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    • 2. 发明专利
    • 照射光學單元
    • 照射光学单元
    • TW201312282A
    • 2013-03-16
    • TW101117146
    • 2012-05-14
    • 卡爾蔡司SMT有限公司CARL ZEISS SMT GMBH
    • 斯圖卓 勞夫STUETZLE, RALF貝林 史汀BIELING, STIG史帝可 法蘭茲 喬瑟夫STICKEL, FRANZ-JOSEF
    • G03F7/20
    • G03F7/70116G03F7/70075
    • 本發明揭示一種用於EUV微影的照射光學單元,其包含具有複數個第一反射琢面元件的一第一光學元件。此外,該照射光學單元包含具有複數個第二反射琢面元件(423)的一第二光學元件(421),其中該複數個第一反射琢面元件包含該第一光學元件之所有該等反射琢面元件的至少75%。在此例中,該複數個第一反射琢面元件的每個第一反射琢面元件被體現為致使在該照射光學單元操作期間,該每個第一反射琢面元件在該複數個第二反射琢面元件之一指派之第二琢面元件的位置處產生一被照射區域。該等第二反射琢面元件(423)各具有一反射表面,及各該被照射區域小於對應之指派之第二反射琢面元件(423)的反射表面。另外,所有該等被照射區域位在最多六個連續成對不相交區帶(459)內。此外,具有最小直徑的一圓圈(457)圍起所有該等區帶(459),其中該等第一及/或第二反射琢面元件被體現為致使該圓圈(457)之面積容量與該等區帶(459)之面積容量的比率大於2.5,尤其大於4。
    • 本发明揭示一种用于EUV微影的照射光学单元,其包含具有复数个第一反射琢面组件的一第一光学组件。此外,该照射光学单元包含具有复数个第二反射琢面组件(423)的一第二光学组件(421),其中该复数个第一反射琢面组件包含该第一光学组件之所有该等反射琢面组件的至少75%。在此例中,该复数个第一反射琢面组件的每个第一反射琢面组件被体现为致使在该照射光学单元操作期间,该每个第一反射琢面组件在该复数个第二反射琢面组件之一指派之第二琢面组件的位置处产生一被照射区域。该等第二反射琢面组件(423)各具有一反射表面,及各该被照射区域小于对应之指派之第二反射琢面组件(423)的反射表面。另外,所有该等被照射区域位在最多六个连续成对不相交区带(459)内。此外,具有最小直径的一圆圈(457)围起所有该等区带(459),其中该等第一及/或第二反射琢面组件被体现为致使该圆圈(457)之面积容量与该等区带(459)之面积容量的比率大于2.5,尤其大于4。