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1. 发明专利

TWI509687B 薄膜形成設備之清理方法、薄膜形成方法、及薄膜形成設備有权
简体标题：薄膜形成设备之清理方法、薄膜形成方法、及薄膜形成设备
公开(公告)号：TWI509687B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW100124621
申请日：2011-07-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 久保萬身 , KUBO, KAZUMI , 水永覺 , MIZUNAGA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C14/3414

2. 发明专利

TWI503871B 膜形成設備及其操作方法有权
简体标题：膜形成设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI503871B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101139571
申请日：2012-10-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 水永覺 , MIZUNAGA, SATOSHI , 大塚武裕 , OTSUKA, TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/02115 , H01L21/02271

3. 发明专利

TWI441256B 直立式熱處理裝置及使用其之方法有权
简体标题：直立式热处理设备及使用其之方法
公开(公告)号：TWI441256B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW096124522
申请日：2007-07-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 藤田義幸 , FUJITA, YOSHIYUKI , 宮崎伸治 , MIYAZAKI, SHINJI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67248 , F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67115

4. 发明专利

TW201735272A 凹部之填埋方法及處理裝置审中-公开
简体标题：凹部之填埋方法及处理设备
公开(公告)号：TW201735272A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106106309
申请日：2017-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：千葉洋一郎 , CHIBA, YOICHIRO , 鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE , 遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI
IPC分类号： H01L23/053 , H01L21/74
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/24 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76876
摘要：本發明，係對於在表面具有已形成凹部之絕緣膜之被處理基板，將鍺或鍺矽所構成之鍺系膜填埋至該凹部之凹部之填埋方法，其具有以下步驟：在該絕緣膜的表面，以不完全埋入該凹部之厚度，使矽膜成膜；接著，對該矽膜進行蝕刻，而使該矽膜僅殘存於該凹部內之底部；接著，在殘存於該凹部內之底部之該矽膜上，選擇性地使鍺或矽鍺所構成之鍺系膜成長，而選擇性的將該鍺系膜填埋至該凹部。
简体摘要：本发明，系对于在表面具有已形成凹部之绝缘膜之被处理基板，将锗或锗硅所构成之锗系膜填埋至该凹部之凹部之填埋方法，其具有以下步骤：在该绝缘膜的表面，以不完全埋入该凹部之厚度，使硅膜成膜；接着，对该硅膜进行蚀刻，而使该硅膜仅残存于该凹部内之底部；接着，在残存于该凹部内之底部之该硅膜上，选择性地使锗或硅锗所构成之锗系膜成长，而选择性的将该锗系膜填埋至该凹部。

5. 发明专利

TWI503870B 成膜設備及其操作方法有权
简体标题：成膜设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI503870B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101139131
申请日：2012-10-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 水永覺 , MIZUNAGA, SATOSHI , 大塚武裕 , OTSUKA, TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4404

6. 发明专利

TW201330058A 成膜設備及其操作方法审中-公开
简体标题：成膜设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201330058A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101139131
申请日：2012-10-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 水永覺 , MIZUNAGA, SATOSHI , 大塚武裕 , OTSUKA, TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4404
摘要：提出一種操作成膜設備之方法，可以藉由改善碳膜對製程容器內接觸製程空間且由石英材料所形成之構件表面的黏著性，而抑制微粒的產生。該方法包含形成一碳膜於複數個目的物之表面每一者上，前述複數個目的物在石英材料所形成之製程容器內由一固持單元所固持，其中該方法更包含形成一黏著膜以改善碳膜之黏著性，前述碳膜係在製程空間內接觸製程空間且由石英材料所形成之構件的表面上。因此，改善了碳膜對製程容器內接觸製程空間且由石英材料所形成之構件表面的黏著性，進而抑制微粒的產生。
简体摘要：提出一种操作成膜设备之方法，可以借由改善碳膜对制程容器内接触制程空间且由石英材料所形成之构件表面的黏着性，而抑制微粒的产生。该方法包含形成一碳膜于复数个目的物之表面每一者上，前述复数个目的物在石英材料所形成之制程容器内由一固持单元所固持，其中该方法更包含形成一黏着膜以改善碳膜之黏着性，前述碳膜系在制程空间内接触制程空间且由石英材料所形成之构件的表面上。因此，改善了碳膜对制程容器内接触制程空间且由石英材料所形成之构件表面的黏着性，进而抑制微粒的产生。

7. 发明专利

TWI505362B 碳膜上之氧化物成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：碳膜上之氧化物成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI505362B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100148504
申请日：2011-12-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 久保萬身 , KUBO, KAZUMI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/402

8. 发明专利

TW201335975A 膜形成設備及其操作方法审中-公开
简体标题：膜形成设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201335975A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101139571
申请日：2012-10-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 水永覺 , MIZUNAGA, SATOSHI , 大塚武裕 , OTSUKA, TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/02115 , H01L21/02271
摘要：一種操作膜形成設備之方法包含：形成碳膜於複數個目的物之表面每一者上，該複數個目的物是由製程容器內的固持單元所固持；以及用清潔氣體執行清潔製程以移除黏著在製程容器內側上之不必要碳膜，其中該方法更包含：在形成碳膜之前，在該製程容器內接觸製程空間的構件表面上，形成一具耐受性預塗佈膜，該具耐受性預塗佈膜對該清潔氣體具有耐受性並且改善該碳膜對構件表面的黏著性。因此，碳膜的黏著性得以改善，此外，即使在執行移除不必要碳膜的清潔製程時，該具耐受性預塗佈膜仍然留存。
简体摘要：一种操作膜形成设备之方法包含：形成碳膜于复数个目的物之表面每一者上，该复数个目的物是由制程容器内的固持单元所固持；以及用清洁气体运行清洁制程以移除黏着在制程容器内侧上之不必要碳膜，其中该方法更包含：在形成碳膜之前，在该制程容器内接触制程空间的构件表面上，形成一具耐受性预涂布膜，该具耐受性预涂布膜对该清洁气体具有耐受性并且改善该碳膜对构件表面的黏着性。因此，碳膜的黏着性得以改善，此外，即使在运行移除不必要碳膜的清洁制程时，该具耐受性预涂布膜仍然留存。

9. 发明专利

TW201318039A 薄膜形成方法及膜形成設備审中-公开
简体标题：薄膜形成方法及膜形成设备
公开(公告)号：TW201318039A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101135631
申请日：2012-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 宮原孝廣 , MIYAHARA, TAKAHIRO , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 五十嵐一將 , IGARASHI, KAZUMASA
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
摘要：一種在配置成可真空排氣之處理容器中於待處理物體的表面上形成晶種膜以及含雜質矽膜之薄膜形成方法，包含：執行藉由供應包含胺基矽烷基氣體以及多矽數矽烷至少一者之晶種膜原料氣體至處理容器中，從而形成晶種膜的第一步驟；以及執行藉由供應矽烷基氣體以及含雜質氣體至處理容器中，從而形成呈非晶狀態之含雜質矽膜的第二步驟。
简体摘要：一种在配置成可真空排气之处理容器中于待处理物体的表面上形成晶种膜以及含杂质硅膜之薄膜形成方法，包含：运行借由供应包含胺基硅烷基气体以及多硅数硅烷至少一者之晶种膜原料气体至处理容器中，从而形成晶种膜的第一步骤；以及运行借由供应硅烷基气体以及含杂质气体至处理容器中，从而形成呈非晶状态之含杂质硅膜的第二步骤。

10. 发明专利

TWI383074B 薄膜形成裝置及薄膜形成裝置之洗淨方法有权
简体标题：薄膜形成设备及薄膜形成设备之洗净方法
公开(公告)号：TWI383074B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW094112590
申请日：2005-04-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 藤原友紀 , FUJIWARA, TOMONORI , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 崔東均 , CHOI, DONG-KYUN , 古屋治彥 , FURUYA, HARUHIKO , 矢部和雄 , YABE, KAZUO
IPC分类号： C30B25/00
CPC分类号： B08B7/0035 , C23C16/4405 , Y10S438/90

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