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    • 1. 发明申请
    • 薄膜圧電共振器とその製造方法
    • 薄膜压电谐振器及其制造方法
    • WO2008032543A1
    • 2008-03-20
    • PCT/JP2007/066425
    • 2007-08-24
    • 宇部興産株式会社岩下 和樹長尾 圭吾福田 真史
    • 岩下 和樹長尾 圭吾福田 真史
    • H03H9/17H01L41/09H01L41/18H01L41/22H03H3/02
    • H03H9/173H03H3/02H03H9/02086H03H9/02149H03H9/132H03H9/174H03H2003/021
    • 反共振周波数におけるインピーダンスの低下が抑制され高いQ値を有する薄膜圧電共振器は、半導体基板(8)と、その表面上に半導体基板(8)に接するように形成された絶縁層(6)と、その上方に形成され絶縁層側から順に下部電極(10)と圧電層(2)と上部電極(12)とを有する圧電共振器スタック(14)とを有する。圧電共振器スタック14の下部電極10と上部電極12とが厚み方向で重なる振動領域に対応して振動空間4が形成されている。絶縁層(6)中の固定電荷密度は1×10 11 cm -2 以下である。薄膜圧電共振器を製造する際には、半導体基板に接して絶縁層を形成した後、非酸化性ガス雰囲気下、300°C以上の熱処理をする。
    • 薄膜压电谐振器抑制反谐振频率下的阻抗恶化并具有高Q值。 薄膜压电谐振器设置有半导体衬底(8); 形成在与所述表面接触的所述半导体基板(8)的表面上的绝缘层(6) 以及通过从绝缘层侧依次具有下电极(10),压电层(2)和上电极(12)而形成在绝缘层上方的压电谐振器叠层(14)。 对应于压电谐振器叠层(14)的下电极(10)和上电极(12)在厚度方向上彼此重叠的振荡区域形成振荡空间(4)。 绝缘层(6)中的固定电荷密度为1×10 11 cm -2以下。 在制造薄膜压电谐振器时,绝缘层形成为与半导体衬底接触,然后在非氧化气体气氛下进行300℃以上的热处理。
    • 2. 发明申请
    • 薄膜圧電共振器
    • 薄膜压电谐振器
    • WO2009025266A1
    • 2009-02-26
    • PCT/JP2008/064732
    • 2008-08-19
    • 宇部興産株式会社岩下 和樹土屋 博史田中 謙介
    • 岩下 和樹土屋 博史田中 謙介
    • H03H9/17H01L41/09H01L41/18H01L41/22H01L41/24
    • H03H9/132H01L41/316H01L41/332H03H9/173H03H9/174
    •  圧電層2と上部電極10及び下部電極8とを有する圧電共振器スタック12と、その下に形成された空隙部4と、それを形成するように圧電共振器スタック12を支持する基板6とを含む。圧電共振器スタック12は、上部電極10と下部電極8とが厚み方向に見て互いに重なる振動領域と、基板6に接する支持領域と、振動領域と支持領域との間の緩衝領域とを有する。振動領域は厚み方向に見て空隙部4の内側に存在する。下部電極8は、支持領域内においてそれと緩衝領域との境界に沿って延びる支持部分を有する。下部電極支持部分の幅w1と振動領域の圧電共振器スタック12の厚みtとが0.25≦w1/t≦10の関係を満たし、緩衝領域の幅w2と圧電共振器スタックの厚みtとが0.25≦w2/t≦2の関係を満たす。
    • 提供一种薄膜压电谐振器,其包括具有压电层(2),上电极(10)和下电极(8)的压电谐振器叠层(12)。 还包括形成在压电谐振器叠层(12)下方的空腔部分(4)和支撑用于形成空腔部分的压电谐振器叠层(12)的衬底(6)。 压电谐振器堆叠(12)包括其中上电极(10)和下电极(8)在厚度方向上彼此重叠的振动区域,与基板(6)接触的支撑区域和 振动区域和支撑区域。 从厚度方向看,振动区域存在于空腔部分(4)的内侧。 下电极(8)具​​有沿着支撑区域和吸收区域之间的边界在支撑区域中延伸的支撑部分。 下部电极支撑部的宽度(w1)和振动区域的压电谐振器叠层(12)的厚度(t)满足0.25 = w1 / t = 10的关系,吸收区域的宽度(w2) 并且压电谐振器叠层的厚度(t)满足0.25 = w2 / t = 2的关系。
    • 3. 发明申请
    • 薄膜圧電共振器および薄膜圧電フィルタ
    • 薄膜压电谐振器和薄膜压电过滤器
    • WO2008088010A1
    • 2008-07-24
    • PCT/JP2008/050519
    • 2008-01-17
    • 宇部興産株式会社田中 謙介岩下 和樹土屋 博史
    • 田中 謙介岩下 和樹土屋 博史
    • H03H9/17H01L41/09H01L41/18H01L41/22H03H9/54
    • H03H9/173H03H9/132H03H9/174H03H9/175
    •  圧電層2と上部電極10及び下部電極8とを有する圧電共振スタック12と、それを支持する基板6とを含んでなる薄膜圧電共振器。圧電共振スタック12は、上部電極10と下部電極8とが圧電層2を介して互いに対向し且つ1次厚み縦振動が可能な振動領域18と、基板6により支持される支持領域19とを有する。振動領域18は、長径aと短径bとの比a/bが1.1以上且つ1.7以下の楕円形状をなしている。圧電共振スタック12は、更に上部電極10上に形成された上部誘電体層20を有する。振動領域18における上部電極10の厚みおよび上部誘電体層20の厚みの合計cと振動領域18における圧電層2の厚みdとの比c/dが0.25以上0.45以下である。
    • 提供一种薄膜压电谐振器,其包括具有压电层(2),上电极(10)和下电极(8)的压电谐振器叠层(12)。 以及支撑压电谐振器叠层的衬底(6)。 压电谐振器叠层(12)设置有振动区域(18),其中上电极(10)和下电极(8)通过压电层(2)彼此面对,并且可以执行初级厚度垂直振动; 以及由所述基板(6)支撑的支撑区域(19)。 振动区域(18)具有比率a / b为1.1以上但不超过1.7的椭圆形状,其中(a)为长径,(b)为短径。 压电谐振器堆叠(12)还设置有形成在上电极(10)上的上电介质层(20)。 当振动区域(18)中的上电极(10)和上电介质层(20)的厚度的总和表示为(c)时,压电层(2)的振动厚度 区域(18)表示为(d),比率c / d为0.25以上且不大于0.45。