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1. 发明专利

JP6230474B2 鋼材の防食方法及び防食処理された鋼構造物有权
公开(公告)号：JP6230474B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2014088735
申请日：2014-04-23
申请人：宇部興産機械株式会社 , 宇部興産株式会社
发明人：後藤悟史 , 寺田武史 , 長尾圭吾
IPC分类号： B05D7/14 , B05D1/38 , B32B15/08 , C23C28/00 , B05D7/24

2. 发明专利

JP2015205260A 鋼材の防食方法及び防食処理された鋼構造物有权
标题翻译：钢材腐蚀方法及抗腐蚀处理钢结构
公开(公告)号：JP2015205260A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014088735
申请日：2014-04-23
申请人：宇部興産機械株式会社 , 宇部興産株式会社
发明人：後藤悟史 , 寺田武史 , 長尾圭吾
IPC分类号： B05D7/14 , C23C28/00 , B05D7/24
摘要：【課題】屋外に設置される橋梁等の鋼構造物に使用される鋼材の腐食を効果的に防止すること。【解決手段】鋼構造物を構成する鋼材の表面に、防食下地層を形成し、その上にポリイミド層を形成した上で、樹脂塗料で塗装することにより、強固な防錆層を形成する。防錆層の中に、耐食性に優れ、水や酸素等の腐食因子を遮断するポリイミド層を加えることで、防錆効果を大幅に向上させることが可能である。特に、ポリイミドフィルムを貼付けてポリイミド層を形成した場合には、ポリイミド層の層厚が確保しにくい部材の端部等においても層厚を確保でき効果的に防錆効果を高めることが可能であり、また、ポリイミドワニスを焼付けてポリイミド層を形成した場合には、何らかの理由により鋼材上に腐食の起点が生じたとしても、腐食が広がりにくいという優れた作用効果を奏する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：有效防止用于室外安装桥梁等钢结构的钢材的腐蚀。解决方案：通过在钢材表面形成防腐基础层，形成钢材的坚固防锈层构成钢结构体，在其上形成聚酰亚胺层并对其施加树脂涂层。通过向耐腐蚀层中加入耐腐蚀性优异，阻止水，氧等腐蚀性因素的聚酰亚胺层，可以显着提高防锈效果。特别是，在通过涂布聚酰亚胺膜形成聚酰亚胺层时，即使在聚酰亚胺层的厚度难以达到的部件的端部等中，也可以确保层厚并有效地提高防锈效果安全。此外，当通过烘烤聚酰亚胺清漆形成聚酰亚胺层时，即使由于某些原因在钢材上产生腐蚀起始点，也能获得腐蚀几乎不扩散的优异的作用效果。

3. 发明申请

WO2005060091A1 圧電薄膜デバイスの製造方法および圧電薄膜デバイス审中-公开
标题翻译：制造压电薄膜器件和压电薄膜器件的方法
公开(公告)号：WO2005060091A1
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：PCT/JP2004/018890
申请日：2004-12-17
申请人：宇部興産株式会社 , 長尾圭吾 , 国沢哲郎 , 山田哲夫
发明人：長尾圭吾 , 国沢哲郎 , 山田哲夫
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H3/04 , H01L41/316 , H03H9/173 , H03H9/174
摘要：　基板（１１）の上面に特定化学物質でエッチングされる絶縁層（１２）を形成する工程と、絶縁層上の一部の領域に特定化学物質によるエッチング速度が絶縁層よりも大きい物質からなる犠牲層（１３）を形成する工程と、犠牲層を含む領域に下部電極（１５）を形成する工程と、下部電極の一部を含む領域に圧電体薄膜（１６）を形成する工程と、圧電体薄膜の一部を含む領域に上部電極（１７）を形成する工程と、犠牲層の一部が露出するように圧電体薄膜及び下部電極を貫通するビアホール（１８）を設ける工程と、ビアホールから特定化学物質を導入することによって犠牲層及び絶縁層を同一の特定化学物質でエッチングすることにより振動用空間（２０）を形成する工程とを含む。
摘要翻译：公开了一种用于制造压电薄膜器件的方法，包括其中在衬底（11）的上表面上形成用特定化学物质蚀刻的绝缘层（12）的步骤; 在绝缘层的一部分上形成有由特定化学物质的蚀刻速度大于绝缘层的蚀刻速率的材料构成的牺牲层（13）在包括牺牲层的区域上形成下电极（15）的步骤; 其中在包括下电极的一部分的区域上形成压电薄膜（16）的步骤; 其中在包括所述压电薄膜的一部分的区域上形成上电极（17）的步骤; 其中穿过压电薄膜和下电极的通孔（18）形成为使牺牲层的一部分露出; 以及通过将特定化学物质通过通孔导入并用相同的特定化学物质蚀刻牺牲层和绝缘层而形成用于振动的空间（20）的步骤。

4. 发明专利

JP6604003B2 ポリイミド前駆体溶液組成物及びそれを用いたポリイミド膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP6604003B2
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：JP2015036379
申请日：2015-02-26
申请人：宇部興産株式会社
发明人：寺田武史 , 長尾圭吾
IPC分类号： C08G73/10

5. 发明专利

JP6003261B2 ポリイミド繊維の製造方法有权
标题翻译：用于制造聚酰亚胺纤维的方法
公开(公告)号：JP6003261B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2012132731
申请日：2012-06-12
申请人：宇部興産株式会社
发明人：高澤亮一 , 寺田武史 , 高橋慶太 , 中山剛成 , 長尾圭吾
IPC分类号： D04H1/4326 , D04H1/728 , D01F6/74

6. 发明专利

JP5978842B2 ポリイミド被膜の製造方法有权
标题翻译：制造聚酰亚胺涂层的方法
公开(公告)号：JP5978842B2
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：JP2012173144
申请日：2012-08-03
申请人：宇部興産株式会社
发明人：高澤亮一 , 高橋慶太 , 寺田武史 , 中山剛成 , 長尾圭吾
IPC分类号： C09D179/08 , C09D5/44 , C09D7/12 , C08G73/10 , C25D13/06 , B05D7/24

7. 发明申请

WO2004090203A1 窒化アルミニウム薄膜及びそれを用いた圧電薄膜共振子审中-公开
标题翻译：氮化铝薄膜和压电薄膜谐振器
公开(公告)号：WO2004090203A1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/JP2004/005052
申请日：2004-04-08
申请人：宇部興産株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 長尾圭吾 , 升井英治 , 山田哲夫 , 秋山守人 , 上野直広 , 立山博
发明人：長尾圭吾 , 升井英治 , 山田哲夫 , 秋山守人 , 上野直広 , 立山博
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/588
摘要：基板（１２）のビアホール（２０）に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層（１３）、下部電極（１５）、圧電体薄膜（１６）および上部電極（１７）がこの順に積層された圧電積層構造体（１４）を備える圧電薄膜共振子。圧電体薄膜（１６）は、ｃ軸配向を示す厚さ０．５～３．０μｍの窒化アルミニウム薄膜であって、（０００２）回折ピークのロッキング・カーブ半値幅（FWHM）が３．０゜以下である。下部電極（１５）は、タンタルを主成分とする厚さ２０００ｎｍ未満の金属薄膜であって、そのＸ線回折ピークにおいて、正方晶β相の（００２）回折ピークのピーク強度Ｉ β と立方晶α相の（１１０）回折ピークのピーク強度Ｉ α との強度比Ｉ α ／Ｉ β が０．１以下である。
摘要翻译：一种压电薄膜谐振器，具有压电多层结构体（14），其中主要由氧化硅或氮化硅构成的电介质膜的绝缘体层（13），下电极（15），压电薄膜（16）和上电极（17）在与基板（12）的通孔（20）相对的位置上依次层叠在基板（12）上。压电薄膜（16）是呈现c轴取向的厚度为0.5〜3.0μm的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜的（0002）衍射峰的摇摆曲线半宽度（FWHM）为3.0°以下。下电极（15）由主要由钽制成的厚度小于2000nm的金属薄膜构成。金属薄膜四方晶系的β相的（002）X射线衍射峰的强度Ibeta与α相的（110）X射线衍射峰的强度Ialpha的比值Ialpha / Ibeta 的立方体系为0.1以下。

8. 发明申请

WO2004088840A1 圧電薄膜デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：压电薄膜装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2004088840A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/004507
申请日：2004-03-30
申请人：宇部興産株式会社 , 長尾圭吾 , 西村浩介 , 山田哲夫 , 大谷修 , 松崎栄
发明人：長尾圭吾 , 西村浩介 , 山田哲夫 , 大谷修 , 松崎栄
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/0523 , H03H9/1014 , H03H9/564 , H03H9/568
摘要：振動用空間（２０）を有する基板（１２）と、この基板の上面側に形成された圧電積層構造体（１４）とを有しており、この圧電積層構造体は圧電体膜（１６）とその両面にそれぞれ形成された下部電極（１５）及び上部電極（１７）とを含み、振動用空間（２０）は圧電積層構造体（１４）の少なくとも一部及び絶縁体層（１３）の一部を含んで構成される振動部（２３）の振動を許容するように形成されている圧電薄膜デバイス（１０）。振動用空間（２０）は、基板内に中間面（２５）を形成するように基板（１２）の下面から上面に向けて形成された第１のビアホール（２１）と、上下方向に見て第１のビアホール（２１）の内側に位置するように中間面（２３）から基板の上面に向けて形成された第２のビアホール（２２）とにより構成されている。
摘要翻译：一种包括具有振动空间（20）的基板（12）和形成在所述基板的上表面上的压电层压结构（14）的压电薄膜装置（10），所述压电层叠结构包括压电薄膜（16）以及分别形成在其相对表面上的下电极（15）和上电极（17），所述振动空间（20）形成为允许振动部分（23）的振动至少包括压电层压结构（14）的一部分和绝缘层（13）的一部分。所述振动空间（20）由形成为从所述基板（12）的下表面的上表面形成的第一通孔（21）构成，以在所述基板上形成中间表面（25），以及第二通孔孔（22），从中间表面（23）形成为面对基板的上表面，以便位于第一通孔（21）的内部，如垂直方向所示。

9. 发明申请

WO2008032543A1 薄膜圧電共振器とその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜压电谐振器及其制造方法
公开(公告)号：WO2008032543A1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：PCT/JP2007/066425
申请日：2007-08-24
申请人：宇部興産株式会社 , 岩下和樹 , 長尾圭吾 , 福田真史
发明人：岩下和樹 , 長尾圭吾 , 福田真史
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/02 , H03H9/02086 , H03H9/02149 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/021
摘要：反共振周波数におけるインピーダンスの低下が抑制され高いＱ値を有する薄膜圧電共振器は、半導体基板（８）と、その表面上に半導体基板（８）に接するように形成された絶縁層（６）と、その上方に形成され絶縁層側から順に下部電極（１０）と圧電層（２）と上部電極（１２）とを有する圧電共振器スタック（１４）とを有する。圧電共振器スタック１４の下部電極１０と上部電極１２とが厚み方向で重なる振動領域に対応して振動空間４が形成されている。絶縁層（６）中の固定電荷密度は１×１０１１ｃｍ－２以下である。薄膜圧電共振器を製造する際には、半導体基板に接して絶縁層を形成した後、非酸化性ガス雰囲気下、３００°C以上の熱処理をする。
摘要翻译：薄膜压电谐振器抑制反谐振频率下的阻抗恶化并具有高Q值。薄膜压电谐振器设置有半导体衬底（8）; 形成在与所述表面接触的所述半导体基板（8）的表面上的绝缘层（6）以及通过从绝缘层侧依次具有下电极（10），压电层（2）和上电极（12）而形成在绝缘层上方的压电谐振器叠层（14）。对应于压电谐振器叠层（14）的下电极（10）和上电极（12）在厚度方向上彼此重叠的振荡区域形成振荡空间（4）。绝缘层（6）中的固定电荷密度为1×10 11 cm -2以下。在制造薄膜压电谐振器时，绝缘层形成为与半导体衬底接触，然后在非氧化气体气氛下进行300℃以上的热处理。

10. 发明申请

WO2007119643A1 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜压电谐振器，压电薄膜装置及制造压电薄膜装置的方法
公开(公告)号：WO2007119643A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/057379
申请日：2007-04-02
申请人：宇部興産株式会社 , 山田哲夫 , 長尾圭吾
发明人：山田哲夫 , 長尾圭吾
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/02149 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/568 , H03H9/585 , H03H9/588
摘要：　圧電薄膜共振子（１０）は、振動空間（２０）を有する基板（１１，１２）と、振動空間（２０）に面するように配置された圧電積層構造体（１４）とを含む。圧電積層構造体（１４）は、振動空間（２０）に近い側から順に配置された下部電極（１５）、圧電薄膜（１６）および上部電極（１７）を少なくとも有する。下部電極（１５）の下面に接して下部絶縁層（１３）が形成されており、上部電極（１７）の下面に接して上部絶縁層（２３）が形成されている。下部電極（１５）および上部電極（１７）の外周部の周囲に、電極とは材質の異なるサイドスペーサー（２６）が配置されている。サイドスペーサー（２６）と電極（１５，１７）との界面における段差は２５ｎｍ未満である。圧電薄膜（１６）は窒化アルミニウムからなる。サイドスペーサー（２６）の音響インピーダンスは電極（１５，１７）の音響インピーダンスよりも大きい。
摘要翻译：薄膜体声波谐振器（10）包括具有振荡空间（20）的基板（11,12）和布置成面向振荡空间（20）的压电层叠结构（14）。压电叠层结构（14）具有从靠近振荡空间（20）的一侧依次排列的至少一个下电极（15），压电薄膜（16）和上电极（17）。下部绝缘层（13）形成为与下部电极（15）的下表面接触，并且形成与上部电极（17）的下表面接触的上部绝缘层（23）。由与电极不同的材料制成的侧隔板（26）设置在下电极（15）和上电极（17）的外周。侧面间隔物（26）和电极（15,17）之间的界面上的台阶小于25nm。压电薄膜（16）由氮化铝构成。侧隔板（26）的声阻抗大于电极（15,17）的声阻抗。

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