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1. 发明申请

WO2005060091A1 圧電薄膜デバイスの製造方法および圧電薄膜デバイス审中-公开
标题翻译：制造压电薄膜器件和压电薄膜器件的方法
公开(公告)号：WO2005060091A1
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：PCT/JP2004/018890
申请日：2004-12-17
申请人：宇部興産株式会社 , 長尾圭吾 , 国沢哲郎 , 山田哲夫
发明人：長尾圭吾 , 国沢哲郎 , 山田哲夫
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H3/04 , H01L41/316 , H03H9/173 , H03H9/174
摘要：　基板（１１）の上面に特定化学物質でエッチングされる絶縁層（１２）を形成する工程と、絶縁層上の一部の領域に特定化学物質によるエッチング速度が絶縁層よりも大きい物質からなる犠牲層（１３）を形成する工程と、犠牲層を含む領域に下部電極（１５）を形成する工程と、下部電極の一部を含む領域に圧電体薄膜（１６）を形成する工程と、圧電体薄膜の一部を含む領域に上部電極（１７）を形成する工程と、犠牲層の一部が露出するように圧電体薄膜及び下部電極を貫通するビアホール（１８）を設ける工程と、ビアホールから特定化学物質を導入することによって犠牲層及び絶縁層を同一の特定化学物質でエッチングすることにより振動用空間（２０）を形成する工程とを含む。
摘要翻译：公开了一种用于制造压电薄膜器件的方法，包括其中在衬底（11）的上表面上形成用特定化学物质蚀刻的绝缘层（12）的步骤; 在绝缘层的一部分上形成有由特定化学物质的蚀刻速度大于绝缘层的蚀刻速率的材料构成的牺牲层（13）在包括牺牲层的区域上形成下电极（15）的步骤; 其中在包括下电极的一部分的区域上形成压电薄膜（16）的步骤; 其中在包括所述压电薄膜的一部分的区域上形成上电极（17）的步骤; 其中穿过压电薄膜和下电极的通孔（18）形成为使牺牲层的一部分露出; 以及通过将特定化学物质通过通孔导入并用相同的特定化学物质蚀刻牺牲层和绝缘层而形成用于振动的空间（20）的步骤。

2. 发明申请

WO2007119643A1 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜压电谐振器，压电薄膜装置及制造压电薄膜装置的方法
公开(公告)号：WO2007119643A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/057379
申请日：2007-04-02
申请人：宇部興産株式会社 , 山田哲夫 , 長尾圭吾
发明人：山田哲夫 , 長尾圭吾
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/02149 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/568 , H03H9/585 , H03H9/588
摘要：　圧電薄膜共振子（１０）は、振動空間（２０）を有する基板（１１，１２）と、振動空間（２０）に面するように配置された圧電積層構造体（１４）とを含む。圧電積層構造体（１４）は、振動空間（２０）に近い側から順に配置された下部電極（１５）、圧電薄膜（１６）および上部電極（１７）を少なくとも有する。下部電極（１５）の下面に接して下部絶縁層（１３）が形成されており、上部電極（１７）の下面に接して上部絶縁層（２３）が形成されている。下部電極（１５）および上部電極（１７）の外周部の周囲に、電極とは材質の異なるサイドスペーサー（２６）が配置されている。サイドスペーサー（２６）と電極（１５，１７）との界面における段差は２５ｎｍ未満である。圧電薄膜（１６）は窒化アルミニウムからなる。サイドスペーサー（２６）の音響インピーダンスは電極（１５，１７）の音響インピーダンスよりも大きい。
摘要翻译：薄膜体声波谐振器（10）包括具有振荡空间（20）的基板（11,12）和布置成面向振荡空间（20）的压电层叠结构（14）。压电叠层结构（14）具有从靠近振荡空间（20）的一侧依次排列的至少一个下电极（15），压电薄膜（16）和上电极（17）。下部绝缘层（13）形成为与下部电极（15）的下表面接触，并且形成与上部电极（17）的下表面接触的上部绝缘层（23）。由与电极不同的材料制成的侧隔板（26）设置在下电极（15）和上电极（17）的外周。侧面间隔物（26）和电极（15,17）之间的界面上的台阶小于25nm。压电薄膜（16）由氮化铝构成。侧隔板（26）的声阻抗大于电极（15,17）的声阻抗。

3. 发明申请

WO2004001964A1 薄膜圧電共振器、薄膜圧電デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜压电振荡器，薄膜压电器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004001964A1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/JP2003/007857
申请日：2003-06-20
申请人：宇部興産株式会社 , 山田哲夫 , 西村浩介 , 長尾圭吾
发明人：山田哲夫 , 西村浩介 , 長尾圭吾
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/562 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H9/585 , H03H9/588
摘要：ビアホール２２を有する基板１２と、その上に絶縁体層１３を介して形成された下部電極１５、圧電体膜１６及び上部電極１７からなる圧電積層構造体１４とを含み、ビアホール２２に対応して複数の薄膜圧電共振器２１０，２２０が形成されている薄膜圧電デバイス。圧電積層構造体１４は、ビアホール２２に面して位置するダイアフラム２３とそれ以外の支持領域とからなり、薄膜圧電共振器２１０，２２０は下部電極１５により電気的に接続されている。薄膜圧電共振器２１０，２２０のダイアフラム２３の中心１，２を通過する基板面内の直線が支持領域を通過する線分の長さＤ１と、薄膜圧電共振器２１０，２２０のダイアフラム中心間の距離Ｄ０との比率Ｄ１／Ｄ０が０．１～０．５である。ビアホール２２は、深彫り型反応性イオンエッチング法により形成される。
摘要翻译：一种薄膜压电装置，包括具有通孔（22）的基板（12）和由下电极（15），压电膜（16）和形成的上电极（17）构成的压电层叠结构（14）经由绝缘层（13）在所述基板（12）上。为通孔（22）形成多个薄膜压电振荡器（210,220）。压电层叠结构（14）包括位于面向通孔（22）的隔膜（23）和与其相邻的支撑区域。薄膜压电振荡器（210,220）通过下电极（15）电连接。当通过薄膜压电振荡器（210,220）的隔膜（23）的中心（1,2）的基板平面中的直线具有穿过支撑区域的段的长度D1和薄膜压电振子（210,220）的膜片的中心为D0，比率D1 / D0为0.1〜0.5。通孔（22）通过深刻型反应离子蚀刻法形成。

4. 发明申请

WO2004090203A1 窒化アルミニウム薄膜及びそれを用いた圧電薄膜共振子审中-公开
标题翻译：氮化铝薄膜和压电薄膜谐振器
公开(公告)号：WO2004090203A1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/JP2004/005052
申请日：2004-04-08
申请人：宇部興産株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 長尾圭吾 , 升井英治 , 山田哲夫 , 秋山守人 , 上野直広 , 立山博
发明人：長尾圭吾 , 升井英治 , 山田哲夫 , 秋山守人 , 上野直広 , 立山博
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/588
摘要：基板（１２）のビアホール（２０）に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層（１３）、下部電極（１５）、圧電体薄膜（１６）および上部電極（１７）がこの順に積層された圧電積層構造体（１４）を備える圧電薄膜共振子。圧電体薄膜（１６）は、ｃ軸配向を示す厚さ０．５～３．０μｍの窒化アルミニウム薄膜であって、（０００２）回折ピークのロッキング・カーブ半値幅（FWHM）が３．０゜以下である。下部電極（１５）は、タンタルを主成分とする厚さ２０００ｎｍ未満の金属薄膜であって、そのＸ線回折ピークにおいて、正方晶β相の（００２）回折ピークのピーク強度Ｉ β と立方晶α相の（１１０）回折ピークのピーク強度Ｉ α との強度比Ｉ α ／Ｉ β が０．１以下である。
摘要翻译：一种压电薄膜谐振器，具有压电多层结构体（14），其中主要由氧化硅或氮化硅构成的电介质膜的绝缘体层（13），下电极（15），压电薄膜（16）和上电极（17）在与基板（12）的通孔（20）相对的位置上依次层叠在基板（12）上。压电薄膜（16）是呈现c轴取向的厚度为0.5〜3.0μm的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜的（0002）衍射峰的摇摆曲线半宽度（FWHM）为3.0°以下。下电极（15）由主要由钽制成的厚度小于2000nm的金属薄膜构成。金属薄膜四方晶系的β相的（002）X射线衍射峰的强度Ibeta与α相的（110）X射线衍射峰的强度Ialpha的比值Ialpha / Ibeta 的立方体系为0.1以下。

5. 发明申请

WO2004088840A1 圧電薄膜デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：压电薄膜装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2004088840A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/004507
申请日：2004-03-30
申请人：宇部興産株式会社 , 長尾圭吾 , 西村浩介 , 山田哲夫 , 大谷修 , 松崎栄
发明人：長尾圭吾 , 西村浩介 , 山田哲夫 , 大谷修 , 松崎栄
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/0523 , H03H9/1014 , H03H9/564 , H03H9/568
摘要：振動用空間（２０）を有する基板（１２）と、この基板の上面側に形成された圧電積層構造体（１４）とを有しており、この圧電積層構造体は圧電体膜（１６）とその両面にそれぞれ形成された下部電極（１５）及び上部電極（１７）とを含み、振動用空間（２０）は圧電積層構造体（１４）の少なくとも一部及び絶縁体層（１３）の一部を含んで構成される振動部（２３）の振動を許容するように形成されている圧電薄膜デバイス（１０）。振動用空間（２０）は、基板内に中間面（２５）を形成するように基板（１２）の下面から上面に向けて形成された第１のビアホール（２１）と、上下方向に見て第１のビアホール（２１）の内側に位置するように中間面（２３）から基板の上面に向けて形成された第２のビアホール（２２）とにより構成されている。
摘要翻译：一种包括具有振动空间（20）的基板（12）和形成在所述基板的上表面上的压电层压结构（14）的压电薄膜装置（10），所述压电层叠结构包括压电薄膜（16）以及分别形成在其相对表面上的下电极（15）和上电极（17），所述振动空间（20）形成为允许振动部分（23）的振动至少包括压电层压结构（14）的一部分和绝缘层（13）的一部分。所述振动空间（20）由形成为从所述基板（12）的下表面的上表面形成的第一通孔（21）构成，以在所述基板上形成中间表面（25），以及第二通孔孔（22），从中间表面（23）形成为面对基板的上表面，以便位于第一通孔（21）的内部，如垂直方向所示。

6. 发明申请

WO2002093740A1 圧電薄膜共振子审中-公开
标题翻译：电影大音量声学谐振器
公开(公告)号：WO2002093740A1
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：PCT/JP2002/004576
申请日：2002-05-10
申请人：宇部エレクトロニクス株式会社 , 山田哲夫 , 長尾圭吾 , 橋本智仙
发明人：山田哲夫 , 長尾圭吾 , 橋本智仙
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/174 , H03H9/02094 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/588 , Y10S438/90
摘要： A film bulk acoustic resonator comprises a substrate (12) of a single silicon crystal, a base film (13) formed on the substrate (12) and composed of a dielectric film mainly containing silicon oxide, and a piezoelectric multilayer structure (14) formed on the base film (13). A vibratory section (21) composed of a part of the base film (13) and a part of the piezoelectric multilayer structure (14). The piezoelectric multilayer structure (14) includes a lower electrode (15), a piezoelectric film (16), and an upper electrode (17) in this order from below. The substrate (12) has a via hole in the region corresponding to the vibratory section (21). The via hole forms a space for allowing vibration of the vibratory section (21). The piezoelectric film (16) is an aluminum nitride thin film containing 0.2 to 3.0 atom% of alkaline earth metal and/or a rare earth metal. Thus, the film bulk acoustic resonator has a large electromechanical coupling coefficient, an excellent acoustic quality factor (Q), an excellent frequency-temperature characteristic, high characteristics, and a high performance.
摘要翻译：一种膜体声波谐振器包括单个硅晶体的基板（12），形成在基板（12）上并由主要包含氧化硅的电介质膜构成的基膜（13）和形成的压电多层结构（14）在基膜（13）上。由所述基膜（13）的一部分和所述压电叠层结构（14）的一部分构成的振动部（21）。压电多层结构（14）从下方依次包括下电极（15），压电膜（16）和上电极（17）。基板（12）在对应于振动部分（21）的区域中具有通孔。通孔形成用于允许振动部分（21）振动的空间。压电膜（16）是含有0.2〜3.0原子％的碱土金属和/或稀土金属的氮化铝薄膜。因此，膜体声波谐振器具有大的机电耦合系数，良好的声学质量因子（Q），优异的频率温度特性，高特性和高性能。

7. 发明申请

WO2008041714A1 蓄電デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：充电装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008041714A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/069315
申请日：2007-10-02
申请人：宇部興産株式会社 , 棚橋正和 , 近藤宏恵 , 吉武秀哉 , 山田哲夫 , 石飛信一
发明人：棚橋正和 , 近藤宏恵 , 吉武秀哉 , 山田哲夫 , 石飛信一
IPC分类号： H01G9/058 , H01G9/038 , H01M10/36
CPC分类号： H01M10/44 , H01G9/038 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/06 , H01M10/46 , Y02E60/13
摘要：　この蓄電デバイスは、炭素質活物質を含有する正極および負極を備え、正極における電気的充電過程が、低電圧領域におけるアニオンの吸着過程と高電圧領域におけるインターカレーション過程を示し、負極における電気的充電が、カチオンの吸着により生じ、完全放電時に、前記負極が正電荷で逆充電された状態、または前記負極が放電されずに残存する負電荷で充電されている状態になる。
摘要翻译：提供一种充电装置，其包括含有碳活化物质和阴极的阳极。在阳极处的充电过程表示在低电压区域中的阴离子和高电压区域中的嵌入过程的吸附过程。阴极的电荷是由阳离子的吸附引起的。在完全放电时间，使得阴极与正电荷反相充电，或者使得阴极充电未释放但剩下的负电荷。

8. 发明专利

JPWO2019235594A1 板状の窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2019235594A1
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019022623
申请日：2019-06-06
申请人：宇部興産株式会社
发明人：王丸卓司 , 柴田耕司 , 本田道夫 , 藤永昌孝 , 山田哲夫
IPC分类号： H05K1/03 , C04B35/587
摘要：焼結時の雰囲気圧力をより低くできた上で、高い熱伝導率と優れた機械的特性を併せ持つ板状の窒化ケイ素質焼結体を提供することを目的とする。焼結助剤として、アルカリ土類金属酸化物と希土類金属酸化物との重量比が0.40≦アルカリ土類金属酸化物/希土類金属酸化物≦2.0を満足するような配合比で、アルカリ土類金属酸化物および希土類金属酸化物を3.2〜7.0wt%添加し、シート成形プロセスにより作製された板状の成形体を雰囲気ガス圧力3MPa以下で焼結することによって得られた板状の窒化ケイ素質焼結体であって、焼結体としての実測アルカリ土類金属含有量と実測希土類金属含有量の比率が0.26≦実測アルカリ土類金属含有量/実測希土類金属含有量≦1.30であり、実測アルミニウム含有量が50ppm未満であり、実測酸素含有量が1.4重量%以上2.9重量%以下であり、相対密度が98%以上であり、窒化ケイ素質焼結体のβ型窒化ケイ素粒子のうち、長軸の長さが10μmを超えるものが、1mm 2 当たりに500個以上10000個以下であり、Raが0.05μm以上0.5μm以下に研磨された表面のβ型窒化ケイ素粒子の配向割合を示す配向度faが0.08以上0.25以下であることを特徴とする板状の窒化ケイ素質焼結体を提供する。

9. 发明专利

JP6693575B2 窒化ケイ素粉末、多結晶シリコンインゴット用離型剤及び多結晶シリコンインゴットの製造方法有权
公开(公告)号：JP6693575B2
公开(公告)日：2020-05-13
申请号：JP2018556696
申请日：2017-12-12
申请人：宇部興産株式会社
发明人：王丸卓司 , 柴田耕司 , 山尾猛 , 山田哲夫
IPC分类号： C01B33/02 , B22C3/00 , C01B21/068

10. 发明专利

JPWO2020090832A1 窒化ケイ素基板の製造方法および窒化ケイ素基板审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020090832A1
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2019042413
申请日：2019-10-29
申请人：宇部興産株式会社
发明人：本田道夫 , 藤永昌孝 , 王丸卓司 , 柴田耕司 , 山田哲夫
IPC分类号： H05K1/03 , C04B35/593
摘要：窒化ケイ素粉末および焼結助剤を含む複数枚のグリーンシートをそれらの間に分離材を介在させて積層し、焼結した後に、分離することによって複数枚の窒化ケイ素焼結体を得て、窒化ケイ素焼結体から窒化ケイ素基板を得る、窒化ケイ素基板の製造方法であって、分離材が窒化ケイ素粉を含むことを特徴とする。得られる窒化ケイ素基板は表面に窒化ホウ素粉を含まないので、銅と接合した際のヒートサイクル性に優れる。分離材は、BET法により測定される比表面積が1m 2 /g以上20m 2 /g以下であり、レーザ回折散乱法により測定される体積基準の50%粒子径D50が20μm以下であり、かつ、酸素量が0.3重量%以上2重量%未満であり、分離材を0.1mg/cm 2 以上3mg/cm 2 以下の塗布量でグリーンシート表面に塗布することで、熱伝導率が室温において80W/(m・K)以上であり、4点曲げ強度が室温において800MPa以上である窒化ケイ素基板を得ることができる。

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