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1. 发明专利

KR20210028302A KR20210028302A - Display device 审中-公开
公开(公告)号：KR20210028302A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190108654A
申请日：2019-09-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 홍원기 , 박소희 , 서문희 , 이현준
IPC分类号： H01L27/32 , A61B5/00 , A61B5/024 , G06F3/041 , H01L51/52
CPC分类号： H01L27/3227 , A61B5/6826 , H04M1/0266 , A61B5/0059 , A61B5/02108 , A61B5/0261 , A61B5/6898 , G06F3/041 , H01L27/323 , H01L51/52 , A61B2562/0247 , A61B2562/046 , A61B5/02416 , H04M2250/12
摘要： 혈압 측정 기능을 갖는 표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 화면을 표시하는 표시 패널, 및 압력 센서와 맥파 센서를 포함하는 혈압 측정 모듈을 포함하되, 상기 압력 센서는 상기 표시 패널에 가해지는 압력을 센싱하고, 상기 맥파 센서는 광학 센서를 포함하며, 상기 맥파 센서는 광원으로서 상기 표시 패널의 화소로부터 발광된 빛을 이용하여 맥파 신호를 생성한다.

2. 发明公开

KR1020170080861A 액정 표시 장치 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170080861A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020150190230
申请日：2015-12-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 오동건 , 임성훈 , 정도현 , 송진호 , 이현준
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13456 , G02F2001/13629 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2202/02
摘要： 본발명의일 실시예에따른액정표시장치는기판, 기판상에배치되는제1 게이트라인, 제1 게이트라인상에배치되며, 제1 게이트라인과절연되는데이터라인, 데이터라인상에데이터라인과동일한방향을따라연장되며, 데이터라인과중첩되는보조라인, 제1 게이트라인과연결되는제1 전극, 데이터라인과연결되는제2 전극및 데이터라인과동일층에배치되되제2 전극과이격되는제3 전극을갖는제1 스위칭소자및 제1 스위칭소자의제3 전극과연결되는제1 화소전극을포함하고, 보조라인은제1 화소전극과동일층에배치되며, 제1 게이트라인과연결된다.
摘要翻译：根据本发明的实施方式的液晶显示装置，包括：衬底;和在所述第一栅极线的布置中，设置在基板上的第一栅极线，与栅极线绝缘的第一数据线，所述数据线的数据线和连接到第一栅极线的第一电极，连接到数据线的第二电极以及设置在与数据线相同的层上并与第二电极间隔开的第二电极，包括第一开关元件和连接到具有第三电极的第一开关元件的所述第三电极的第一像素电极，与辅助线被布置在第一像素电极在同一层中，并且连接到所述第一栅极线。

3. 发明公开

KR1020160114781A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜传感器阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160114781A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150040853
申请日：2015-03-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이현준 , 아베카츠미 , 이영욱
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/124 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G3/3696 , G09G2300/0426 , G09G2310/08 , G09G2320/0214 , H01L21/563 , H01L21/76802 , H01L21/76879 , H01L23/3171 , H01L23/528 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , G02F1/13 , H01L29/78606 , H01L29/78618
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터표시판은기판, 기판위에위치하는제1 게이트전극, 기판상에위치하는전압배선, 제1 게이트전극및 전압배선위에위치하는게이트절연막, 게이트절연막위에위치하며, 산화물반도체물질로이루어지는반도체패턴, 반도체패턴위에서로이격되어형성되는소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극위에위치하는제1 보호막및 제1 보호막위에위치하고, 전압배선과연결되어있는제1 전극을포함한다.
摘要翻译：薄膜晶体管阵列面板包括衬底，设置在衬底上的第一栅极电极，设置在衬底上的电压线，设置在第一栅电极和电压线上的栅极绝缘层，包括氧化物半导体材料的半导体图案设置在所述栅极绝缘层上，在所述半导体图案上彼此间隔设置的源电极和漏电极，设置在所述源电极和所述漏电极上的第一钝化层，以及设置在所述第一钝化层上的第一电极并与电压线连接。

4. 发明公开

KR1020150060448A 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150060448A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144863
申请日：2013-11-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김두나 , 이현준 , 김창옥 , 김윤호 , 서기성 , 조정연
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/02131 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L29/4908 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L29/78606 , G02F1/1368
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터표시판은절연기판, 상기절연기판위에위치하며게이트전극을포함하는게이트선, 상기게이트선위에위치하는게이트절연막, 상기게이트절연막위에위치하는반도체층, 및상기반도체층위에위치하며이격된소스전극및 드레인전극을포함하고, 상기게이트절연막은불소화실리콘산화막(SiOF)을포함하며, 상기게이트전극, 상기반도체층, 상기소스전극및 상기드레인전극은박막트랜지스터를이루고, 상기박막트랜지스터의문턱전압이동값은약 4.9V 미만이다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管显示面板包括绝缘基板，位于绝缘基板上并包括栅电极的栅极线，位于栅极线上的栅极绝缘层，半导体层位于栅极绝缘层上的源电极和漏电极分别位于半导体层上。栅极绝缘层包括SiOF。栅电极，半导体层，源极和漏极包括薄膜晶体管。薄膜晶体管的阈值电压偏移值低于约4.9V。

5. 发明公开

KR1020160002291A 표시 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160002291A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020140106712
申请日：2014-08-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박준현 , 김윤호 , 이현준 , 조강문 , 채종철
IPC分类号： G02F1/1362 , G09G3/36 , G02F1/13
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L29/786
摘要： 표시장치는표시패널및 게이트구동회로를포함한다. 상기표시패널은베이스기판및 스위칭트랜지스터를포함하며, 상기베이스기판은영상을표시하는표시영역및 상기표시영역을둘러싸는주변영역을포함하고, 상기스위칭트랜지스터는상기표시영역상에배치된제1 게이트전극, 상기제1 게이트전극상에배치된제1 채널및 상기제1 채널상에서로이격되는제1 소스, 드레인전극을포함한다. 상기게이트구동회로는구동트랜지스터를포함하며, 상기구동트랜지스터는상기표시패널의상기주변영역에집적(integrated)되어상기표시패널에게이트출력신호를인가하며, 상기주변영역상에배치된제2 게이트전극, 상기제2 게이트전극상에배치된제2 채널, 상기제2 채널상에서로이격되는제2 소스, 드레인전극을포함하고, 상기제2 채널은상기제1 채널보다큰 두께를갖도록, 제1 활성층및 상기제1 활성층상에배치된제2 활성층을포함한다. 따라서, 표시장치의신뢰성및 수명을향상시킬수 있다.
摘要翻译：显示装置包括显示面板和门驱动电路。显示面板包括基底基板和开关晶体管。基底基板包括用于显示图像的显示区域和围绕显示区域的外围区域。此外，开关晶体管包括设置在显示区域上的第一栅极电极，设置在第一栅电极上的第一沟道，以及在第一沟道上彼此间隔开的第一源电极和第一漏电极。栅极驱动电路包括驱动晶体管。驱动晶体管集成在显示面板的外围区域中，以向显示面板施加栅极输出信号，并且包括设置在外围区域上的第二栅电极，设置在第二栅电极上的第二通道和第二源极电极和在第二通道上彼此间隔开的第二漏电极。第二通道包括设置在第一有源层上的第一有源层和第二有源层，使得第二通道的厚度大于第一通道的厚度。因此，可以提高显示装置的可靠性和寿命。

6. 发明公开

KR1020170045423A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170045423A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：KR1020150144680
申请日：2015-10-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 방석환 , 반숙환 , 김형준 , 이우근 , 이현준
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1262 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L29/786 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要： 본발명은박막트랜지스터표시판에관한것으로, 기판, 상기기판위에위치하고, 게이트전극을포함하는게이트선, 상기기판위에위치하고, 산화물반도체를포함하는반도체층, 상기게이트전극과상기반도체층사이에위치하는게이트절연막, 상기기판위에위치하는소스전극및 상기소스전극과마주보는드레인전극을포함하는데이터배선층, 그리고상기소스전극및 상기드레인전극을덮는금속산화인층을포함한다.
摘要翻译：薄膜晶体管显示面板技术领域本发明涉及一种薄膜晶体管显示面板，更具体地，涉及一种薄膜晶体管面板，该薄膜晶体管面板包括基板，包括栅极的栅极线，位于基板上并包括氧化物半导体的半导体层，数据布线层包括绝缘膜，位于衬底上的源电极和面对源电极的漏电极以及覆盖源电极和漏电极的金属氧化物层。

7. 发明公开

KR1020160120394A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160120394A
公开(公告)日：2016-10-18
申请号：KR1020150049113
申请日：2015-04-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이현준 , 김기원 , 김윤호 , 김준걸 , 이두형
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/44 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터표시판은기판위에위치하고, 게이트전극을포함하는게이트선, 상기게이트전극위에위치하는게이트절연막, 상기기판위에위치하는산화물반도체로형성된반도체층, 상기기판위에위치하고, 상기게이트선과교차하는데이터선, 상기데이터선에연결되어있는소스전극및 상기소스전극과마주보는드레인전극을포함하는데이터선층, 상기소스전극및 상기드레인전극을덮는보호막을포함하고, 상기데이터선층은구리또는구리합금을포함하고, 상기반도체층은구리가도핑된산화물반도체를포함하며, 상기산화물반도체에도핑된구리의함량은 0.2% 내지 0.82%이다.
摘要翻译：薄膜晶体管阵列面板包括设置在基板上的栅极线，栅极线包括栅极电极，设置在栅电极上的栅极绝缘层，设置在基板上的半导体层，包括氧化物半导体的半导体层，数据线，设置在基板上并且与栅极线交叉;数据线层，包括连接到数据线的源电极和面对源电极的漏极，以及覆盖源电极和漏电极的钝化层。数据线层包括铜或铜合金，并且半导体层包括掺铜氧化物半导体。氧化物半导体上掺杂的铜的含量为0.2〜0.82％。

8. 发明公开

KR1020160092152A 박막 트랜지스터 제조 방법과 박막 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160092152A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020150012375
申请日：2015-01-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 류명관 , 김기환 , 윤갑수 , 이현준 , 허정욱
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L21/324 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78666 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618
摘要： 본발명은박막트랜지스터제조방법과박막트랜지스터를포함하는표시장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른박막트랜지스터제조방법은기판위에장벽층을형성하는단계; 상기장벽층위에반도체층을형성하는단계; 상기반도체층 위에게이트절연막을형성하는단계; 상기게이트절연막위에게이트전극을형성하는단계; 플라즈마열처리또는어닐링공정을통해상기게이트전극의외곽에오프셋영역을형성하는단계; 상기게이트전극의오프셋영역을식각하는단계; 상기게이트전극의아래에위치한게이트절연막을제외한게이트절연막을식각하는단계; 상기게이트전극위에층간절연막을형성하는단계; 및상기층간절연막을식가처리한후 소스전극과드레인전극을형성하는단계;를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种包括薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。根据本发明的实施例，制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成壁层的步骤; 在所述壁层上形成半导体层的步骤; 在半导体层上形成栅极绝缘膜的步骤; 在栅极绝缘膜上形成栅电极的步骤; 通过等离子体热处理或退火处理在栅电极的边界上形成偏移区域的步骤; 蚀刻栅电极的偏移区域的步骤; 蚀刻位于栅极下方的栅极绝缘膜以外的栅极绝缘膜的工序; 在栅电极上形成绝缘膜的步骤; 以及蚀刻形成绝缘膜之后形成源电极和漏电极的步骤。

9. 发明公开

KR1020160062322A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160062322A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020140164697
申请日：2014-11-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 이현준 , 박병규 , 박은혜 , 주병환
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/31144 , H01L23/53257 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66969 , H01L2924/0002 , H01L29/78606 , H01L27/3262 , H01L2924/00
摘要： 박막트랜지스터기판은제1 방향으로연장되는게이트라인및 상기게이트라인과전기적으로연결되는게이트전극을포함하는게이트금속패턴, 상기게이트전극과중첩하는액티브패턴, 상기액티브패턴상에배치되는식각방지층, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는데이터라인, 상기데이터라인과전기적으로연결되고상기식각방지층에형성되는제1 관통홀을통해상기액티브패턴과전기적으로연결되는소스전극및 상기소스전극과이격되어배치되며, 상기제1 관통홀과인접하게형성되는제2 관통홀을통해상기액티브패턴과전기적으로연결되는드레인전극을포함하는데이터금속패턴및 상기데이터금속패턴상에배치되는제1 패시베이션층을포함한다.
摘要翻译：薄膜晶体管基板包括：栅极金属图案，包括沿第一方向延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极; 与栅电极重叠的有源图案; 设置在活性图案上的蚀刻停止层; 包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的数据线的数据金属图案，电连接到数据线并通过形成在蚀刻停止层中的第一通孔电连接到有源图案的源极，以及漏极与源电极分离并通过与第一通孔相邻的第二通孔电连接到有源图案; 以及设置在数据金属图案上的第一钝化层。根据本发明的实施例，可以减少在制造过程中使用的掩模。

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