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1. 发明公开

KR1020170047690A 표시 장치 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170047690A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148083
申请日：2015-10-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 차광민 , 양수경 , 양찬우
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1362 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/124 , H01L21/0206 , H01L21/02175 , H01L21/02244 , H01L21/47635 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 표시장치및 그의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른표시장치는기판, 기판상에배치되는게이트전극, 게이트전극상에배치된반도체패턴, 반도체패턴상에형성되며데이터라인, 소스전극및 드레인전극을포함하는데이터배선및 반도체패턴과데이터배선사이에배치되는제1 배리어층및 제1 배리어층의적어도일측에배치되는언더컷을포함한다.
摘要翻译：提供了一种显示装置及其制造方法。根据本发明实施例的显示装置包括基板，设置在基板上的栅电极，设置在栅电极上的半导体图案，形成在半导体图案上并包括数据线，源电极和漏电极的数据线，设置在半导体图案和数据线之间的第一阻挡层以及设置在第一阻挡层的至少一侧上的底切。

2. 发明授权

KR102245730B1 박막트랜지스터 기판 有权
公开(公告)号：KR102245730B1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：KR1020140161644
申请日：2014-11-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양찬우 , 신현억 , 정창오 , 양수경 , 이동민
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 박막트랜지스터기판및 이의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예는, 게이트전극; 반도체층; 및상기반도체층과접촉되어있고, c 축방향의결정크기 Lc(002)가 67 Å이상내지 144 Å이하인금속산화물을포함하는소오스/드레인전극;을포함하는박막트랜지스터기판을제공한다.

3. 发明授权

KR102197854B1 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시기판 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102197854B1
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：KR1020140057332
申请日：2014-05-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양찬우 , 김도현 , 박정주 , 박준현 , 이두형 , 이신흥
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본발명에따른박막트랜지스터는제어전극, 제어전극상에배치된반도체층, 적어도일부가반도체층상에배치된입력전극, 및적어도일부가반도체층상에배치되고, 입력전극과이격된출력전극을포함하고, 입력전극및 출력전극각각은, 금속을포함하는배선층, 배선층의측부에배치되고, 금속의산화물을포함하는더미부, 및배선층상에배치되고, 배선층및 더미부와중첩하는보호층을포함한다.

4. 发明公开

KR1020160119935A 표시장치 및 그 제작 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160119935A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150048610
申请日：2015-04-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정창오 , 신현억 , 양수경 , 양찬우 , 이동민
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/786 , G09F9/30 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/124 , G02F2001/13629 , H01L27/1259 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L51/5281 , H01L2251/306
摘要： 본발명의일 실시예에따른표시장치는, 게이트라인, 상기게이트라인과교차하는데이터라인및 그게이트전극이상기게이트라인에전기적으로접속되고그 제1 전극이상기데이터라인에전기적으로접속되는제1 트랜지스터를포함할수 있고, 상기제1 트랜지스터의상기게이트전극, 상기제1 트랜지스터의상기제1 전극및 상기제1 트랜지스터의제2 전극중 적어도하나가제1 도전체층또는제2 도전체층을포함할수 있으며, 상기제1 도전체층은제1 금속층및 상기제1 금속층위에형성되는제2 금속층을포함하고, 상기제2 도전체층은제3 금속층및 상기제3 금속층위에형성되는제4 금속층을포함할수 있으며, 상기제2 금속층의반사율은상기제1 금속층의반사율보다낮고, 상기제4 금속층의반사율은상기제3 금속층의반사율보다낮을수 있다.
摘要翻译：显示装置包括栅极线，与栅极线交叉的数据线，以及第一晶体管，其包括电耦合到栅极线的栅电极和与数据线电耦合的第一电极。第一晶体管的栅电极，第一晶体管的第一电极和第一晶体管的第二电极中的至少一个包括第一导体层和第二导体层中的至少一个。第一导体层包括设置在第一金属层上的第一金属层和第二金属层。第二导体层包括设置在第三金属层上的第三金属层和第四金属层。第二金属层的反射率比第一金属层低。第四金属层的反射率比第三金属层低。

5. 发明公开

KR1020160041175A 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이의 제조 장치 审中-实审
标题翻译：制造薄膜晶体管基板的方法及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160041175A
公开(公告)日：2016-04-18
申请号：KR1020140134582
申请日：2014-10-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양수경 , 신상원 , 신현억 , 양찬우 , 이동민
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/1259 , C23C14/02 , C23C14/541 , C23C14/5806 , H01J37/34 , H01L21/28008 , H01L29/42356 , H01L29/42372 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66742 , H01L29/78636 , H01L29/78618
摘要： 박막트랜지스터기판의제조방법이개시된다. 상기방법에서, 베이스기판의제1 면상에제1 금속층을형성한다. 상기제1 금속층에제1 냉각판을접촉시키고, 상기제1 면의반대면인제2면에제2 냉각판을접촉시켜상기베이스기판을냉각한다. 상기제1 금속층을패터닝하여게이트전극을형성한다. 상기게이트전극과중첩하며, 서로이격되는소스전극및 드레인전극을형성한다. 상기드레인전극과전기적으로연결된화소전극을형성한다. 따라서, 박막트랜지스터기판의제조시기판의휨 현상을방지할수 있다.
摘要翻译：公开了一种用于制造薄膜晶体管衬底的方法。通过该方法，在基底基板的第一表面上形成第一金属层。通过使第一金属层与第一冷却板接触并使与第一表面相反的第二表面与第二冷却板接触来冷却基底基板。通过图案化第一金属层形成栅电极。形成源电极和漏电极。源极与漏电极间隔开。源极和漏极部分地与栅电极重叠。形成与漏极电极电连接的像素电极。因此，当制造薄膜晶体管基板时，防止了基板的弯曲现象。

6. 发明公开

KR1020130134154A 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其形成方法
公开(公告)号：KR1020130134154A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057459
申请日：2012-05-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두형 , 김보성 , 양찬우 , 정승호 , 정연택 , 최준환 , 최태영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/385 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L29/7869 , H01L21/02623 , H01L21/288 , H01L29/45 , H01L29/4908
摘要： A thin film transistor is provided. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor comprises: a substrate; an oxide semiconductor layer on the substrate; a gate electrode overlapping the oxide semiconductor layer; a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer; and source and drain electrodes which overlap the oxide semiconductor layer at least in part and are separated from each other. The gate insulating layer includes oxide containing a first substance, the oxide semiconductor layer includes oxide manufactured by mixing the first substance and a second substance, and the source and drain electrodes include oxide manufactured by mixing the second substance and a third substance. The gate insulating layer is manufactured through a solution process including the first substance, the oxide semiconductor layer is manufactured through a solution process including the second substance, and the source and drain electrodes are manufactured through a solution process including the third substance. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S1) Precursor deposition for insulating layer formation/semiconductor layer formation/source and drain formation;(S2) Heat treatment
摘要翻译：提供薄膜晶体管。根据本发明的实施例，薄膜晶体管包括：基板; 在所述基板上的氧化物半导体层; 与氧化物半导体层重叠的栅电极; 栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层; 以及至少部分地与氧化物半导体层重叠并且彼此分离的源极和漏极。栅极绝缘层包括含有第一物质的氧化物，氧化物半导体层包括通过混合第一物质和第二物质而制造的氧化物，源电极和漏电极包括通过混合第二物质和第三物质制造的氧化物。通过包括第一物质的溶液处理制造栅极绝缘层，通过包括第二物质的溶液处理制造氧化物半导体层，并且通过包括第三物质的溶液法制造源极和漏极。（AA）开始;（BB）端;（S1）绝缘层形成/半导体层形成/源极和漏极形成的前体沉积;（S2）热处理

7. 发明公开

KR1020170033965A 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：透明显示装置及透明显示装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170033965A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150131835
申请日：2015-09-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정승호 , 최천기 , 김현식 , 박혜영 , 박혜향 , 양희원 , 이은영 , 전주희 , 양수경 , 양찬우
IPC分类号： H01L51/52 , H01L27/32 , H01L51/56
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L29/78675 , H01L2227/323
摘要： 투명표시장치는화소영역및 투과영역을포함하는베이스기판, 베이스기판상에배치되는배리어막, 베이스기판의화소영역에배치되는화소회로, 화소회로상에배치되는표시구조물, 베이스기판의투과영역에배치되고, 실리콘산질화물의단일조성을갖는투과막구조물, 베이스기판과배리어막사이및 베이스기판과투과막구조물사이에배치되고, 알루미늄산화물을포함하는접착막, 및베이스기판의투과영역에서정의되고, 투과막구조물의상면을노출시키는투과창을포함한다.
摘要翻译：透明显示装置是在所述显示结构的发送区域，在基底基板被放置在像素电路上，设置在所述阻挡膜的像素区域中的像素电路中，在基底基板被放置在基底上，包括像素区域和透射区域的基底基板透明膜结构，具有单一组成的氧氮化硅，粘合膜设置在基底和阻挡膜之间以及基底和透射膜结构之间，粘合膜包含氧化铝，透射窗口暴露透射膜结构的上表面。

8. 发明公开

KR1020160119314A 박막 트랜지스터 표시판, 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列液晶显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160119314A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020150046933
申请日：2015-04-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양찬우 , 신현억 , 양수경 , 이동민
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본발명의일실시예에따른박막트랜지스터표시판은제1 기판위에위치하고, 게이트전극을포함하는게이트선, 상기제1 기판위에위치하는산화물반도체로형성된반도체층, 상기제1 기판위에위치하고, 상기게이트선과교차하는데이터선, 상기데이터선에연결되어있는소스전극및 상기소스전극과마주보는드레인전극을포함하는데이터배선층, 상기데이터배선층위에위치하는캐핑층, 상기캐핑층위에위치하는경사막및 상기경사막위에위치하는보호막을포함하고, 상기경사막은실세스퀴옥산(silsesquioxane)계공중합체를포함한다.

9. 发明公开

KR1020160066672A 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：有机发光显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160066672A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140170828
申请日：2014-12-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정창오 , 신현억 , 양수경 , 양찬우 , 이동민
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5215 , H01L2251/301 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H01L27/32 , H01L27/3202 , H01L51/56
摘要： 본발명의일 실시예는기판; 상기기판상에배치된제1 전극; 상기제1 전극상에배치된유기발광층; 및상기유기발광층상에배치된제2 전극;을포함하고, 상기제1 전극은, 은(Ag)을포함하는제1 층; 상기제1 층상에위치하고, 은(Ag)이아닌금속의산화물을포함하는제2 층;을포함하는유기발광표시장치를제공한다.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种有机发光显示装置。有机发光显示装置包括：基板; 设置在所述基板上的第一电极; 设置在所述第一电极上的有机发光层; 以及设置在有机发光层上的第二电极。第一电极包括：包含银（Ag）的第一层; 以及位于第一层上并且包括除银（Ag）之外的金属的氧化物的第二层。有机发光显示装置具有改进的显示质量和产量。

10. 发明公开

KR1020160060216A 박막트랜지스터 기판 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板
公开(公告)号：KR1020160060216A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020140161644
申请日：2014-11-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양찬우 , 신현억 , 정창오 , 양수경 , 이동민
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/41733 , C22C29/12 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/7869
摘要： 박막트랜지스터기판및 이의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예는, 게이트전극; 반도체층; 및상기반도체층과접촉되어있고, c 축방향의결정크기 Lc(002)가 67 Å이상내지 144 Å이하인금속산화물을포함하는소오스/드레인전극;을포함하는박막트랜지스터기판을제공한다.
摘要翻译：提供薄膜晶体管基板及其制造方法。本发明的目的是以提高的产率提供薄膜晶体管衬底。本发明的实施例提供一种薄膜晶体管基板，包括：栅电极; 半导体层; 以及与半导体层接触并包含晶体尺寸Lc（002）在C轴方向上的金属氧化物为67〜144埃的源极/漏极。

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