专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015095564A カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ有权
标题翻译：使用碳纳米管聚集体的场效应晶体管
公开(公告)号：JP2015095564A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013234284
申请日：2013-11-12
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：桜井俊介 , 畠賢治
IPC分类号： C01B31/02 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】カーボンナノチューブ集合体でチャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、高いオンオフ比を得ることを目的の一とする。【解決手段】波長532nmのラマン分光分析で200cm -1 以上280cm -1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積を130cm -1 以上200cm -1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の金属型CNTの量が、波長785nmのラマン分光分析で190cm -1 以上280cm -1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積を140cm -1 以上190cm -1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の半導体型CNTの量の0.1倍以下となるカーボンナノチューブの集合体をチャネル層として用いる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供通过使用碳纳米管集合体形成通道的场效应晶体管，并实现高开关比。解决方案：一种碳纳米管集合体，其中直径为0.8nm的金属型CNT的量通过将在来自半导体型的峰面积的拉曼光谱分析中在200cm以上和280cm以下的区域中观察到的来自金属型CNT的峰面积除以获得的波长为532nm以上且1.3nm以下的峰值面积在130cm以上且200cm以下的区域中观察到的CNT为通过将半导体衍射的峰面积除以得到的直径为0.8nm以上且1.3nm以下的半导体型CNT的量的0.1倍以下使用在140cm以上且190cm以下的区域观察到的金属型CNT的峰面积在波长785nm的拉曼光谱分析中，在190cm以上且280cm以下的区域中观察到的CNT类型为一个渠道呃

2. 发明专利

JP2015095557A カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ有权
标题翻译：使用碳纳米管聚集体的场效应晶体管
公开(公告)号：JP2015095557A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013234226
申请日：2013-11-12
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：桜井俊介 , 畠賢治
IPC分类号： H01L29/06 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , B82Y30/00 , H01L21/336 , C01B31/02 , H01L29/786
摘要：【課題】カーボンナノチューブ(CNT)集合体でチャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、高いオンオフ比を得る。【解決手段】波長532nmのラマン分光分析で200cm −1 以上280cm −1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積を130cm −1 以上200cm −1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の金属型CNTの量が、波長785nmのラマン分光分析で190cm −1 以上280cm −1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積を140cm −1 以上190cm −1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の半導体型CNTの量の0.1倍以下となるカーボンナノチューブの集合体を用い、これを帯状領域に分割して電界効果トランジスタ100のチャネル層106とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供通过使用碳纳米管（CNT）骨料形成通道的场效应晶体管，并实现高开关比。解决方案：一种碳纳米管集合体，其中具有直径的金属型CNT的量通过将波长为532nm的拉曼光谱分析中观察到的金属型CNT的峰面积除以200cm以上且280cm以下的区域，得到0.8nm以上且1.3nm以下的峰值区域，在130cm以上且200cm以下的区域观察到的半导体型CNT为通过除去导出的峰面积得到的直径为0.8nm以上且1.3nm以下的半导体型CNT的量的0.1倍以下从在140cm以上且190cm以下的区域观察到的金属型CNT衍生的峰面积，在波长785nm的拉曼光谱分析中，在190cm以上且280cm以下的区域中观察到的半导体型CNT，被使用，而c 碳纳米管集束体被分成条状区域以形成场效应晶体管100的沟道层106。

3. 发明专利

JP2015093980A 繊維強化樹脂組成物、繊維強化成形体、繊維強化樹脂組成物の製造方法、繊維強化成形体の製造方法审中-公开
标题翻译：纤维增强树脂组合物，纤维增强成型品，纤维增强树脂组合物的制造方法以及生产纤维增强成型品的方法
公开(公告)号：JP2015093980A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013236012
申请日：2013-11-14
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：島本太介 , 堀田裕司 , 今井祐介
IPC分类号： C08K7/02 , C08J5/04 , C08L101/00
摘要：【課題】本発明は、熱劣化を抑制した繊維強化樹脂組成物を提供することを目的とする。【解決手段】熱可塑性樹脂と、熱伝導性フィラーと、繊維強化フィラーと、を含有する繊維強化樹脂組成物を提供する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制热降解的纤维增强树脂组合物。本发明涉及包含热塑性树脂，导热填料和纤维增强填料的纤维增强树脂组合物。

4. 发明专利

JP2015093836A エストロゲン様活性物質审中-公开
标题翻译：雌激素活性物质
公开(公告)号：JP2015093836A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013232321
申请日：2013-11-08
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：木山亮一 , 朱耘
IPC分类号： A61K36/81 , A61K36/00 , A61P15/12 , A61P15/02 , A61P13/08 , A61P9/10 , A61P19/10 , A61P25/28 , A61P35/00 , A61P7/02 , A61P5/30 , A61K31/165
摘要：【課題】エストロゲン(E 2 )の細胞増殖活性を誘導することなく、ホルモン療法に必要とされる中枢神経系や循環器系の機能に有効なエストロゲン作用のみを誘発する「サイレントエストロゲン」を提供することであり、さらに当該「サイレントエストロゲン」を用いて副作用のない心血管疾患および乳癌あるいは骨粗鬆症などのエストロゲン療法が適用される疾患の治療・予防方法を提供する。【解決手段】「DNAチップを用いた遺伝子発現プロファイル解析によるエストロゲン活性評価法」を利用して、カプサイシン類が「サイレントエストロゲン」であることを見出した。カプサイシン類又はそれをシードあるいはリード化合物として得た細胞増殖活性のないエストロゲン様活性化合物(エストロゲン製剤)を有効成分とした副作用のない心血管疾患および乳癌あるいは骨粗鬆症などのエストロゲン療法が適用される疾患の治療・予防方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种“沉默雌激素”，其仅诱导在中枢神经系统或循环系统的功能中有效的雌激素作用，其被认为是激素治疗所需的，而不诱导雌激素（E）的细胞生长活性，并提供使用“静默雌激素”的治疗和预防方法，所述“沉默雌激素”涉及应用雌激素治疗的疾病，例如心血管疾病和乳腺癌，或骨质疏松症。解决方案：通过使用“基因表达的雌激素活性评价方法发现使用DNA芯片的特征分析“，发现辣椒素是”沉默雌激素“。使用雌激素治疗的疾病如心血管疾病和乳腺癌或骨质疏松症，无副作用的治疗和预防方法用作活性成分辣椒素或没有细胞生长活性的雌激素活性化合物（雌激素制剂），其通过将其用作种子或铅化合物。

5. 发明专利

JP5717235B2 核酸増幅方法有权
标题翻译：核酸扩增法
公开(公告)号：JP5717235B2
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：JP2010072461
申请日：2010-03-26
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：永井秀典 , 渕脇雄介
IPC分类号： C12M1/00 , C12Q1/68

6. 发明专利

JP5717233B2 単層カーボンナノチューブの分離方法、分離装置、分離済単層カーボンナノチューブ含有ミセル分散溶液有权
标题翻译：分离单壁碳纳米管，分离装置的方法中，分离已经单层含有碳纳米管的胶束分散体溶液
公开(公告)号：JP5717233B2
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：JP2010031845
申请日：2010-02-16
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 日本電気株式会社
发明人：井原和紀 , 二瓶史行 , 斎藤毅 , 遠藤浩幸
IPC分类号： B03C5/00 , B03C5/02 , C01B31/02
CPC分类号： C01B31/0266 , B03C5/026 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0273 , C01B2202/02 , C01B2202/22

7. 发明专利

JP5716513B2 セラミックス接合体及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5716513B2
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：JP2011093881
申请日：2011-04-20
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 三井金属鉱業株式会社
发明人：北憲一郎 , 北英紀 , 井筒靖久
IPC分类号： C04B37/00

8. 发明专利

JP2015089882A フタロシアニン化合物及び有機半導体材料有权
标题翻译：羟基化合物和有机半导体材料
公开(公告)号：JP2015089882A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：JP2013230240
申请日：2013-11-06
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人大阪大学
发明人：清水洋 , ソーサ−ヴァルガスリディア , ネケルソンファビアン , 尾▲崎▼ 雅則 , 藤井彰彦
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07F3/06 , C07F15/04 , C07F1/08 , C07F15/06 , C07D487/22
摘要：【課題】高いキャリア移動度を有するフタロシアニン化合物又はその金属錯体を提供する。【解決手段】下記式(I)又は(IA)で表される化合物又はその金属錯体。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高载流子迁移率的酞菁化合物或其金属络合物。解决方案：本发明涉及由下式（I）或（IA）表示的化合物或其金属络合物。

9. 发明专利

JP5713264B2 欠陥を検査する方法、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置有权
标题翻译：用于检查缺陷，质量控制方法以及晶片或半导体器件的缺陷检查装置的方法
公开(公告)号：JP5713264B2
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2011541984
申请日：2010-11-19
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：坂井一文 , 野中一洋 , 山口信介
IPC分类号： G01B11/30 , G01N21/956
CPC分类号： G01N21/9505 , G01L1/241 , G01N21/21 , H01L22/12 , H01L2924/0002

10. 发明专利

JP5713162B2 二次電池用有機硫黄系正極材料製造装置及び製造方法有权
标题翻译：用于二次电池的有机硫正电极材料的制造装置及制造方法
公开(公告)号：JP5713162B2
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2012070443
申请日：2012-03-26
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 高砂工業株式会社
发明人：小島敏勝 , 幸琢寛 , 境哲男 , 籠橋章 , 鈴木基晴 , 伊藤竜昭 , 中村寿樹
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式