专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201830736A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201830736A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107117674
申请日：2014-09-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：劉建良 , LIU,CHIEN-LIANG , 許明祺 , HSU,MING-CHI , 廖世安 , LIAO,SHIH-AN , 余仁傑 , YU,JEN-CHIEH , 謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 郭家泰 , KUO,JIA-TAY , 宋玉璽 , SUNG,YU-HSI , 陳柏璋 , CHEN,PO-CHANG
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/62
摘要：本發明揭示一種發光模組，包含一承載板，一發光裝置以及一光學元件。發光裝置包含一發光元件，一第一電極與一第二電極形成在該發光元件之一側並與該承載板電性連接，以及一光學層形成在該發光元件相對於該第一電極的另一側並覆蓋該發光元件。光學元件覆蓋該發光裝置。該光學層在所入射的光線波長之波峰值介於400-600 nm的範圍間時具有大於80%的反射率。
简体摘要：本发明揭示一种发光模块，包含一承载板，一发光设备以及一光学组件。发光设备包含一发光组件，一第一电极与一第二电极形成在该发光组件之一侧并与该承载板电性连接，以及一光学层形成在该发光组件相对于该第一电极的另一侧并覆盖该发光组件。光学组件覆盖该发光设备。该光学层在所入射的光线波长之波峰值介于400-600 nm的范围间时具有大于80%的反射率。

2. 发明专利

TW201911607A 發光裝置以及其製造方法审中-公开
简体标题：发光设备以及其制造方法
公开(公告)号：TW201911607A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106125634
申请日：2017-07-28
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：鄭景太 , CHENG, CHING-TAI , 石俊華 , SHIH, CHUN-HUA , 任益華 , RENN, YIH-HUA , 余仁傑 , YU, JEN-CHIEH , 劉欣茂 , LIU, HSIN-MAO
IPC分类号： H01L33/50
摘要：一種發光裝置，包含一發光元件、一波長轉換層以及一反射圍欄。發光元件包含一第一上表面、一下表面以及位於上表面及下表面之間之一側面。波長轉換層包含波長轉換材料，且包含覆蓋第一上表面的第二上表面。反射圍欄環繞發光元件之側面，且直接接觸波長轉換層並與該第二上表面之間有一段差。其中，發光裝置之發光角度介於110度至118度之間。
简体摘要：一种发光设备，包含一发光组件、一波长转换层以及一反射围栏。发光组件包含一第一上表面、一下表面以及位于上表面及下表面之间之一侧面。波长转换层包含波长转换材料，且包含覆盖第一上表面的第二上表面。反射围栏环绕发光组件之侧面，且直接接触波长转换层并与该第二上表面之间有一段差。其中，发光设备之发光角度介于110度至118度之间。

3. 发明专利

TWI628814B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI628814B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW103133854
申请日：2014-09-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：劉建良 , LIU, CHIEN LIANG , 許明祺 , HSU, MING CHI , 廖世安 , LIAO, SHIH AN , 余仁傑 , YU, JEN CHIEH , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 郭家泰 , KUO, JIA TAY , 宋玉璽 , SUNG, YU HSI , 陳柏璋 , CHEN, PO CHANG
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/62

4. 发明专利

TW201624774A 發光元件以及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201624774A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104128058
申请日：2015-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：劉建良 , LIU, CHIEN-LIANG , 許明祺 , HSU, MING-CHI , 余仁傑 , YU, JEN-CHIEH
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/18
摘要：一種發光元件，其包含發光疊層、光反射圍欄、接觸電極及波長轉換層。發光疊層具有一第一（上）表面、一底面、以及至少一個連結第一（上）表面及底面的側面。光反射圍欄具有一第二（上）表面，並圍繞發光疊層之側面且暴露出第一（上）表面。接觸電極形成在發光疊層的底面。波長轉換層至少覆蓋第一（上）表面與第二（上）表面，其中，第二（上）表面具有多個微小的凹陷結構分布其上。
简体摘要：一种发光组件，其包含发光叠层、光反射围栏、接触电极及波长转换层。发光叠层具有一第一（上）表面、一底面、以及至少一个链接第一（上）表面及底面的侧面。光反射围栏具有一第二（上）表面，并围绕发光叠层之侧面且暴露出第一（上）表面。接触电极形成在发光叠层的底面。波长转换层至少覆盖第一（上）表面与第二（上）表面，其中，第二（上）表面具有多个微小的凹陷结构分布其上。

5. 发明专利

TW201613146A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201613146A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103133854
申请日：2014-09-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：劉建良 , LIU, CHIEN LIANG , 許明祺 , HSU, MING CHI , 廖世安 , LIAO, SHIH AN , 余仁傑 , YU, JEN CHIEH , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 郭家泰 , KUO, JIA TAY , 宋玉璽 , SUNG, YU HSI , 陳柏璋 , CHEN, PO CHANG
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/62
摘要：本發明係揭露一發光裝置，包含一半導體發光元件，發出一第一光線並包含一出光面、一位於半導體發光元件之上並包含一第一區與一第二區的透明支撐元件，以及位於透明支撐元件之上的光學元件。第一光線經過光學元件以產生一具有一光場分布的第二光線，並且光場分布具有一最大值對應於第一區以及一最小值對應於第二區。
简体摘要：本发明系揭露一发光设备，包含一半导体发光组件，发出一第一光线并包含一出光面、一位于半导体发光组件之上并包含一第一区与一第二区的透明支撑组件，以及位于透明支撑组件之上的光学组件。第一光线经过光学组件以产生一具有一光场分布的第二光线，并且光场分布具有一最大值对应于第一区以及一最小值对应于第二区。

6. 发明专利

TWI677113B 發光元件以及其製造方法有权
简体标题：发光组件以及其制造方法
公开(公告)号：TWI677113B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW104128058
申请日：2015-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：劉建良 , LIU, CHIEN-LIANG , 許明祺 , HSU, MING-CHI , 余仁傑 , YU, JEN-CHIEH
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/10

7. 发明专利

TW201828509A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201828509A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107102755
申请日：2018-01-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 陳昭興 , CHEN, CHAO-HSING , 王佳琨 , WANG, JIA-KUEN , 曾咨耀 , TSENG, TZU-YAO , 余仁傑 , YU, JEN-CHIEH , 陳冠吾 , CHEN, GUAN-WU
IPC分类号： H01L33/62
摘要：一發光元件包含一半導體結構，其包含一第一半導體層，一第二半導體層，及一活性層位於第一半導體層和第二半導體層之間；一通孔穿過第二半導體層和活性層以露出第一半導體層的一表面;一第一電極形成在通孔中和第二半導體層上；一第二電極形成在第二半導體層上；以及一絕緣結構覆蓋第一電極、第二電極和半導體結構，並且絕緣結構包括一第一開口以露出第一電極和一第二開口以露出第二電極，其中第一電極和第二電極分別包括一金屬層以與絕緣結構相接觸，金屬層包括一材料具有大於1500達因/厘米(dyne/cm)的表面張力值和大於0.3伏(V)的標準還原電位。
简体摘要：一发光组件包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在通孔中和第二半导体层上；一第二电极形成在第二半导体层上；以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构，并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极，其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与绝缘结构相接触，金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。

8. 发明专利

TW201737517A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201737517A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105110990
申请日：2016-04-08
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：謝明勳 , HSIEH, MIN-HSUN , 余仁傑 , YU, JEN-CHIEH , 柯韋帆 , KE, WEI-FAN
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/60 , H01L24/13 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/13111 , H01L2224/1312 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要：一種發光元件，包含一半導體疊層、一電極、一電極柱、一反射絕緣材料、一延伸電極與一支撐結構。電極位於半導體疊層之下表面上，且電連接至半導體疊層。電極柱位於電極上。反射絕緣材料，圍繞電極柱，並具有一與電極柱齊平之下表面。一延伸電極位於半導體疊層之上表面上。支撐結構位於延伸電極上。
简体摘要：一种发光组件，包含一半导体叠层、一电极、一电极柱、一反射绝缘材料、一延伸电极与一支撑结构。电极位于半导体叠层之下表面上，且电连接至半导体叠层。电极柱位于电极上。反射绝缘材料，围绕电极柱，并具有一与电极柱齐平之下表面。一延伸电极位于半导体叠层之上表面上。支撑结构位于延伸电极上。

9. 发明专利

TW201523928A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201523928A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103133696
申请日：2014-09-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：劉建良 , LIU, CHIEN LIANG , 許明祺 , HSU, MING CHI , 廖世安 , LIAO, SHIH AN , 余仁傑 , YU, JEN CHIEH , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 郭家泰 , KUO, JIA TAY , 宋玉璽 , SUNG, YU HSI , 陳柏璋 , CHEN, PO CHANG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/52 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/486 , H01L24/19 , H01L33/0095 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要：本發明係揭露一發光裝置，包含一半導體發光元件，發出一第一光線並包含一出光面、一位於半導體發光元件之上並包含一第一區與一第二區的透明支撐元件，以及位於透明支撐元件之上的光學元件。第一光線經過光學元件以產生一具有一光場分布的第二光線，並且光場分布具有一最大值對應於第一區以及一最小值對應於第二區。
简体摘要：本发明系揭露一发光设备，包含一半导体发光组件，发出一第一光线并包含一出光面、一位于半导体发光组件之上并包含一第一区与一第二区的透明支撑组件，以及位于透明支撑组件之上的光学组件。第一光线经过光学组件以产生一具有一光场分布的第二光线，并且光场分布具有一最大值对应于第一区以及一最小值对应于第二区。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式