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1. 发明专利

TW202008615A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW202008615A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108127310
申请日：2019-08-01
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN, CHAO-HSING , 馬逸倫 , MA, I-LUN , 呂政霖 , LU, CHENG-LIN , 許啟祥 , HSU, CHI-SHIANG , 洪孟祥 , HONG, MENG-HSIANG , 陳之皓 , CHEN, CHIH-HAO , 王心盈 , WANG, HSIN-YING , 林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 洪國慶 , HUNG, KUO-CHING
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62
摘要：一發光元件，包含一基板包含一上表面，一第一側表面及一第二側表面，其中基板之第一側表面及第二側表面分別連接至基板之上表面之兩相對側；一半導體疊層位於基板之上表面上，半導體疊層包含一第一半導體層，一第二半導體層，及一活性層位於第一半導體層及第二半導體層之間；一第一電極墊鄰近發光元件之一第一邊；以及一第二電極墊鄰近發光元件之一第二邊，其中自發光元件之一上視圖觀之，第一邊及第二邊係位於發光元件之不同側或相對側，靠近第一邊之第一半導體層包含一第一側壁與基板之第一側表面直接連接，且靠近第二邊之第一半導體層包含一第二側壁與基板之第二側表面相隔一距離。
简体摘要：一发光组件，包含一基板包含一上表面，一第一侧表面及一第二侧表面，其中基板之第一侧表面及第二侧表面分别连接至基板之上表面之两相对侧；一半导体叠层位于基板之上表面上，半导体叠层包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一电极垫邻近发光组件之一第一边；以及一第二电极垫邻近发光组件之一第二边，其中自发光组件之一上视图观之，第一边及第二边系位于发光组件之不同侧或相对侧，靠近第一边之第一半导体层包含一第一侧壁与基板之第一侧表面直接连接，且靠近第二边之第一半导体层包含一第二侧壁与基板之第二侧表面相隔一距离。

2. 发明专利

TW201828509A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201828509A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107102755
申请日：2018-01-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 陳昭興 , CHEN, CHAO-HSING , 王佳琨 , WANG, JIA-KUEN , 曾咨耀 , TSENG, TZU-YAO , 余仁傑 , YU, JEN-CHIEH , 陳冠吾 , CHEN, GUAN-WU
IPC分类号： H01L33/62
摘要：一發光元件包含一半導體結構，其包含一第一半導體層，一第二半導體層，及一活性層位於第一半導體層和第二半導體層之間；一通孔穿過第二半導體層和活性層以露出第一半導體層的一表面;一第一電極形成在通孔中和第二半導體層上；一第二電極形成在第二半導體層上；以及一絕緣結構覆蓋第一電極、第二電極和半導體結構，並且絕緣結構包括一第一開口以露出第一電極和一第二開口以露出第二電極，其中第一電極和第二電極分別包括一金屬層以與絕緣結構相接觸，金屬層包括一材料具有大於1500達因/厘米(dyne/cm)的表面張力值和大於0.3伏(V)的標準還原電位。
简体摘要：一发光组件包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在通孔中和第二半导体层上；一第二电极形成在第二半导体层上；以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构，并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极，其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与绝缘结构相接触，金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。

3. 发明专利

TW201801431A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201801431A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106890
申请日：2017-03-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：徐子傑 , HSU, TZU-CHIEH , 黃意雯 , HUANG, YI-WEN , 林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 呂志強 , LU, CHIH-CHIANG
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/187 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0283 , H01S5/0286 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18322 , H01S5/18344 , H01S5/1835 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/343 , H01S5/423 , H01S2301/18
摘要：本發明揭露一種發光元件。發光元件可發出一輻射且包含：一基板；一位於基板上的磊晶結構，磊晶結構依序包含一第一分布布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector，DBR)、一發光疊層、一第二分布布拉格反射鏡以及一接觸層；一電極；一介於接觸層以及電極之間的電流阻擋層；一形成於電流阻擋層中的第一開口；以及一形成於電極中以及位於第一開口之中的第二開口，其中發光元件於第二分布布拉格反射鏡疊層之中，缺乏一氧化層以及缺乏一離子佈植層。
简体摘要：本发明揭露一种发光组件。发光组件可发出一辐射且包含：一基板；一位于基板上的磊晶结构，磊晶结构依序包含一第一分布布拉格反射镜(distributed Bragg reflector，DBR)、一发光叠层、一第二分布布拉格反射镜以及一接触层；一电极；一介于接触层以及电极之间的电流阻挡层；一形成于电流阻挡层中的第一开口；以及一形成于电极中以及位于第一开口之中的第二开口，其中发光组件于第二分布布拉格反射镜叠层之中，缺乏一氧化层以及缺乏一离子布植层。

4. 发明专利

TWI701719B 製造半導體元件的方法有权
简体标题：制造半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI701719B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108114844
申请日：2016-09-09
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RON-REN , 徐子傑 , HSU, TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L21/22 , H01L33/14

5. 发明专利

TW201810385A 製造半導體元件的方法审中-公开
简体标题：制造半导体组件的方法
公开(公告)号：TW201810385A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105129210
申请日：2016-09-09
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN , 徐子傑 , HSU, TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L21/22 , H01L33/14
摘要：本申請提供一種製造半導體元件的方法。製造半導體元件的方法包含：提供一第一半導體層，其包含一第一區域；形成一第二半導體層於第一區域上，第二半導體層包含一摻雜物，且摻雜物在第二半導體層內的濃度高於摻雜物在第一半導體層內的濃度；以及使第二半導體層的摻雜物進入第一半導體層的第一區域。
简体摘要：本申请提供一种制造半导体组件的方法。制造半导体组件的方法包含：提供一第一半导体层，其包含一第一区域；形成一第二半导体层于第一区域上，第二半导体层包含一掺杂物，且掺杂物在第二半导体层内的浓度高于掺杂物在第一半导体层内的浓度；以及使第二半导体层的掺杂物进入第一半导体层的第一区域。

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