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1. 发明申请

WO2005060091A1 圧電薄膜デバイスの製造方法および圧電薄膜デバイス审中-公开
标题翻译：制造压电薄膜器件和压电薄膜器件的方法
公开(公告)号：WO2005060091A1
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：PCT/JP2004/018890
申请日：2004-12-17
申请人：宇部興産株式会社 , 長尾圭吾 , 国沢哲郎 , 山田哲夫
发明人：長尾圭吾 , 国沢哲郎 , 山田哲夫
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H3/04 , H01L41/316 , H03H9/173 , H03H9/174
摘要：　基板（１１）の上面に特定化学物質でエッチングされる絶縁層（１２）を形成する工程と、絶縁層上の一部の領域に特定化学物質によるエッチング速度が絶縁層よりも大きい物質からなる犠牲層（１３）を形成する工程と、犠牲層を含む領域に下部電極（１５）を形成する工程と、下部電極の一部を含む領域に圧電体薄膜（１６）を形成する工程と、圧電体薄膜の一部を含む領域に上部電極（１７）を形成する工程と、犠牲層の一部が露出するように圧電体薄膜及び下部電極を貫通するビアホール（１８）を設ける工程と、ビアホールから特定化学物質を導入することによって犠牲層及び絶縁層を同一の特定化学物質でエッチングすることにより振動用空間（２０）を形成する工程とを含む。
摘要翻译：公开了一种用于制造压电薄膜器件的方法，包括其中在衬底（11）的上表面上形成用特定化学物质蚀刻的绝缘层（12）的步骤; 在绝缘层的一部分上形成有由特定化学物质的蚀刻速度大于绝缘层的蚀刻速率的材料构成的牺牲层（13）在包括牺牲层的区域上形成下电极（15）的步骤; 其中在包括下电极的一部分的区域上形成压电薄膜（16）的步骤; 其中在包括所述压电薄膜的一部分的区域上形成上电极（17）的步骤; 其中穿过压电薄膜和下电极的通孔（18）形成为使牺牲层的一部分露出; 以及通过将特定化学物质通过通孔导入并用相同的特定化学物质蚀刻牺牲层和绝缘层而形成用于振动的空间（20）的步骤。

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