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2. 发明专利

TW201251005A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201251005A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101102887
申请日：2012-01-30
申请人：國立大學法人東北大學 , 下一代動力設備技術研究組合 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：寺本章伸 , 神林宏 , 上田博一 , 兩角友一朗 , 原田豪繁 , 長谷部一秀 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/28264 , H01L23/564 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明旨在提供一種半導體裝置之製造方法,該半導體裝置具有構成半導體層之GaN(氮化鎵),其中,該半導體裝置之製造方法包含閘絕緣膜形成程序(F),該閘絕緣膜形成程序在具有GaN之氮化物層上,使用微波電漿,形成SiO2膜及Al2O3膜所構成之群組中至少一者,以形成之膜作為閘絕緣膜至少一部分。
简体摘要：本发明旨在提供一种半导体设备之制造方法,该半导体设备具有构成半导体层之GaN(氮化镓),其中,该半导体设备之制造方法包含闸绝缘膜形成进程(F),该闸绝缘膜形成进程在具有GaN之氮化物层上,使用微波等离子,形成SiO2膜及Al2O3膜所构成之群组中至少一者,以形成之膜作为闸绝缘膜至少一部分。

3. 发明专利

TW201602385A TiSiN膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题： TiSiN膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201602385A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104109267
申请日：2015-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/285 , H01L49/02
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/32051 , H01L21/76841 , H01L28/60
摘要：本發明提供一種TiSiN膜之成膜方法，於被處理體的被處理面上將TiSiN膜成膜，包含如下步驟：步驟(1)，將Ti原料氣體供給步驟及氮化氣體供給步驟施行設定的第1次數：Ti原料氣體供給步驟，對收納有該被處理體之處理室內供給含有Ti原料的Ti原料氣體；氮化氣體供給步驟，在對該處理室內供給該Ti原料氣體後，對該處理室內供給含有氮化劑的氮化氣體；以及步驟(2)，將Si原料氣體供給步驟及氮化氣體供給步驟施行設定的第2設定次數：Si原料氣體供給步驟，於該步驟(1)後，對該處理室內供給含有Si原料的Si原料氣體；氮化氣體供給步驟，在對該處理室內供給該Si原料氣體後，對該處理室內供給含有氮化劑的氮化氣體；使該Si原料氣體為胺系Si原料氣體。
简体摘要：本发明提供一种TiSiN膜之成膜方法，于被处理体的被处理面上将TiSiN膜成膜，包含如下步骤：步骤(1)，将Ti原料气体供给步骤及氮化气体供给步骤施行设置的第1次数：Ti原料气体供给步骤，对收纳有该被处理体之处理室内供给含有Ti原料的Ti原料气体；氮化气体供给步骤，在对该处理室内供给该Ti原料气体后，对该处理室内供给含有氮化剂的氮化气体；以及步骤(2)，将Si原料气体供给步骤及氮化气体供给步骤施行设置的第2设置次数：Si原料气体供给步骤，于该步骤(1)后，对该处理室内供给含有Si原料的Si原料气体；氮化气体供给步骤，在对该处理室内供给该Si原料气体后，对该处理室内供给含有氮化剂的氮化气体；使该Si原料气体为胺系Si原料气体。

4. 发明专利

TWI506156B 膜形成方法及膜形成設備有权
简体标题：膜形成方法及膜形成设备
公开(公告)号：TWI506156B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100117978
申请日：2011-05-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02189 , H01L21/02159 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L28/40

5. 发明专利

TWI383074B 薄膜形成裝置及薄膜形成裝置之洗淨方法有权
简体标题：薄膜形成设备及薄膜形成设备之洗净方法
公开(公告)号：TWI383074B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW094112590
申请日：2005-04-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 藤原友紀 , FUJIWARA, TOMONORI , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 崔東均 , CHOI, DONG-KYUN , 古屋治彥 , FURUYA, HARUHIKO , 矢部和雄 , YABE, KAZUO
IPC分类号： C30B25/00
CPC分类号： B08B7/0035 , C23C16/4405 , Y10S438/90

6. 发明专利

TWI613727B 薄膜形成方法及薄膜形成裝置有权
简体标题：薄膜形成方法及薄膜形成设备
公开(公告)号：TWI613727B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104109124
申请日：2015-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 高田獎 , TAKADA, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/45546 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , C23C16/56

7. 发明专利

TWI536453B 電容器的製造方法、電容器及用於該電容器之介電膜的形成方法有权
简体标题：电容器的制造方法、电容器及用于该电容器之介电膜的形成方法
公开(公告)号：TWI536453B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102104024
申请日：2013-02-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：和村有 , WAMURA, YU , 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 菱屋晋吾 , HISHIYA, SHINGO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L29/92
CPC分类号： H01L28/60 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02356 , H01L28/75 , H01L28/92

8. 发明专利

TWI449108B 薄膜形成方法及薄膜形成設備有权
简体标题：薄膜形成方法及薄膜形成设备
公开(公告)号：TWI449108B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW098126349
申请日：2009-08-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石田義弘 , ISHIDA, YOSHIHIRO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 菅原卓也 , SUGAWARA, TAKUYA
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31641 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45546

9. 发明专利

TWI613310B TiSiN膜之成膜方法及成膜裝置有权
简体标题： TiSiN膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI613310B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104109267
申请日：2015-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/285 , H01L49/02
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/32051 , H01L21/76841 , H01L28/60

10. 发明专利

TW201608637A 薄膜形成方法及薄膜形成裝置审中-公开
简体标题：薄膜形成方法及薄膜形成设备
公开(公告)号：TW201608637A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104109124
申请日：2015-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 高田獎 , TAKADA, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/45546 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , C23C16/56
摘要：一種薄膜形成方法，包含：第1成膜程序，其重複進行吸附步驟及氧化步驟多數次，該吸附步驟在將收容被處理體之反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給有機金屬化合物氣體，使有機金屬化合物吸附在前述被處理體上，而該氧化步驟在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給第1氧化劑，使吸附在前述被處理體上之有機金屬化合物氧化而形成薄膜；退火程序，其在前述第1成膜程序結束後，在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供應氧化力比前述第1氧化劑強之第2氧化劑；及第2成膜程序，其在前述退火程序後，重複進行吸附步驟及氧化步驟多數次，該吸附步驟在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給前述有機金屬化合物氣體，使前述有機金屬化合物吸附在前述第1成膜程序中形成之前述薄膜上，而該氧化步驟在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給前述第2氧化劑，使吸附在前述第1成膜程序中形成之前述薄膜上的前述有機金屬化合物氧化而形成薄膜。
简体摘要：一种薄膜形成方法，包含：第1成膜进程，其重复进行吸附步骤及氧化步骤多数次，该吸附步骤在将收容被处理体之反应室内加热至既定温度之状态下供给有机金属化合物气体，使有机金属化合物吸附在前述被处理体上，而该氧化步骤在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供给第1氧化剂，使吸附在前述被处理体上之有机金属化合物氧化而形成薄膜；退火进程，其在前述第1成膜进程结束后，在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供应氧化力比前述第1氧化剂强之第2氧化剂；及第2成膜进程，其在前述退火进程后，重复进行吸附步骤及氧化步骤多数次，该吸附步骤在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供给前述有机金属化合物气体，使前述有机金属化合物吸附在前述第1成膜进程中形成之前述薄膜上，而该氧化步骤在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供给前述第2氧化剂，使吸附在前述第1成膜进程中形成之前述薄膜上的前述有机金属化合物氧化而形成薄膜。

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