（PE）。在显示区域的周边区域（PA）中形成栅极驱动部（GD）。栅极驱动部将栅极驱动信号发送到像素部。数据驱动部（DD）将数据驱动信号发送到像素部。

4. 发明授权

KR101910969B1 산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101910969B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020110145657
申请日：2011-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 김두나 , 박은혜 , 김동림 , 김현재 , 임유승 , 임현수
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： C09D5/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/449 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 개시된박막트랜지스터기판의제조방법에따르면, 기판상에, 금속옥살레이트및 용매를포함하는산화물반도체용조성물을코팅하여박막을형성하고, 상기박막을어닐링하고, 상기박막을패터닝하여반도체패턴을형성한다.

5. 发明公开

KR1020140144934A ＣＴＨＲＣ１의 발현 및 활성 억제제를 유효성분으로 포함하는 췌장암 치료 및 전이억제용 조성물 无效
标题翻译：用于治疗和METASTASIS抑制包括CTHRC1表达和活化抑制剂作为活性成分的胰腺癌的组合物
公开(公告)号：KR1020140144934A
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020130067169
申请日：2013-06-12
申请人： 한국생명공학연구원 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 고상석 , 조지윤 , 김석호 , 박은혜 , 송시영 , 황연실
IPC分类号： A61K39/395 , A61K48/00 , A61P35/00
CPC分类号： G01N33/57438 , C12Q1/6886 , C12Q2600/158
摘要： 본 발명은 췌장암 진단 및 스크리닝용 단백질 마커 및 이의 용도에 관한 것으로, 구체적으로 췌장암 환자 시료에서 CTHRC1의 mRNA 및 단백질의 발현이 증가하고, 상기 CTHRC1이 과발현 또는 녹다운된 세포주를 주입한 마우스에서 각각 암의 발생 및 전이가 증가 또는 억제되는 것을 확인하였으며, 또한, CTHRC1이 과발현 또는 녹다운되도록 세포주를 수립하여, CTHRC1의 과발현 또는 녹다운이 세포의 이동성, 부착성, Src-FAK 신호 및 Rac 1의 발현의 발현이 각각 증가 또는 억제되는 것을 확인함으로써, 췌장암 진단용 조성물 및 킷트, 진단방법, 활성물질 스크리닝 방법 및 췌장암의 치료 및 전이 억제용 조성물로 유용하게 사용될 수 있음을 확인하였다.
摘要翻译：本发明涉及用于诊断和筛选胰腺癌的蛋白质标记及其用途。更具体地说，证实了来自胰腺癌患者的样品中CTHRC1的mRNA和蛋白质表达增加，并且注射了CTHRC1过表达或敲低的细胞系的小鼠中，癌症发生率和转移增加或减少。分别。此外，证实CTHRC1过表达或敲低通过建立细胞系以过度或敲低CTHRC1来增加或抑制细胞迁移，粘附和Src-FAK信号和Rac1的表达。因此，本发明可以用于诊断胰腺癌的组合物和试剂盒，诊断方法，活性材料筛选方法以及用于治疗胰腺癌和转移抑制的组合物。

6. 发明公开

KR1020160062322A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160062322A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020140164697
申请日：2014-11-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 이현준 , 박병규 , 박은혜 , 주병환
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/31144 , H01L23/53257 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66969 , H01L2924/0002 , H01L29/78606 , H01L27/3262 , H01L2924/00
摘要： 박막트랜지스터기판은제1 방향으로연장되는게이트라인및 상기게이트라인과전기적으로연결되는게이트전극을포함하는게이트금속패턴, 상기게이트전극과중첩하는액티브패턴, 상기액티브패턴상에배치되는식각방지층, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는데이터라인, 상기데이터라인과전기적으로연결되고상기식각방지층에형성되는제1 관통홀을통해상기액티브패턴과전기적으로연결되는소스전극및 상기소스전극과이격되어배치되며, 상기제1 관통홀과인접하게형성되는제2 관통홀을통해상기액티브패턴과전기적으로연결되는드레인전극을포함하는데이터금속패턴및 상기데이터금속패턴상에배치되는제1 패시베이션층을포함한다.
摘要翻译：薄膜晶体管基板包括：栅极金属图案，包括沿第一方向延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极; 与栅电极重叠的有源图案; 设置在活性图案上的蚀刻停止层; 包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的数据线的数据金属图案，电连接到数据线并通过形成在蚀刻停止层中的第一通孔电连接到有源图案的源极，以及漏极与源电极分离并通过与第一通孔相邻的第二通孔电连接到有源图案; 以及设置在数据金属图案上的第一钝化层。根据本发明的实施例，可以减少在制造过程中使用的掩模。

7. 发明授权

KR102235443B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102235443B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140003549
申请日：2014-01-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김소연 , 김현 , 박은혜 , 주병환 , 최승하
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1362
摘要： 본발명은기판, 상기기판위에형성되어있으며, 게이트구동부영역의제1 연결부및 표시영역의게이트전극을포함하는게이트선, 상기기판위에형성되어있으며, 상기제1 연결부를노출하는제1 접촉구멍을가지는게이트절연막, 상기게이트절연막위의소정영역에형성되어있는반도체층, 상기게이트절연막및 상기반도체층위에형성되어있으며, 상기제1 접촉구멍을통하여상기제1 연결부와연결되어있는제2 연결부, 드레인전극및 소스전극을포함하는데이터선, 상기데이터선, 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기제2 연결부위에형성되어있는보호막, 및상기드레인전극과전기적으로연결되어있으며상기보호막위에형성되어있는화소전극을포함하며, 상기제1 접촉구멍의측벽이차지하는수평폭은 1~2㎛인박막트랜지스터표시판을제공한다.

8. 发明公开

KR1020150083694A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列和方法制造面板
公开(公告)号：KR1020150083694A
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140003549
申请日：2014-01-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김소연 , 김현 , 박은혜 , 주병환 , 최승하
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/7869 , H01L29/78618 , G02F1/136286
摘要： 본발명은기판, 상기기판위에형성되어있으며, 게이트구동부영역의제1 연결부및 표시영역의게이트전극을포함하는게이트선, 상기기판위에형성되어있으며, 상기제1 연결부를노출하는제1 접촉구멍을가지는게이트절연막, 상기게이트절연막위의소정영역에형성되어있는반도체층, 상기게이트절연막및 상기반도체층위에형성되어있으며, 상기제1 접촉구멍을통하여상기제1 연결부와연결되어있는제2 연결부, 드레인전극및 소스전극을포함하는데이터선, 상기데이터선, 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기제2 연결부위에형성되어있는보호막, 및상기드레인전극과전기적으로연결되어있으며상기보호막위에형성되어있는화소전극을포함하며, 상기제1 접촉구멍의측벽이차지하는수평폭은 1~2㎛인박막트랜지스터표시판을제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种具有由第一接触孔的侧壁占据的水平宽度为1至2μm的薄膜晶体管显示器。薄膜晶体管显示器包括：基板; 栅极线，其形成在所述基板上，并且包括位于显示区域中的栅极操作部分和栅极电极的区域中的第一连接部分; 栅极绝缘膜，其形成在所述基板上，并具有暴露所述第一连接部的所述第一接触孔; 形成在所述栅极绝缘膜的特定区域中的半导体层; 第二连接部，其形成在所述栅极绝缘膜和所述半导体层上，并且通过所述第一接触孔与所述第一连接部连接; 数据线，其包括漏电极和源电极; 数据线源电极; 形成在漏电极和第二连接部上的保护膜; 和与漏电极电连接并形成在保护膜上的像素电极。

9. 发明公开

KR1020160089586A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板及制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR1020160089586A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：KR1020150008799
申请日：2015-01-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최승하 , 류명관 , 김억수 , 손경석 , 김소연 , 김현 , 박은혜 , 주병환
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/41733 , H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要： 개시된박막트랜지스터기판은, 게이트전극, 상기게이트전극과중첩하는채널층, 상기채널층과중첩하는소스전극, 상기채널층및 상기소스전극과중첩하는드레인전극, 및상기소스전극및 상기드레인전극사이에배치되는이격부재를포함한다. 상기박막트랜지스터기판은감소된채널길이를갖는다.
摘要翻译：根据本发明，薄膜晶体管基板包括：栅电极; 与栅电极重叠的沟道层; 源电极与沟道层重叠; 漏极与沟道层和源电极重叠; 以及放置在源电极和漏电极之间的间隔部件，其中，薄膜晶体管基板被配置为具有减小的沟道长度。本发明提供具有改善的电性能的薄膜晶体管基板。

10. 发明公开

KR1020130137851A 산화물 반도체의 전구체 조성물, 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판, 그리고 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：氧化物半导体的前驱体组合物，包括氧化物半导体的薄膜晶体管阵列面板，以及包括氧化物半导体的薄膜晶体管阵列的制造方法
公开(公告)号：KR1020130137851A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：KR1020120061457
申请日：2012-06-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두형 , 양찬우 , 정승호 , 김두나 , 김보성 , 박은혜 , 최준환
IPC分类号： H01B1/08 , H01B1/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01B1/06 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/7869 , H01L21/02623 , H01L29/06 , H01L29/66742
摘要： According to one embodiment of the present invention, a thin film transistor substrate includes: a semiconductor layer including a metal arranged on an insulation substrate; a gate electrode overlapped with the semiconductor layer; and a source electrode and a drain electrode which are overlapped with the semiconductor layer. The metal contained inside the semiconductor layer comprises: indium, zinc and tin, and the molar ratio (R) of indium in metals contained in the semiconductor layer is approximately less than 20%. More specifically, the molar ratio (R) of indium in metals contained in the semiconductor layer is approximately 5-13%.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，薄膜晶体管基板包括：包括布置在绝缘基板上的金属的半导体层; 与半导体层重叠的栅电极; 以及与半导体层重叠的源电极和漏电极。包含在半导体层内的金属包括：铟，锌和锡，并且半导体层中包含的金属中的铟的摩尔比（R）大约小于20％。更具体地，半导体层中包含的金属中的铟的摩尔比（R）约为5-13％。

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