专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI479274B 用於ＥＵＶ微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置有权
简体标题：用于ＥＵＶ微影的照射光学组件，与含有此类照射光学组件之照射系统与投射曝光设备
公开(公告)号：TWI479274B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW098114157
申请日：2009-04-29
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：費歐卡戴米安 , FIOLKA, DAMIAN , 窩姆伯特 , WARM, BERNDT , 史坦傑渥克里斯恩 , STEIGERWALD, CHRISTIAN , 安德烈斯馬丁 , ENDRES, MARTIN , 斯圖卓勞夫 , 歐斯曼傑斯 , OSSMANN, JENS , 史卡恩韋伯勞夫 , SCHARNWEBER, RALF , 赫夫馬可斯 , HAUF, MARKUS , 丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 渥帝斯賽夫瑞 , WALDIS, SEVERIN , 克區馬克 , KIRCH, MARC , 哈傑斯瓊琴 , HARTJES, JOACHIM
IPC分类号： G03F7/20 , G02B27/18
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70083

2. 发明专利

TWI554840B 微影投射曝光裝置之多鏡面反射鏡有权
简体标题：微影投射曝光设备之多镜面反射镜
公开(公告)号：TWI554840B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100119952
申请日：2011-06-08
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：雷塞松斯頓 , RASSEL, THORSTEN , 赫夫馬可斯 , HAUF, MARKUS
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G02B26/0816 , G03F7/70075 , G03F7/70141 , G03F7/70825

3. 发明专利

TWI551952B ＥＵＶ微影系統有权
简体标题：ＥＵＶ微影系统
公开(公告)号：TWI551952B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100145488
申请日：2011-12-09
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：古瑞維契尹戈爾 , GUREVICH, IGOR , 丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 赫夫馬可斯 , HAUF, MARKUS , 維舒邁爾拉爾斯 , WISCHMEIER, LARS , 凱爾納史帝芬 , KELLNER, STEPHAN , 帝俊瑟馬可斯 , DEGUENTHER, MARKUS
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70116 , G03F7/70483 , G03F7/708 , G03F7/7085

4. 发明专利

TW201241574A ＥＵＶ微影系統 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影系统 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM
公开(公告)号：TW201241574A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100145488
申请日：2011-12-09
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：古瑞維契尹戈爾 , 丁傑烏杜 , 赫夫馬可斯 , 維舒邁爾拉爾斯 , 凱爾納史帝芬 , 帝俊瑟馬可斯
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70116 , G03F7/70483 , G03F7/708 , G03F7/7085
摘要：一種EUV微影系統1包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑51。該EUV光束路徑包含一反射鏡系統13，其具有一基座及多個具有凹面反射鏡表面的反射鏡元件17，可分別調整該等反射鏡元件相對於該基座的多個定向。該監測光束路徑51包含至少一個監測輻射源53、一屏幕71、該反射鏡系統13(其在該監測光束路徑51中配置於該監測輻射源53及該屏幕71之間)、及一空間解析偵測器77。在此情形中，複數個該等反射鏡元件之每一者產生該監測輻射源之影像在指派給相應反射鏡元件之影像平面中，在指派給該等反射鏡元件的該等影像平面及該屏幕之間的多個距離B具有最大距離，在複數個該等反射鏡元件之每一者及指派給該每一者之影像平面之間的多個距離A具有最小距離，及最大距離B小於最小距離A的一半。
简体摘要：一种EUV微影系统1包含一EUV光束路径及一监测光束路径51。该EUV光束路径包含一反射镜系统13，其具有一基座及多个具有凹面反射镜表面的反射镜组件17，可分别调整该等反射镜组件相对于该基座的多个定向。该监测光束路径51包含至少一个监测辐射源53、一屏幕71、该反射镜系统13(其在该监测光束路径51中配置于该监测辐射源53及该屏幕71之间)、及一空间解析侦测器77。在此情形中，复数个该等反射镜组件之每一者产生该监测辐射源之影像在指派给相应反射镜组件之影像平面中，在指派给该等反射镜组件的该等影像平面及该屏幕之间的多个距离B具有最大距离，在复数个该等反射镜组件之每一者及指派给该每一者之影像平面之间的多个距离A具有最小距离，及最大距离B小于最小距离A的一半。

5. 发明专利

TW201224669A 微影投射曝光裝置之多鏡面反射鏡 MULTI FACET MIRROR OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
简体标题：微影投射曝光设备之多镜面反射镜 MULTI FACET MIRROR OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
公开(公告)号：TW201224669A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100119952
申请日：2011-06-08
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：雷塞松斯頓 , 赫夫馬可斯
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G02B26/0816 , G03F7/70075 , G03F7/70141 , G03F7/70825
摘要：本發明揭示一種微影投影曝光裝置之多鏡面反射鏡(26),包含複數個反射鏡鏡面單元。每一單元都包含具有一本體(40)的一反射鏡構件(32)、一反射塗佈(44),位於在該本體(40)的一末端上以及一致動表面(50),位於一相反末端上。該單元進一步包含一放置構件(70),其上放置該致動表面(50),而不移動該反射鏡構件(32),以及一致動器(72),其繞著一傾斜軸(52)傾斜該反射鏡構件。該致動器具有一接觸表面(80)以及一抬升構件(74),其沿著一抬升方向(Z)移動該致動表面。在該抬升構件的一第一操作狀態中,該致動表面放置在該放置構件上,並且在一第二操作狀態下,放置在該接觸表面上。只有該抬升構件在該第二操作狀態中,一位移構件(76,78)才會沿著一側向方向位移該接觸表面。
简体摘要：本发明揭示一种微影投影曝光设备之多镜面反射镜(26),包含复数个反射镜镜面单元。每一单元都包含具有一本体(40)的一反射镜构件(32)、一反射涂布(44),位于在该本体(40)的一末端上以及一致动表面(50),位于一相反末端上。该单元进一步包含一放置构件(70),其上放置该致动表面(50),而不移动该反射镜构件(32),以及一致动器(72),其绕着一倾斜轴(52)倾斜该反射镜构件。该致动器具有一接触表面(80)以及一抬升构件(74),其沿着一抬升方向(Z)移动该致动表面。在该抬升构件的一第一操作状态中,该致动表面放置在该放置构件上,并且在一第二操作状态下,放置在该接触表面上。只有该抬升构件在该第二操作状态中,一位移构件(76,78)才会沿着一侧向方向位移该接触表面。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式