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1. 发明专利

KR102232258B1 KR102232258B1 - Display Substrate and Method for Preparing the Same 有权
公开(公告)号：KR102232258B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140112344A
申请日：2014-08-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/13 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L29/24
摘要： 본 발명은 표시 기판 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 수평 수평 전계 모드(PLS)의 액정 표시 장치에 사용되는 표시 기판 제작시 에치 스톱퍼 방식을 이용하면서, 포토 마스크 수를 현저히 감소시키고 직접-접촉부(D-CNT)를 더 포함시켜 내로우 베젤을 구현시킨 표시 기판 및 그의 제조방법이다.

2. 发明专利

KR102227519B1 KR102227519B1 - Display Substrate and Method for Preparing the Same 有权
公开(公告)号：KR102227519B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140112346A
申请日：2014-08-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/4908
摘要： 본 발명은 표시 기판 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 수평 전계 모드(PLS)의 액정 표시 장치에 있어서, 표시 기판 제작시 활용되는 5 마스크(M) 공정을 4 마스크 공정으로 감소시켜 생산성을 증대시킨 표시 기판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

3. 发明授权

KR102232258B1 표시 기판 및 그의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102232258B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140112344
申请日：2014-08-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/13
摘要： 본발명은표시기판및 그의제조방법에관한것으로, 수평수평전계모드(PLS)의액정표시장치에사용되는표시기판제작시에치스톱퍼방식을이용하면서, 포토마스크수를현저히감소시키고직접-접촉부(D-CNT)를더 포함시켜내로우베젤을구현시킨표시기판및 그의제조방법이다.

4. 发明授权

KR101987985B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101987985B1
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：KR1020120053719
申请日：2012-05-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 류혜영 , 김기원 , 박재우 , 윤갑수 , 최영주
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136

5. 发明公开

KR1020160090961A 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160090961A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150010709
申请日：2015-01-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 곽창하 , 윤희정 , 김진율 , 이재필
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/133345 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F2001/134372 , G02F2202/10 , G02F1/134309 , G02F1/136286 , G02F1/1368
摘要： 본발명의실시예에따른액정표시장치및 그의제조방법에따르면, 공통전압선바로위에면형의공통전극을형성하고, 공통전극과게이트선위에반도체층을형성하여, 게이트절연막으로이용한다. 따라서, 하나의기판위에공통전극및 화소전극을형성하고, 공통전압선바로위에공통전극을형성함으로써공통전압의신호지연을방지하면서도, 제조비용증가를방지할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的实施方式的液晶显示装置及其制造方法，在公共电力线上直接形成平面型公共电极。在公共电极和栅极线上形成半导体层。半导体层用作栅极绝缘层。因此，在基板上形成公共电极和像素电极。公共电极直接形成在公共电力线上。从而防止公共电压的信号延迟。此外，可以防止制造成本的增加。

6. 发明公开

KR1020160084537A 박막 트랜지스터 기판 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板包括它
公开(公告)号：KR1020160084537A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：KR1020150000616
申请日：2015-01-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1244 , H01L27/1225 , H01L29/78618 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要： 박막트랜지스터기판이제공된다. 일실시예에따른박막트랜지스터기판은상기반도체층을덮고있는식각방지막; 상기식각방지막을관통하는제1 및제2 콘택홀; 상기식각방지막상에배치되고, 상기제1 콘택홀을통해상기반도체층과전기적으로연결된소스전극; 상기식각방지막상에서상기소스전극과이격배치되고, 상기제2 콘택홀을통해상기반도체층과전기적으로연결되며, 투명전도성산화물층과금속층을포함하는드레인전극; 및상기식각방지막상에배치되고상기투명전도성산화물층으로구성된화소전극;을포함하는제1 영역을포함한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供可靠性和可加工性提高的薄膜晶体管基板。根据本发明的实施例，薄膜晶体管基板包括第一区域，包括：覆盖半导体层的防蚀膜; 第一和第二接触孔，以穿透防蚀膜; 源电极，设置在所述防蚀膜中，经由所述第一接触孔与所述半导体层电连接; 布置在防蚀膜中的漏电极，与源电极分离，经由第二接触孔与半导体层电连接，并且包括透明导电氧化物层和金属层; 以及设置在防蚀膜中并形成有透明导电氧化物层的像素电极。

7. 发明公开

KR1020130129673A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130129673A
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020120053719
申请日：2012-05-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 류혜영 , 김기원 , 박재우 , 윤갑수 , 최영주
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/786 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L33/08 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： The present invention provides a thin film transistor display. The thin film transistor display according to one embodiment of the present invention comprises a substrate; a gate line positioned on the substrate; a gate insulating film poisoned on the gate line; a semiconductor layer positioned on the gate insulating film; a drain electrode and a data line including a source electrode positioned on the semiconductor layer; a protective film positioned on the data line and the drain electrode and having a contact hole; and a pixel electrode positioned on the protective film wherein the contact hole connects the pixel electrode and the drain electrode and the channel part of the semiconductor layer and the contact hole are positioned on the extended line where the gate line is positioned.
摘要翻译：本发明提供一种薄膜晶体管显示器。根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管显示器包括基板; 位于基板上的栅极线; 栅极绝缘膜在栅极线上中毒; 位于栅极绝缘膜上的半导体层; 漏电极和数据线，其包括位于所述半导体层上的源电极; 位于数据线和漏电极上并具有接触孔的保护膜; 以及位于保护膜上的像素电极，其中接触孔连接像素电极和漏极，并且半导体层的沟道部分和接触孔位于栅极线定位的延伸线上。

8. 发明公开

KR1020120021602A 표시 기판 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120021602A
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020100076906
申请日：2010-08-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김기원 , 정경재 , 류혜영 , 최영주 , 최승하 , 윤갑수
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/06 , H01L29/66742
摘要： PURPOSE: A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to have a reliable and stable thin film transistor. CONSTITUTION: A gate wire includes a gate line and a gate electrode(26). The gate wire is formed on an insulating substrate. A semiconductor pattern(42) is formed on the gate wire. The semiconductor pattern comprises a metal oxide nitride semiconductor. A data wire crosses the gate wire on the semiconductor pattern. The carrier concentration of the semiconductor pattern is 1.E+16cm^2 to 1.E+19cm^2.
摘要翻译：目的：提供显示基板及其制造方法以具有可靠且稳定的薄膜晶体管。构成：栅极线包括栅极线和栅电极（26）。栅极线形成在绝缘基板上。半导体图案（42）形成在栅极线上。半导体图案包括金属氧化物氮化物半导体。数据线穿过半导体图形上的栅极线。半导体图案的载流子浓度为1.E + 16cm ^ 2至1.E + 19cm ^ 2。

9. 发明公开

KR1020120014609A 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120014609A
公开(公告)日：2012-02-20
申请号：KR1020100076673
申请日：2010-08-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 이우근 , 김도현
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L21/465
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L21/465 , H01L27/1274 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： PURPOSE: A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to increase the electric property of a switching element with an oxide semiconductor. CONSTITUTION: A gate pattern comprises a gate electrode(123) on a substrate. A gate insulating layer(131) is formed on the substrate with the gate electrode. An insulating layer(133) comprises a first thick unit(132a) which is formed on the gate insulating layer of a first area overlapped with the gate electrode, and a second thick unit(132b) which is thinner than the first thick unit forming on the gate insulating layer of a second area neighboring the first area. An oxide semiconductor pattern(140) is formed on the first thick unit of the first area. An etch stopper(150) is arranged on the oxide semiconductor pattern. A source pattern includes a source electrode and a drain electrode which contact with the oxide semiconductor pattern. A pixel electrode contacts with the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供显示基板及其制造方法，以增加开关元件与氧化物半导体的电性能。构成：栅极图案包括在基板上的栅电极（123）。栅极绝缘层（131）与栅电极形成在衬底上。绝缘层（133）包括形成在与栅电极重叠的第一区域的栅极绝缘层上的第一厚单元（132a）和比形成在第一厚单元上的第一厚单元更薄的第二厚单元（132b）第二区域的栅极绝缘层与第一区域相邻。在第一区域的第一厚单元上形成氧化物半导体图案（140）。在氧化物半导体图案上布置有蚀刻停止层（150）。源图案包括与氧化物半导体图案接触的源电极和漏电极。像素电极与漏电极接触。

10. 发明公开

KR1020110118384A 표시 기판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：显示器基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110118384A
公开(公告)日：2011-10-31
申请号：KR1020100037955
申请日：2010-04-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도현 , 정창오 , 이우근 , 류혜영 , 김기원 , 최영주 , 이영욱 , 이동훈
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要： 표시 기판이 제공된다. 표시 기판은 기판 상에 형성된 게이트 배선 패턴, 게이트 배선 상에 형성된 산화물 액티브층 패턴, 산화물 액티브층 패턴 상에 형성된 데이터 배선 패턴, 및 게이트 배선 패턴 상부 및 데이터 배선 패턴 하부 중 적어도 하나에 형성된 반사방지막 패턴을 포함한다.

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