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1. 发明申请

WO2021221392A1 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2021221392A1
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：PCT/KR2021/005157
申请日：2021-04-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 신미향 , 임상형 , 박명규 , 안나리 , 이두형
IPC分类号： H01L33/44 , H01L27/15
摘要： 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 발광 소자는 일 방향을 따라 연장되는 발광 소자 코어, 및 상기 발광 소자 코어의 측면의 일부를 둘러싸는 투과 필터층을 포함하되, 상기 발광 소자 코어의 측면은, 상기 투과 필터층이 배치되는 제1 영역, 및 상기 투과 필터층이 배치되지 않은 제2 영역을 포함한다.

2. 发明授权

KR101884824B1 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101884824B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020110090618
申请日：2011-09-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 최준환 , 최태영 , 카노
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/786 , H01L2029/42388
摘要： 박막트랜지스터를제공한다. 본발명의한 실시예에따른박막트랜지스터는기판, 상기기판위에위치하고, 게이트전극을포함하는게이트선, 상기기판위에위치하는반도체층, 상기게이트선과상기반도체층사이에위치하는게이트절연막그리고상기기판위에위치하고, 상기반도체층의채널영역을기준으로서로마주보는소스전극및 드레인전극을포함하고, 상기게이트절연막은제1 영역및 제2 영역을포함하고, 상기제1 영역은상기반도체층의채널영역에대응하며, 상기제1 영역은제1 물질로형성되고, 상기제2 영역은제2 물질로형성되며, 상기제1 물질과상기제2 물질은서로다른탄소와규소의원자수비를갖는다.

3. 发明授权

KR101961426B1 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101961426B1
公开(公告)日：2019-03-25
申请号：KR1020120057459
申请日：2012-05-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두형 , 김보성 , 양찬우 , 정승호 , 정연택 , 최준환 , 최태영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

4. 发明公开

KR1020130137851A 산화물 반도체의 전구체 조성물, 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판, 그리고 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：氧化物半导体的前驱体组合物，包括氧化物半导体的薄膜晶体管阵列面板，以及包括氧化物半导体的薄膜晶体管阵列的制造方法
公开(公告)号：KR1020130137851A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：KR1020120061457
申请日：2012-06-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두형 , 양찬우 , 정승호 , 김두나 , 김보성 , 박은혜 , 최준환
IPC分类号： H01B1/08 , H01B1/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01B1/06 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/7869 , H01L21/02623 , H01L29/06 , H01L29/66742
摘要： According to one embodiment of the present invention, a thin film transistor substrate includes: a semiconductor layer including a metal arranged on an insulation substrate; a gate electrode overlapped with the semiconductor layer; and a source electrode and a drain electrode which are overlapped with the semiconductor layer. The metal contained inside the semiconductor layer comprises: indium, zinc and tin, and the molar ratio (R) of indium in metals contained in the semiconductor layer is approximately less than 20%. More specifically, the molar ratio (R) of indium in metals contained in the semiconductor layer is approximately 5-13%.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，薄膜晶体管基板包括：包括布置在绝缘基板上的金属的半导体层; 与半导体层重叠的栅电极; 以及与半导体层重叠的源电极和漏电极。包含在半导体层内的金属包括：铟，锌和锡，并且半导体层中包含的金属中的铟的摩尔比（R）大约小于20％。更具体地，半导体层中包含的金属中的铟的摩尔比（R）约为5-13％。

5. 发明公开

KR1020130103077A 산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 无效
标题翻译：氧化物半导体的组合物及其制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020130103077A
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020120024418
申请日：2012-03-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 정승호 , 최태영 , 김두나 , 배병수 , 양찬우 , 이병주 , 조강문 , 황영환 , 전준혁
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： C09D1/00 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/66742
摘要： PURPOSE: A composition for an oxide semiconductor and a method for manufacturing a thin film transistor substrate using the same are provided to reduce the harmfulness of an oxide semiconductor manufacturing process by using the composition including water as a solvent. CONSTITUTION: A pixel transistor substrate includes a pixel gate electrode, a pixel source electrode, a pixel drain electrode, and a first semiconductor pattern. A gate insulation layer (120) is formed on a base substrate (110). The gate insulation layer includes a nitride layer and/or an oxide layer. A passivation layer (140) is formed on the pixel source electrode, the pixel drain electrode, a circuit source electrode, and a circuit drain electrode. A pixel electrode is formed on the passivation layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于氧化物半导体的组合物和使用其的薄膜晶体管衬底的制造方法，以通过使用包含水作为溶剂的组合物来降低氧化物半导体制造工艺的有害性。构成：像素晶体管基板包括像素栅电极，像素源电极，像素漏电极和第一半导体图案。栅极绝缘层（120）形成在基底（110）上。栅极绝缘层包括氮化物层和/或氧化物层。在像素源电极，像素漏电极，电路源电极和电路漏电极上形成钝化层（140）。在钝化层上形成像素电极。

6. 发明授权

KR101910969B1 산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101910969B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020110145657
申请日：2011-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 김두나 , 박은혜 , 김동림 , 김현재 , 임유승 , 임현수
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： C09D5/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/449 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 개시된박막트랜지스터기판의제조방법에따르면, 기판상에, 금속옥살레이트및 용매를포함하는산화물반도체용조성물을코팅하여박막을형성하고, 상기박막을어닐링하고, 상기박막을패터닝하여반도체패턴을형성한다.

7. 发明授权

KR101850510B1 산화물 반도체의 전구체 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：氧化物半导体的前驱物组合物及使用其的薄膜晶体管面板的制造方法
公开(公告)号：KR101850510B1
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：KR1020110025304
申请日：2011-03-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김보성 , 이두형 , 정연택 , 이기범 , 김영민 , 최태영 , 장선필 , 조강문
IPC分类号： C23C16/40 , H01L21/205 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02628 , H01L21/02554 , H01L21/02565
摘要： 산화물반도체의전구체조성물을제공한다. 본발명의한 실시예에따른산화물반도체의전구체조성물은금속이온과유기리간드에의해형성된금속착화합물을포함하고, 하기화학식 (1)로표시된다. MAn 화학식 (1) 여기서, M은금속이온이며 A는알파치환된카르복실레이트(α-substituted carboxylate)를포함하며, n은자연수이다.

8. 发明授权

KR102197854B1 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시기판 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102197854B1
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：KR1020140057332
申请日：2014-05-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양찬우 , 김도현 , 박정주 , 박준현 , 이두형 , 이신흥
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본발명에따른박막트랜지스터는제어전극, 제어전극상에배치된반도체층, 적어도일부가반도체층상에배치된입력전극, 및적어도일부가반도체층상에배치되고, 입력전극과이격된출력전극을포함하고, 입력전극및 출력전극각각은, 금속을포함하는배선층, 배선층의측부에배치되고, 금속의산화물을포함하는더미부, 및배선층상에배치되고, 배선층및 더미부와중첩하는보호층을포함한다.

9. 发明公开

KR1020160120394A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160120394A
公开(公告)日：2016-10-18
申请号：KR1020150049113
申请日：2015-04-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이현준 , 김기원 , 김윤호 , 김준걸 , 이두형
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/44 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터표시판은기판위에위치하고, 게이트전극을포함하는게이트선, 상기게이트전극위에위치하는게이트절연막, 상기기판위에위치하는산화물반도체로형성된반도체층, 상기기판위에위치하고, 상기게이트선과교차하는데이터선, 상기데이터선에연결되어있는소스전극및 상기소스전극과마주보는드레인전극을포함하는데이터선층, 상기소스전극및 상기드레인전극을덮는보호막을포함하고, 상기데이터선층은구리또는구리합금을포함하고, 상기반도체층은구리가도핑된산화물반도체를포함하며, 상기산화물반도체에도핑된구리의함량은 0.2% 내지 0.82%이다.
摘要翻译：薄膜晶体管阵列面板包括设置在基板上的栅极线，栅极线包括栅极电极，设置在栅电极上的栅极绝缘层，设置在基板上的半导体层，包括氧化物半导体的半导体层，数据线，设置在基板上并且与栅极线交叉;数据线层，包括连接到数据线的源电极和面对源电极的漏极，以及覆盖源电极和漏电极的钝化层。数据线层包括铜或铜合金，并且半导体层包括掺铜氧化物半导体。氧化物半导体上掺杂的铜的含量为0.2〜0.82％。

10. 发明公开

KR1020130134154A 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其形成方法
公开(公告)号：KR1020130134154A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057459
申请日：2012-05-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두형 , 김보성 , 양찬우 , 정승호 , 정연택 , 최준환 , 최태영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/385 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L29/7869 , H01L21/02623 , H01L21/288 , H01L29/45 , H01L29/4908
摘要： A thin film transistor is provided. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor comprises: a substrate; an oxide semiconductor layer on the substrate; a gate electrode overlapping the oxide semiconductor layer; a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer; and source and drain electrodes which overlap the oxide semiconductor layer at least in part and are separated from each other. The gate insulating layer includes oxide containing a first substance, the oxide semiconductor layer includes oxide manufactured by mixing the first substance and a second substance, and the source and drain electrodes include oxide manufactured by mixing the second substance and a third substance. The gate insulating layer is manufactured through a solution process including the first substance, the oxide semiconductor layer is manufactured through a solution process including the second substance, and the source and drain electrodes are manufactured through a solution process including the third substance. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S1) Precursor deposition for insulating layer formation/semiconductor layer formation/source and drain formation;(S2) Heat treatment
摘要翻译：提供薄膜晶体管。根据本发明的实施例，薄膜晶体管包括：基板; 在所述基板上的氧化物半导体层; 与氧化物半导体层重叠的栅电极; 栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层; 以及至少部分地与氧化物半导体层重叠并且彼此分离的源极和漏极。栅极绝缘层包括含有第一物质的氧化物，氧化物半导体层包括通过混合第一物质和第二物质而制造的氧化物，源电极和漏电极包括通过混合第二物质和第三物质制造的氧化物。通过包括第一物质的溶液处理制造栅极绝缘层，通过包括第二物质的溶液处理制造氧化物半导体层，并且通过包括第三物质的溶液法制造源极和漏极。（AA）开始;（BB）端;（S1）绝缘层形成/半导体层形成/源极和漏极形成的前体沉积;（S2）热处理

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