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1. 发明专利

TWI449108B 薄膜形成方法及薄膜形成設備有权
简体标题：薄膜形成方法及薄膜形成设备
公开(公告)号：TWI449108B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW098126349
申请日：2009-08-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石田義弘 , ISHIDA, YOSHIHIRO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 菅原卓也 , SUGAWARA, TAKUYA
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31641 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45546

2. 发明专利

TWI462179B 用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置有权
简体标题：用以形成氧化硅膜之成膜方法与设备
公开(公告)号：TWI462179B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW096135607
申请日：2007-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 石田義弘 , ISHIDA, YOSHIHIRO , 藤田武彥 , FUJITA, TAKEHIKO , 小川淳 , OGAWA, JUN , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02274 , H01L21/0228

3. 发明专利

TWI423335B 膜形成方法及半導體製程用裝置有权
简体标题：膜形成方法及半导体制程用设备
公开(公告)号：TWI423335B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW096133309
申请日：2007-09-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 石田義弘 , ISHIDA, YOSHIHIRO , 藤田武彥 , FUJITA, TAKEHIKO , 小川淳 , OGAWA, JUN , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544

4. 发明专利

TW201013783A 薄膜形成方法及薄膜形成設備 FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS 审中-公开
简体标题：薄膜形成方法及薄膜形成设备 FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS
公开(公告)号：TW201013783A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098126349
申请日：2009-08-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石田義弘 , 原田豪繁 , 菅原卓也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31641 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45546
摘要：本發明包含：將待處理物插入至可保持真空之一處理容器中，並使該處理容器成為真空；藉由交替地供應鋯來源與一氧化劑至該處理容器多數次，而執行在一基板上形成一氧化鋯(ZrO2)薄膜之程序，及藉由交替地供應矽來源與該氧化劑至該處理容器一次以上，而執行在該基板上形成一二氧化矽(SiO2)薄膜之程序，其中調整該程序之每一者的執行次數，以使得該薄膜的矽(Si)濃度從約為1atm％至約為4atm％；以及藉由執行該薄膜形成程序一個以上之循環，而形成一具有預定厚度之以氧化鋯為基礎的薄膜，其中一循環表示重複該ZrO2薄膜形成程序及該SiO2薄膜形成程序的每一者該調整的執行次數。
简体摘要：本发明包含：将待处理物插入至可保持真空之一处理容器中，并使该处理容器成为真空；借由交替地供应锆来源与一氧化剂至该处理容器多数次，而运行在一基板上形成一氧化锆(ZrO2)薄膜之进程，及借由交替地供应硅来源与该氧化剂至该处理容器一次以上，而运行在该基板上形成一二氧化硅(SiO2)薄膜之进程，其中调整该进程之每一者的运行次数，以使得该薄膜的硅(Si)浓度从约为1atm％至约为4atm％；以及借由运行该薄膜形成进程一个以上之循环，而形成一具有预定厚度之以氧化锆为基础的薄膜，其中一循环表示重复该ZrO2薄膜形成进程及该SiO2薄膜形成进程的每一者该调整的运行次数。

5. 发明专利

TW201041065A 用以形成高介電常數薄膜之立式熱處理設備及其零件 VERTICAL HEAT PROCESSING APPARATUS AND COMPONENT FOR SAME, FOR FORMING HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM 审中-公开
简体标题：用以形成高介电常数薄膜之立式热处理设备及其零件 VERTICAL HEAT PROCESSING APPARATUS AND COMPONENT FOR SAME, FOR FORMING HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM
公开(公告)号：TW201041065A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099100992
申请日：2010-01-14
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石井勝利 , 石田義弘 , 原田豪繁 , 古屋治彦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/67109
摘要：用以藉沉積而形成金屬氧化物的高介電常數薄膜的立式熱處理設備包括反應容器,用以在垂直方向上等間距容納複數個目標基板;支撐構件,用以支撐該反應容器內的目標基板;加熱器,用以加熱該反應容器內的目標基板;排氣系統,用以自該反應容器內排除氣體;及氣體供應系統,用以供應金屬源氣及氧化性氣體至該反應容器中,其中該氣體供應系統包括設於該反應容器內的氣體噴嘴,且該氣體噴嘴係以鈦為主的金屬所製。
简体摘要：用以藉沉积而形成金属氧化物的高介电常数薄膜的立式热处理设备包括反应容器,用以在垂直方向上等间距容纳复数个目标基板;支撑构件,用以支撑该反应容器内的目标基板;加热器,用以加热该反应容器内的目标基板;排气系统,用以自该反应容器内排除气体;及气体供应系统,用以供应金属源气及氧化性气体至该反应容器中,其中该气体供应系统包括设于该反应容器内的气体喷嘴,且该气体喷嘴系以钛为主的金属所制。

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