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1. 发明专利

TW201803111A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201803111A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106136704
申请日：2016-03-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN,MENG YANG , 李榮仁 , LEE,RONG REN , 李世昌 , LEE,SHIH CHANG
IPC分类号： H01L29/15 , H01L33/12 , H01L33/30
摘要：本申請揭示一種半導體元件及其形成方法。其中所述之形成半導體元件的方法包含提供一半導體基板，磊晶成長一反應層於該半導體基板上，以及磊晶成長一緩衝層於該反應層上，其中該緩衝層與該半導體基板的晶格不匹配，且該緩衝層具有一差排密度小於1*109cm-2。
简体摘要：本申请揭示一种半导体组件及其形成方法。其中所述之形成半导体组件的方法包含提供一半导体基板，磊晶成长一反应层于该半导体基板上，以及磊晶成长一缓冲层于该反应层上，其中该缓冲层与该半导体基板的晶格不匹配，且该缓冲层具有一差排密度小于1*109cm-2。

2. 发明专利

TWI607582B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI607582B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105109463
申请日：2016-03-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN, MENG YANG , 李榮仁 , LEE, RONG REN , 李世昌 , LEE, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L33/0025 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/30

3. 发明专利

TW202027298A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW202027298A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW107147868
申请日：2018-12-28
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN
IPC分类号： H01L33/12
摘要：本發明內容提供一種半導體元件，其包括基層以及緩衝結構。基層包含第一半導體化合物。第一半導體化合物具有第一晶格常數並包含複數元素，且各複數元素中原子半徑最大者之原子半徑定義為第一原子半徑。緩衝結構包含第二半導體化合物以及第一添加物，第二半導體化合物具有第二晶格常數，且第一添加物具有第二原子半徑。第二晶格常數大於第一晶格常數，且第二原子半徑大於第一原子半徑。
简体摘要：本发明内容提供一种半导体组件，其包括基层以及缓冲结构。基层包含第一半导体化合物。第一半导体化合物具有第一晶格常数并包含复数元素，且各复数元素中原子半径最大者之原子半径定义为第一原子半径。缓冲结构包含第二半导体化合物以及第一添加物，第二半导体化合物具有第二晶格常数，且第一添加物具有第二原子半径。第二晶格常数大于第一晶格常数，且第二原子半径大于第一原子半径。

4. 发明专利

TW202027294A 半導體疊層、半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体叠层、半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202027294A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW107147857
申请日：2018-12-28
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/30
摘要：本發明內容提供一種半導體疊層、半導體元件及其製造方法。半導體元件包含第一半導體層以及發光結構。第一半導體層包含第一III-V族半導體材料、第一摻雜物及第二摻雜物。發光結構位於第一半導體層上且包含活性結構。在第一半導體層中，第二摻雜物的濃度大於第一摻雜物的濃度，且第一摻雜物為碳，第二摻雜物為氫。
简体摘要：本发明内容提供一种半导体叠层、半导体组件及其制造方法。半导体组件包含第一半导体层以及发光结构。第一半导体层包含第一III-V族半导体材料、第一掺杂物及第二掺杂物。发光结构位于第一半导体层上且包含活性结构。在第一半导体层中，第二掺杂物的浓度大于第一掺杂物的浓度，且第一掺杂物为碳，第二掺杂物为氢。

5. 发明专利

TWI701719B 製造半導體元件的方法有权
简体标题：制造半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI701719B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108114844
申请日：2016-09-09
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RON-REN , 徐子傑 , HSU, TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L21/22 , H01L33/14

6. 发明专利

TW201810385A 製造半導體元件的方法审中-公开
简体标题：制造半导体组件的方法
公开(公告)号：TW201810385A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105129210
申请日：2016-09-09
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林羿宏 , LIN, YI-HUNG , 陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN , 徐子傑 , HSU, TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L21/22 , H01L33/14
摘要：本申請提供一種製造半導體元件的方法。製造半導體元件的方法包含：提供一第一半導體層，其包含一第一區域；形成一第二半導體層於第一區域上，第二半導體層包含一摻雜物，且摻雜物在第二半導體層內的濃度高於摻雜物在第一半導體層內的濃度；以及使第二半導體層的摻雜物進入第一半導體層的第一區域。
简体摘要：本申请提供一种制造半导体组件的方法。制造半导体组件的方法包含：提供一第一半导体层，其包含一第一区域；形成一第二半导体层于第一区域上，第二半导体层包含一掺杂物，且掺杂物在第二半导体层内的浓度高于掺杂物在第一半导体层内的浓度；以及使第二半导体层的掺杂物进入第一半导体层的第一区域。

7. 发明专利

TW201712734A 一種重複使用於製造發光元件的基板之方法审中-公开
简体标题：一种重复使用于制造发光组件的基板之方法
公开(公告)号：TW201712734A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105130391
申请日：2016-09-21
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN , 李世昌 , LEE, SHIH-CHANG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/306 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/30
摘要：本公開內容提供一種重複使用於製造發光元件的基板之方法，其包含步驟︰(a)提供一基板；(b)形成一成核層於基板上；(c)形成一半導體疊層於成核層上；以及(d)分離半導體疊層與成核層以裸露成核層，其中於步驟(c)之前，更包含形成一犧牲層於成核層上。
简体摘要：本公开内容提供一种重复使用于制造发光组件的基板之方法，其包含步骤︰(a)提供一基板；(b)形成一成核层于基板上；(c)形成一半导体叠层于成核层上；以及(d)分离半导体叠层与成核层以裸露成核层，其中于步骤(c)之前，更包含形成一牺牲层于成核层上。

8. 发明专利

TWI638453B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI638453B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW106136704
申请日：2016-03-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN,MENG YANG , 李榮仁 , LEE,RONG REN , 李世昌 , LEE,SHIH CHANG
IPC分类号： H01L29/15 , H01L33/12 , H01L33/30

9. 发明专利

TW201801313A 異質整合半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：异质集成半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201801313A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105141420
申请日：2016-12-14
申请人：財團法人國家實驗研究院 , NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES , 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：張世邦 , CHANG, SHIH-PANG , 羅廣禮 , LUO, GUANG-LI , 陳仕鴻 , CHEN, SZU-HUNG , 葉文冠 , YEH, WEN-KUAN , 綦振瀛 , CHYI, JEN-INN , 陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN , 李世昌 , LEE, SHIH CHANG , 徐大正 , HSU,TA-CHENG
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/823821 , H01L29/16 , H01L29/20
摘要：一種異質整合半導體裝置包括矽基板；含鍺薄膜，形成於矽基板表面；PMOS電晶體，包含第一鰭片，形成於含鍺薄膜上；以及NMOS電晶體，包含第二鰭片，形成於該含鍺薄膜上；其中PMOS電晶體及NMOS電晶體組成一CMOS電晶體，且第一鰭片由含鍺材質製成，並第二鰭片由一III-V族化合物製成。
简体摘要：一种异质集成半导体设备包括硅基板；含锗薄膜，形成于硅基板表面；PMOS晶体管，包含第一鳍片，形成于含锗薄膜上；以及NMOS晶体管，包含第二鳍片，形成于该含锗薄膜上；其中PMOS晶体管及NMOS晶体管组成一CMOS晶体管，且第一鳍片由含锗材质制成，并第二鳍片由一III-V族化合物制成。

10. 发明专利

TW201735394A 半導體元件及其方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其方法
公开(公告)号：TW201735394A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105109463
申请日：2016-03-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN, MENG YANG , 李榮仁 , LEE, RONG REN , 李世昌 , LEE, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L33/0025 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/30
摘要：本申請揭示一種半導體元件及其形成方法。其中所述之形成半導體元件的方法包含提供一半導體基板，磊晶成長一反應層於該半導體基板上，以及磊晶成長一緩衝層於該反應層上，其中該緩衝層與該半導體基板的晶格不匹配，且該緩衝層具有一差排密度小於1*109cm-2。
简体摘要：本申请揭示一种半导体组件及其形成方法。其中所述之形成半导体组件的方法包含提供一半导体基板，磊晶成长一反应层于该半导体基板上，以及磊晶成长一缓冲层于该反应层上，其中该缓冲层与该半导体基板的晶格不匹配，且该缓冲层具有一差排密度小于1*109cm-2。

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