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1. 发明专利

TW201251005A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201251005A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101102887
申请日：2012-01-30
申请人：國立大學法人東北大學 , 下一代動力設備技術研究組合 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：寺本章伸 , 神林宏 , 上田博一 , 兩角友一朗 , 原田豪繁 , 長谷部一秀 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/28264 , H01L23/564 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明旨在提供一種半導體裝置之製造方法,該半導體裝置具有構成半導體層之GaN(氮化鎵),其中,該半導體裝置之製造方法包含閘絕緣膜形成程序(F),該閘絕緣膜形成程序在具有GaN之氮化物層上,使用微波電漿,形成SiO2膜及Al2O3膜所構成之群組中至少一者,以形成之膜作為閘絕緣膜至少一部分。
简体摘要：本发明旨在提供一种半导体设备之制造方法,该半导体设备具有构成半导体层之GaN(氮化镓),其中,该半导体设备之制造方法包含闸绝缘膜形成进程(F),该闸绝缘膜形成进程在具有GaN之氮化物层上,使用微波等离子,形成SiO2膜及Al2O3膜所构成之群组中至少一者,以形成之膜作为闸绝缘膜至少一部分。

3. 发明专利

TWI428980B 半導體裝置之製造方法及電漿化學氣相沉積處理方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法及等离子化学气相沉积处理方法
公开(公告)号：TWI428980B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW097130369
申请日：2008-08-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01L21/02274 , H01L21/31055 , H01L21/31116

4. 发明专利

TW201013781A 氧化矽膜之成膜方法、氧化矽膜、半導體裝置以及半導體裝置之製造方法 FILM FORMING METHOD OF SILICON OXIDE FILM, SILICON OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：氧化硅膜之成膜方法、氧化硅膜、半导体设备以及半导体设备之制造方法 FILM FORMING METHOD OF SILICON OXIDE FILM, SILICON OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201013781A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098115611
申请日：2009-05-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 田中義伸 , 大澤佑介 , 野澤俊久 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/76224 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/31612
摘要：本發明係將矽化合物氣體、氧化性氣體、以及稀有氣體供給至電漿處理裝置(1)之處理室(2)內，再將微波供給至該處理室(2)內，並藉由該微波所產生之電漿而於目標基板上形成氧化矽膜。該稀有氣體之分壓比係佔該矽化合物氣體、該氧化性氣體、以及該稀有氣體之總氣體壓力的10％或以上，並且該矽化合物氣體與該氧化性氣體之有效流率比（氧化性氣體/矽化合物氣體）係不小於3且不大於11。
简体摘要：本发明系将硅化合物气体、氧化性气体、以及稀有气体供给至等离子处理设备(1)之处理室(2)内，再将微波供给至该处理室(2)内，并借由该微波所产生之等离子而于目标基板上形成氧化硅膜。该稀有气体之分压比系占该硅化合物气体、该氧化性气体、以及该稀有气体之总气体压力的10％或以上，并且该硅化合物气体与该氧化性气体之有效流率比（氧化性气体/硅化合物气体）系不小于3且不大于11。

5. 发明专利

TW201203366A 成膜方法、半導體元件之製造方法、絕緣膜及半導體元件审中-公开
简体标题：成膜方法、半导体组件之制造方法、绝缘膜及半导体组件
公开(公告)号：TW201203366A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100120940
申请日：2011-06-15
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 田中宏治 , 田中義伸 , 大澤佑介
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01J37/3222 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L21/823878 , H01L29/7833
摘要：一種成膜方法，首先將成為半導體元件之基礎之被處理基板W保持於保持台34上。其次，使原料氣體吸附至被處理基板W上(圖6(A))。然後，為了去除剩餘吸附之吸附氣體並進行氣體置換，而進行處理容器32內之排氣(圖6(B))。排氣後，使用微波進行電漿氮化處理(圖6(C))。電漿氮化處理結束後，為了去除氨氣等並進行氣體置換，而對處理容器32內進行排氣(圖6(D))。反覆進行上述步驟(A)~步驟(D)之一連串之流程，直至成為所需之膜厚為止。
简体摘要：一种成膜方法，首先将成为半导体组件之基础之被处理基板W保持于保持台34上。其次，使原料气体吸附至被处理基板W上(图6(A))。然后，为了去除剩余吸附之吸附气体并进行气体置换，而进行处理容器32内之排气(图6(B))。排气后，使用微波进行等离子氮化处理(图6(C))。等离子氮化处理结束后，为了去除氨气等并进行气体置换，而对处理容器32内进行排气(图6(D))。反复进行上述步骤(A)~步骤(D)之一连串之流程，直至成为所需之膜厚为止。

6. 发明专利

TW201125035A 成膜方法、半導體元件製造方法、絕緣膜以及半導體元件审中-公开
简体标题：成膜方法、半导体组件制造方法、绝缘膜以及半导体组件
公开(公告)号：TW201125035A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099131352
申请日：2010-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 大澤佑介 , 堀入正弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L29/66181
摘要：本發明係關於一種成膜方法、半導體元件製造方法、絕緣膜以及半導體元件。成膜方法首先係使得做為半導體元件基礎之被處理基板保持於保持台上。其次，於被處理基板上吸附成膜氣體(圖6(A))。之後，為了去除剩餘吸附之成膜氣體，進行處理容器32內之排氣(圖6(B))。排氣後，以微波進行電漿處理(圖6(C))。於電漿處理結束後，為了去除未反應之反應氣體等，進行處理容器32內之排氣(圖6(D))。此步驟(A)～步驟(D)之一連串流程係反覆進行直到成為所希望之膜厚為止。
简体摘要：本发明系关于一种成膜方法、半导体组件制造方法、绝缘膜以及半导体组件。成膜方法首先系使得做为半导体组件基础之被处理基板保持于保持台上。其次，于被处理基板上吸附成膜气体(图6(A))。之后，为了去除剩余吸附之成膜气体，进行处理容器32内之排气(图6(B))。排气后，以微波进行等离子处理(图6(C))。于等离子处理结束后，为了去除未反应之反应气体等，进行处理容器32内之排气(图6(D))。此步骤(A)～步骤(D)之一连串流程系反复进行直到成为所希望之膜厚为止。

7. 发明专利

TW201006955A 噴氣環、半導體基板處理裝置及半導體基板處理方法审中-公开
简体标题：喷气环、半导体基板处理设备及半导体基板处理方法
公开(公告)号：TW201006955A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098119629
申请日：2009-06-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 田中義伸 , 大塚康弘 , 中橋政信
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4558
摘要：本發明係提供一種可使得氣體自各氣體噴出口均勻噴出的噴氣環，其中噴氣環為環狀，並具有自外部將氣體導入至噴氣環內的氣體導入口、將自氣體導入口所導入之氣體噴出的複數個氣體噴出口、以及沿著自氣體導入口處到各氣體噴出口之間環狀延伸的複數個分叉路徑。其中，自各氣體噴出口處到成為各分叉路徑之分叉點的中央部之間的距離係分別相等的。
简体摘要：本发明系提供一种可使得气体自各气体喷出口均匀喷出的喷气环，其中喷气环为环状，并具有自外部将气体导入至喷气环内的气体导入口、将自气体导入口所导入之气体喷出的复数个气体喷出口、以及沿着自气体导入口处到各气体喷出口之间环状延伸的复数个分叉路径。其中，自各气体喷出口处到成为各分叉路径之分叉点的中央部之间的距离系分别相等的。

8. 发明专利

TW201831723A 成膜方法、硼膜、及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法、硼膜、及成膜设备
公开(公告)号：TW201831723A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106143677
申请日：2017-12-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 石川拓 , ISHIKAWA, HIRAKU , 渡部佳優 , WATANABE, YOSHIMASA , 米澤周平 , YONEZAWA, SYUHEI
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/38 , H01L21/314
摘要：本發明提供一種應用於半導體裝置之有用的硼膜及其成膜方法。對處理容器內的壓力已被調整為0.67Pa~33.3Pa(5mTorr~250mTorr)範圍內之處理氛圍供應包含有含硼氣體之反應氣體(B2H6氣體與He氣體)來使反應氣體電漿化。藉由該電漿而於晶圓成膜出硼膜。利用電漿的能量來成膜，藉此便可降低成膜處理時的溫度，來抑制熱的影響而成膜出硼膜。由於硼膜係蝕刻耐受性強，且具有高蝕刻選擇比，故可用來作為半導體裝置材料。
简体摘要：本发明提供一种应用于半导体设备之有用的硼膜及其成膜方法。对处理容器内的压力已被调整为0.67Pa~33.3Pa(5mTorr~250mTorr)范围内之处理氛围供应包含有含硼气体之反应气体(B2H6气体与He气体)来使反应气体等离子化。借由该等离子而于晶圆成膜出硼膜。利用等离子的能量来成膜，借此便可降低成膜处理时的温度，来抑制热的影响而成膜出硼膜。由于硼膜系蚀刻耐受性强，且具有高蚀刻选择比，故可用来作为半导体设备材料。

9. 发明专利

TWI521613B 電漿摻雜裝置及電漿摻雜方法有权
简体标题：等离子掺杂设备及等离子掺杂方法
公开(公告)号：TWI521613B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102148103
申请日：2013-12-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 小林勇氣 , KOBAYASHI, YUUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/22
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J21/22 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/22

10. 发明专利

TW201445639A 電漿摻雜裝置及電漿摻雜方法审中-公开
简体标题：等离子掺杂设备及等离子掺杂方法
公开(公告)号：TW201445639A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102148103
申请日：2013-12-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 小林勇氣 , KOBAYASHI, YUUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/22
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J21/22 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/22
摘要：提供一種電漿摻雜裝置，可對被處理基板進行安定摻雜，並可提高對被處理基板之摻雜量的面內均勻性。於電漿摻雜裝置所具備之電漿產生機構包含：微波產生器，用以產生電漿激發用微波；介電質窗，使得微波產生器所產生之微波穿透至處理容器內；以及，輻線狹縫天線，設有複數狹縫，使得微波輻射至介電質窗。控制部係以下述方式進行控制：於被處理基板載置於該保持台上之狀態下，藉由氣體供給部對處理容器內供給摻雜氣體以及電漿激發用氣體，利用氣體供給部供給摻雜氣體以及電漿激發用氣體後以電漿產生機構來產生電漿而對被處理基板進行摻雜，使得被處理基板受注入之摻質濃度成為未達1×1013atoms/cm2。
简体摘要：提供一种等离子掺杂设备，可对被处理基板进行安定掺杂，并可提高对被处理基板之掺杂量的面内均匀性。于等离子掺杂设备所具备之等离子产生机构包含：微波产生器，用以产生等离子激发用微波；介电质窗，使得微波产生器所产生之微波穿透至处理容器内；以及，辐线狭缝天线，设有复数狭缝，使得微波辐射至介电质窗。控制部系以下述方式进行控制：于被处理基板载置于该保持台上之状态下，借由气体供给部对处理容器内供给掺杂气体以及等离子激发用气体，利用气体供给部供给掺杂气体以及等离子激发用气体后以等离子产生机构来产生等离子而对被处理基板进行掺杂，使得被处理基板受注入之掺质浓度成为未达1×1013atoms/cm2。

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