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1. 发明专利

TWI616004B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI616004B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103124091
申请日：2014-07-11
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林坤德 , LIN, KUN DE , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 詹燿寧 , CHAN, YAO NING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林俊宇 , LIN, CHUN YU , 楊宗憲 , YANG, TSUNG HSIEN
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/46

2. 发明专利

TWI546844B 半導體發光元件及其製作方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI546844B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW102123757
申请日：2013-07-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林俊宇 , LIN, CHUN YU , 倪慶懷 , NI, CHING HUAI , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林敬倍 , LIN, CHING PEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00

3. 发明专利

TWI632692B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI632692B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW102141996
申请日：2013-11-18
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳怡名 , CHEN, YI MING , 楊宗憲 , YANG, TSUNG HSIEN
IPC分类号： H01L33/10

4. 发明专利

TWI557934B 半導體光電元件有权
简体标题：半导体光电组件
公开(公告)号：TWI557934B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100112126
申请日：2011-04-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 陳吉興 , CHEN, CHI HSING , 張湘苓 , CHANG, HSIANG LING , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 姚久琳 , YAO, CHIU LIN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI
IPC分类号： H01L33/02 , H01L31/042
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI540758B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI540758B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW101112159
申请日：2012-04-05
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳怡名 , CHEN, YI MING , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201521224A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201521224A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102141996
申请日：2013-11-18
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳怡名 , CHEN, YI MING , 楊宗憲 , YANG, TSUNG HSIEN
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要：一種半導體發光元件，係包含：一半導體疊層具有一第一表面，其中第一表面包含複數個突出部與複數個凹部；一第一電極位於第一表面上與半導體疊層電連接；一第二電極位於第一表面上與半導體疊層電連接；一透明導電層共形地覆蓋第一表面，且位於第一電極與半導體疊層之間，其中第一電極包含一第一銲接部與一第一延伸部，第一延伸部位於第一銲接部與透明導電層之間，且共形地覆蓋透明導電層。
简体摘要：一种半导体发光组件，系包含：一半导体叠层具有一第一表面，其中第一表面包含复数个突出部与复数个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。

7. 发明专利

TW201421732A 一種半導體光電元件及其製作方法审中-公开
简体标题：一种半导体光电组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201421732A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102147698
申请日：2010-07-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 陳吉興 , CHEN, CHI HSING , 張湘苓 , CHANG, HSIANG LING
IPC分类号： H01L33/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01L27/15
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明關於一種半導體光電元件，包括一操作基板；一半導體磊晶疊層單元，設置於操作基板上；半導體磊晶疊層單元包括一設置於操作基板上，具有第一導電特性之第一半導體材料層，以及一設置於第一半導體材料層上，具有第二導電特性之第二半導體材料層；一透明導電層，設置於第二半導體材料層上，透明導電層包括一第一表面、一直接接觸部，設置於第一表面上，與第二半導體材料層直接接觸、一第二表面，實質平行第一表面、一直接接觸對應部，設置於第二表面相對於直接接觸部上；以及一第一電極，設置於操作基板上，藉由透明導電層與半導體磊晶疊層電性連結；其中，第一電極與透明導電層藉由直接接觸部與直接接觸對應部之外的區域相互電性連結。
简体摘要：本发明关于一种半导体光电组件，包括一操作基板；一半导体磊晶叠层单元，设置于操作基板上；半导体磊晶叠层单元包括一设置于操作基板上，具有第一导电特性之第一半导体材料层，以及一设置于第一半导体材料层上，具有第二导电特性之第二半导体材料层；一透明导电层，设置于第二半导体材料层上，透明导电层包括一第一表面、一直接接触部，设置于第一表面上，与第二半导体材料层直接接触、一第二表面，实质平行第一表面、一直接接触对应部，设置于第二表面相对于直接接触部上；以及一第一电极，设置于操作基板上，借由透明导电层与半导体磊晶叠层电性链接；其中，第一电极与透明导电层借由直接接触部与直接接触对应部之外的区域相互电性链接。

8. 发明专利

TWI427829B 一種半導體光電元件及其製作方法有权
简体标题：一种半导体光电组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI427829B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099124637
申请日：2010-07-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 陳吉興 , CHEN, CHI HSING , 張湘苓 , CHANG, HSIANG LING
IPC分类号： H01L33/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01L27/15
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/14636 , H01L27/156 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/42

9. 发明专利

TWI423470B 一種製造高散熱發光元件的方法有权
简体标题：一种制造高散热发光组件的方法
公开(公告)号：TWI423470B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW097130919
申请日：2008-08-13
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林錦源 , LIN, JIN YWAN , 陳怡名 , CHEN, YI MING
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/36

10. 发明专利

TW201338191A 對位接合之發光二極體裝置與其製造方法审中-公开
简体标题：对位接合之发光二极管设备与其制造方法
公开(公告)号：TW201338191A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101107404
申请日：2012-03-05
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 邱新智 , CHIU, HSIN CHIH
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/62 , B65G47/24 , H01L21/67092 , H01L21/68 , H01L21/681 , H01L22/26 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01L33/641
摘要：一種發光結構包含一半導體發光疊層具有一第一接合面，其中半導體發光疊層包含至少一第一對位圖形位於第一接合面，以及一基板位於半導體發光疊層之下，基板具有一第二接合面與第一接合面接合，其中基板包含至少一第二對位圖形位於第二接合面，且第二對位圖形對應第一對位圖形。
简体摘要：一种发光结构包含一半导体发光叠层具有一第一接合面，其中半导体发光叠层包含至少一第一对位图形位于第一接合面，以及一基板位于半导体发光叠层之下，基板具有一第二接合面与第一接合面接合，其中基板包含至少一第二对位图形位于第二接合面，且第二对位图形对应第一对位图形。

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