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1. 发明专利

TWI463546B 半導體製程用之反應管及熱處理設備有权
简体标题：半导体制程用之反应管及热处理设备
公开(公告)号：TWI463546B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098110850
申请日：2009-04-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI , 井上久司 , INOUE, HISASHI , 潮永圭史 , SHIONAGA, KEISHI , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO , 遠藤篤史 , ENDOH, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67109

2. 发明专利

TW201546877A 成膜方法、成膜裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：成膜方法、成膜设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201546877A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104108250
申请日：2015-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木啟介 , SUZUKI, KEISUKE , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO , 門永健太郎 , KADONAGA, KENTARO , 小幡穰 , OBATA, MINORU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45529 , C23C16/45531
摘要：本發明旨在提供一種成膜方法，於真空氛圍中使含有摻雜元素之薄膜成膜，其特徵在於包含：吸附程序，將原料氣體自原料氣體供給部供給到呈真空氛圍之處理容器內，使基板吸附該原料氣體之原料；摻雜程序，重複複數次「將含有摻雜元素之摻雜氣體自摻雜氣體供給部供給到該處理容器內，於該處理容器內封入摻雜氣體之步驟，與使該處理容器內真空排氣之步驟」；反應程序，自反應氣體供給部對該處理容器內供給「與該原料反應而產生反應產物之反應氣體」；及置換程序，介在於該各程序間而進行，置換該處理容器內之氛圍；且自該原料氣體供給部、該摻雜氣體供給部及反應氣體供給部，對該處理容器內流入防止逆流用氣體，同時進行該摻雜程序。
简体摘要：本发明旨在提供一种成膜方法，于真空氛围中使含有掺杂元素之薄膜成膜，其特征在于包含：吸附进程，将原料气体自原料气体供给部供给到呈真空氛围之处理容器内，使基板吸附该原料气体之原料；掺杂进程，重复复数次“将含有掺杂元素之掺杂气体自掺杂气体供给部供给到该处理容器内，于该处理容器内封入掺杂气体之步骤，与使该处理容器内真空排气之步骤”；反应进程，自反应气体供给部对该处理容器内供给“与该原料反应而产生反应产物之反应气体”；及置换进程，介在于该各进程间而进行，置换该处理容器内之氛围；且自该原料气体供给部、该掺杂气体供给部及反应气体供给部，对该处理容器内流入防止逆流用气体，同时进行该掺杂进程。

3. 发明专利

TWI541895B 立式熱處理裝置之運轉方法與記憶媒體及立式熱處理裝置有权
简体标题：立式热处理设备之运转方法与记忆媒体及立式热处理设备
公开(公告)号：TWI541895B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103111819
申请日：2014-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： B05C5/02 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , H01L21/67109 , H01L21/67757

4. 发明专利

TWI506156B 膜形成方法及膜形成設備有权
简体标题：膜形成方法及膜形成设备
公开(公告)号：TWI506156B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100117978
申请日：2011-05-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02189 , H01L21/02159 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L28/40

5. 发明专利

TW201511130A 立式熱處理裝置之運轉方法與記憶媒體及立式熱處理裝置审中-公开
简体标题：立式热处理设备之运转方法与记忆媒体及立式热处理设备
公开(公告)号：TW201511130A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103111819
申请日：2014-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： B05C5/02 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , H01L21/67109 , H01L21/67757
摘要：本發明旨在提供一種立式熱處理裝置之運轉方法與記憶媒體及立式熱處理裝置。其中，於該立式熱處理裝置之運轉方法內，該立式熱處理裝置包含：立式之反應容器，於周圍設置加熱部；第1氣體噴嘴，用來供給原料氣體亦即第1氣體；及第2氣體噴嘴，用來供給與原料氣體之分子反應而產生反應產物，作為反應氣體之第2氣體；該立式熱處理裝置之運轉方法之特徵在於包含：送入程序，將由基板固持具固持成架座狀之複數之基板送入該反應容器內；成膜程序，交互重複進行下列步驟：將第1氣體暫時儲存在設於該第1氣體噴嘴之上游側之氣體供給通道之儲存部而使其昇壓，開啟該儲存部之下游側之閥，對係真空環境之反應容器內供給第1氣體；及自該第2氣體噴嘴對該反應容器內供給第2氣體；沖洗程序，接著，將固持該基板之基板固持具自該反應容器送出後，關閉反應容器之基板送入送出口，為強制剝離附著於反應容器內之薄膜，對反應容器內供給沖洗氣體，並使該反應容器之溫度變化；噴吐程序，進行該沖洗程序時，重複多數次於該儲存部儲存沖洗氣體而使其昇壓，開啟該儲存部之下游側之閥，對反應容器內噴吐沖洗氣體而操作該閥之動作；及該成膜程序，在重複多數次操作該閥而對該反應容器內噴吐沖洗氣體之動作之該噴吐程序後進行。
简体摘要：本发明旨在提供一种立式热处理设备之运转方法与记忆媒体及立式热处理设备。其中，于该立式热处理设备之运转方法内，该立式热处理设备包含：立式之反应容器，于周围设置加热部；第1气体喷嘴，用来供给原料气体亦即第1气体；及第2气体喷嘴，用来供给与原料气体之分子反应而产生反应产物，作为反应气体之第2气体；该立式热处理设备之运转方法之特征在于包含：送入进程，将由基板固持具固持成架座状之复数之基板送入该反应容器内；成膜进程，交互重复进行下列步骤：将第1气体暂时存储在设于该第1气体喷嘴之上游侧之气体供给信道之存储部而使其升压，打开该存储部之下游侧之阀，对系真空环境之反应容器内供给第1气体；及自该第2气体喷嘴对该反应容器内供给第2气体；冲洗进程，接着，将固持该基板之基板固持具自该反应容器送出后，关闭反应容器之基板送入送出口，为强制剥离附着于反应容器内之薄膜，对反应容器内供给冲洗气体，并使该反应容器之温度变化；喷吐进程，进行该冲洗进程时，重复多数次于该存储部存储冲洗气体而使其升压，打开该存储部之下游侧之阀，对反应容器内喷吐冲洗气体而操作该阀之动作；及该成膜进程，在重复多数次操作该阀而对该反应容器内喷吐冲洗气体之动作之该喷吐进程后进行。

6. 发明专利

TW201308400A 具有金紅石晶體結構之二氧化鈦膜的形成方法审中-公开
简体标题：具有金红石晶体结构之二氧化钛膜的形成方法
公开(公告)号：TW201308400A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101117856
申请日：2012-05-18
申请人：爾必達存儲器股份有限公司 , ELPIDA MEMORY, INC. , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：清村貴利 , KIYOMURA, TAKAKAZU , 廣田俊幸 , HIROTA, TOSHIYUKI , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C01G23/047
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02356 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91
摘要：本發明提供一種具有金紅石晶體結構(其具有高介電係數)之氧化鈦膜的形成方法。藉由原子層沉積(ALD，atomic layer deposition)法，使用甲基環戊二烯基三(二甲胺基)鈦(methyl cyclopentadienyl tris(dimethylamino)titanium)作為鈦前驅物而在一非晶氧化鋯膜上形成一非晶氧化鈦膜，並且藉由在300℃以上的溫度下進行回火，而產生具有金紅石晶體結構的氧化鈦膜。
简体摘要：本发明提供一种具有金红石晶体结构(其具有高介电系数)之氧化钛膜的形成方法。借由原子层沉积(ALD，atomic layer deposition)法，使用甲基环戊二烯基三(二甲胺基)钛(methyl cyclopentadienyl tris(dimethylamino)titanium)作为钛前驱物而在一非晶氧化锆膜上形成一非晶氧化钛膜，并且借由在300℃以上的温度下进行回火，而产生具有金红石晶体结构的氧化钛膜。

7. 发明专利

TWI607485B 成膜方法有权
公开(公告)号：TWI607485B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW104108250
申请日：2015-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木啟介 , SUZUKI, KEISUKE , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO , 門永健太郎 , KADONAGA, KENTARO , 小幡穰 , OBATA, MINORU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45529 , C23C16/45531

8. 发明专利

TWI502639B 液體處理方法及記錄有用來實行此液體處理方法之程式的記錄媒體與液體處理裝置有权
简体标题：液体处理方法及记录有用来实行此液体处理方法之进程的记录媒体与液体处理设备
公开(公告)号：TWI502639B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW100128227
申请日：2011-08-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：水野剛資 , MIZUNO, TSUYOSHI , 難波宏光 , NAMBA, HIROMITSU , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 早瀨文朗 , HAYASE, FUMIAKI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C23F1/08 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/6708 , H01L21/68785 , H01L21/68792

9. 发明专利

TW563181B 氧化膜形成方法有权
公开(公告)号：TW563181B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091103888
申请日：2002-02-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：菱屋晉吾 , 秋山浩二 , 古澤純和 , 青木公也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02299 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , Y10S438/909
摘要：本發明之目的係在於提供能在晶圓全體上，針對膜層厚度及膜質，有利地形成均等性高之優良的氧化膜。
氧化膜形成方法，其特徵為：具有：針對被配置於反應容器內的晶圓，利用在減壓條件下進行活性氧化材之氧化處理或包含活性氧化材之環境的氧化處理，在該晶圓表面形成保護氧化膜之前處理工序；及針對具有在此前處理工序所獲得的保護氧化膜之晶圓，利用在減壓條件下於預定的溫度進行氧化處理，在該晶圓表面形成氧化膜之氧化膜形成工序。在上述氧化膜形成方法，氧化膜形成工序係在已進行前處理工序之該反應容器內，接續於該前處理工序後進行為佳。前處理工序係在較氧化膜形成工序低的溫度下進行為佳，且在較氧化膜形成工序減壓程度高的減壓條件下來進行為佳。若根據此氧化膜形成方法的話，可形成良好的電晶體元件之閘極絕緣膜。
简体摘要：本发明之目的系在于提供能在晶圆全体上，针对膜层厚度及膜质，有利地形成均等性高之优良的氧化膜。氧化膜形成方法，其特征为：具有：针对被配置于反应容器内的晶圆，利用在减压条件下进行活性氧化材之氧化处理或包含活性氧化材之环境的氧化处理，在该晶圆表面形成保护氧化膜之前处理工序；及针对具有在此前处理工序所获得的保护氧化膜之晶圆，利用在减压条件下于预定的温度进行氧化处理，在该晶圆表面形成氧化膜之氧化膜形成工序。在上述氧化膜形成方法，氧化膜形成工序系在已进行前处理工序之该反应容器内，接续于该前处理工序后进行为佳。前处理工序系在较氧化膜形成工序低的温度下进行为佳，且在较氧化膜形成工序减压程度高的减压条件下来进行为佳。若根据此氧化膜形成方法的话，可形成良好的晶体管组件之闸极绝缘膜。

10. 发明专利

TW201245485A 薄膜形成方法、薄膜形成設備及儲存媒體 FILM FORMING METHOD, FILM FORMING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：薄膜形成方法、薄膜形成设备及存储媒体 FILM FORMING METHOD, FILM FORMING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW201245485A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101110193
申请日：2012-03-23
申请人：爾必達存儲器股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：兩角友一朗 , 菅原卓也 , 秋山浩二 , 菱屋晉吾 , 廣田俊幸 , 清村貴利
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/02189 , C23C16/18 , C23C16/405 , C23C16/45529 , H01L21/02186 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L28/40 , H01L29/66181
摘要：一種包含氧化鋯薄膜之介電薄膜的形成方法，此方法包含：藉著供應鋯材料與氧化劑而在待處理的基板上形成氧化鋯薄膜，該鋯材料包含在結構中具有環戊二烯基環的Zr化合物；藉著供應鈦材料與氧化劑而在該氧化鋯薄膜上形成氧化鈦薄膜，該鈦材料包含在結構中具有環戊二烯基環的Ti化合物。
简体摘要：一种包含氧化锆薄膜之介电薄膜的形成方法，此方法包含：借着供应锆材料与氧化剂而在待处理的基板上形成氧化锆薄膜，该锆材料包含在结构中具有环戊二烯基环的Zr化合物；借着供应钛材料与氧化剂而在该氧化锆薄膜上形成氧化钛薄膜，该钛材料包含在结构中具有环戊二烯基环的Ti化合物。

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