专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI479274B 用於ＥＵＶ微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置有权
简体标题：用于ＥＵＶ微影的照射光学组件，与含有此类照射光学组件之照射系统与投射曝光设备
公开(公告)号：TWI479274B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW098114157
申请日：2009-04-29
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：費歐卡戴米安 , FIOLKA, DAMIAN , 窩姆伯特 , WARM, BERNDT , 史坦傑渥克里斯恩 , STEIGERWALD, CHRISTIAN , 安德烈斯馬丁 , ENDRES, MARTIN , 斯圖卓勞夫 , 歐斯曼傑斯 , OSSMANN, JENS , 史卡恩韋伯勞夫 , SCHARNWEBER, RALF , 赫夫馬可斯 , HAUF, MARKUS , 丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 渥帝斯賽夫瑞 , WALDIS, SEVERIN , 克區馬克 , KIRCH, MARC , 哈傑斯瓊琴 , HARTJES, JOACHIM
IPC分类号： G03F7/20 , G02B27/18
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70083

2. 发明专利

TWI472800B ＥＵＶ反射鏡配置、包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統以及操作包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統的方法有权
简体标题：ＥＵＶ反射镜配置、包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统以及操作包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统的方法
公开(公告)号：TWI472800B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101109813
申请日：2012-03-22
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 畢可克佛德列克 , BIJKERK, FREDERIK , 貝拉塔慕哈雷 , BAYRAKTAR, MUHARREM , 迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER
IPC分类号： G02B26/06 , G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067

3. 发明专利

TWI582463B ＥＵＶ反射鏡、包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統以及操作包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統的方法有权
简体标题：ＥＵＶ反射镜、包含ＥＵＶ反射镜之光学系统以及操作包含ＥＵＶ反射镜之光学系统的方法
公开(公告)号：TWI582463B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104101922
申请日：2012-03-22
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 畢可克佛德列克 , BIJKERK, FREDERIK , 貝拉塔慕哈雷 , BAYRAKTAR, MUHARREM , 迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER
IPC分类号： G02B26/06 , G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067

4. 发明专利

TWI603154B 微影中用於投射曝光裝置之組合反射鏡有权
简体标题：微影中用于投射曝光设备之组合反射镜
公开(公告)号：TWI603154B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW098104633
申请日：2009-02-13
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 安德烈斯馬丁 , ENDRES, MARTIN , 韋伯阿民 , WERBER, ARMIN , 慕柏傑諾伯特 , 巴哈弗羅瑞恩 , BACH, FLORIAN
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/09
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/09 , G02B26/06 , G02B26/0816 , G02B26/0833 , G02B27/0927 , G03F7/70075 , G03F7/70116

5. 发明专利

TWI551952B ＥＵＶ微影系統有权
简体标题：ＥＵＶ微影系统
公开(公告)号：TWI551952B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100145488
申请日：2011-12-09
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：古瑞維契尹戈爾 , GUREVICH, IGOR , 丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 赫夫馬可斯 , HAUF, MARKUS , 維舒邁爾拉爾斯 , WISCHMEIER, LARS , 凱爾納史帝芬 , KELLNER, STEPHAN , 帝俊瑟馬可斯 , DEGUENTHER, MARKUS
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70116 , G03F7/70483 , G03F7/708 , G03F7/7085

6. 发明专利

TW201516461A ＥＵＶ反射鏡、包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統以及操作包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統的方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ反射镜、包含ＥＵＶ反射镜之光学系统以及操作包含ＥＵＶ反射镜之光学系统的方法
公开(公告)号：TW201516461A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW104101922
申请日：2012-03-22
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 畢可克佛德列克 , BIJKERK, FREDERIK , 貝拉塔慕哈雷 , BAYRAKTAR, MUHARREM , 迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER
IPC分类号： G02B26/06 , G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種EUV反射鏡配置(100)，其具有彼此並排配置及共同形成反射鏡配置之鏡面的多個反射鏡元件(110、111、112)。每個反射鏡元件具有一基板(120)及塗覆在該基板上且對極紫外線範圍(EUV)之輻射具有反射效應的一多層配置(130)，該多層配置包含多個層對(135)，該等層對具有由一高折射率層材料及一低折射率層材料構成的交替層。該多層配置具有一活性層(140)，其配置在輻射進入表面及基板之間且由一壓電活性層材料組成，可利用電場的作用更改該活性層的層厚度(z)。對於每個活性層，供應一電極配置以產生對該活性層起作用的電場。
简体摘要：本发明揭示一种EUV反射镜配置(100)，其具有彼此并排配置及共同形成反射镜配置之镜面的多个反射镜组件(110、111、112)。每个反射镜组件具有一基板(120)及涂覆在该基板上且对极紫外线范围(EUV)之辐射具有反射效应的一多层配置(130)，该多层配置包含多个层对(135)，该等层对具有由一高折射率层材料及一低折射率层材料构成的交替层。该多层配置具有一活性层(140)，其配置在辐射进入表面及基板之间且由一压电活性层材料组成，可利用电场的作用更改该活性层的层厚度(z)。对于每个活性层，供应一电极配置以产生对该活性层起作用的电场。

7. 发明专利

TW201305601A ＥＵＶ反射鏡配置、包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統以及操作包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統的方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ反射镜配置、包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统以及操作包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统的方法
公开(公告)号：TW201305601A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101109813
申请日：2012-03-22
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 畢可克佛德列克 , BIJKERK, FREDERIK , 貝拉塔慕哈雷 , BAYRAKTAR, MUHARREM , 迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER
IPC分类号： G02B26/06 , G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種EUV反射鏡配置(100)，其具有彼此並排配置及共同形成反射鏡配置之鏡面的多個反射鏡元件(110、111、112)。每個反射鏡元件具有一基板(120)及塗覆在該基板上且對極紫外線範圍(EUV)之輻射具有反射效應的一多層配置(130)，該多層配置包含多個層對(135)，該等層對具有由一高折射率層材料及一低折射率層材料構成的交替層。該多層配置具有一活性層(140)，其配置在輻射進入表面及基板之間且由一壓電活性層材料組成，可利用電場的作用更改該活性層的層厚度(z)。對於每個活性層，供應一電極配置以產生對該活性層起作用的電場。
简体摘要：本发明揭示一种EUV反射镜配置(100)，其具有彼此并排配置及共同形成反射镜配置之镜面的多个反射镜组件(110、111、112)。每个反射镜组件具有一基板(120)及涂覆在该基板上且对极紫外线范围(EUV)之辐射具有反射效应的一多层配置(130)，该多层配置包含多个层对(135)，该等层对具有由一高折射率层材料及一低折射率层材料构成的交替层。该多层配置具有一活性层(140)，其配置在辐射进入表面及基板之间且由一压电活性层材料组成，可利用电场的作用更改该活性层的层厚度(z)。对于每个活性层，供应一电极配置以产生对该活性层起作用的电场。

8. 发明专利

TWI639892B 微影中用於投射曝光裝置之組合反射鏡有权
简体标题：微影中用于投射曝光设备之组合反射镜
公开(公告)号：TWI639892B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW104102293
申请日：2009-02-13
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 安德烈斯馬丁 , ENDRES, MARTIN , 韋伯阿民 , WERBER, ARMIN , 慕柏傑諾伯特 , 巴哈弗羅瑞恩 , BACH, FLORIAN
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/09 , G02B26/08

9. 发明专利

TW201516586A 微影中用於投射曝光裝置之組合反射鏡审中-公开
简体标题：微影中用于投射曝光设备之组合反射镜
公开(公告)号：TW201516586A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW104102293
申请日：2009-02-13
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 安德烈斯馬丁 , ENDRES, MARTIN , 韋伯阿民 , WERBER, ARMIN , 慕柏傑諾伯特 , 巴哈弗羅瑞恩 , BACH, FLORIAN
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/09 , G02B26/08
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/09 , G02B26/06 , G02B26/0816 , G02B26/0833 , G02B27/0927 , G03F7/70075 , G03F7/70116
摘要：提供一種用作為微影投影曝光裝置之光束導引光學組件之組合反射鏡。組合反射鏡具有複數個個別鏡(21)。就入射照射光之個別偏轉，這些個別鏡(21)各連接到致動器，而可繞至少一傾斜軸(x,y)分別傾斜。控制裝置連接該等致動器，使該等個別鏡(21)分為多個個別鏡群組(19)，而每一個別鏡群組(19)包含至少兩個個別鏡(21)。結果形成組合反射鏡，當安裝於投影曝光裝置中時，組合反射鏡增加由投影曝光裝置照射之物場之各種照射幾何之設定之變化性。說明書提供形成組合反射鏡之個別鏡之各種實施例。
简体摘要：提供一种用作为微影投影曝光设备之光束导引光学组件之组合反射镜。组合反射镜具有复数个个别镜(21)。就入射照射光之个别偏转，这些个别镜(21)各连接到致动器，而可绕至少一倾斜轴(x,y)分别倾斜。控制设备连接该等致动器，使该等个别镜(21)分为多个个别镜群组(19)，而每一个别镜群组(19)包含至少两个个别镜(21)。结果形成组合反射镜，当安装于投影曝光设备中时，组合反射镜增加由投影曝光设备照射之物场之各种照射几何之设置之变化性。说明书提供形成组合反射镜之个别镜之各种实施例。

10. 发明专利

TW201241574A ＥＵＶ微影系統 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影系统 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM
公开(公告)号：TW201241574A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100145488
申请日：2011-12-09
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：古瑞維契尹戈爾 , 丁傑烏杜 , 赫夫馬可斯 , 維舒邁爾拉爾斯 , 凱爾納史帝芬 , 帝俊瑟馬可斯
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70116 , G03F7/70483 , G03F7/708 , G03F7/7085
摘要：一種EUV微影系統1包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑51。該EUV光束路徑包含一反射鏡系統13，其具有一基座及多個具有凹面反射鏡表面的反射鏡元件17，可分別調整該等反射鏡元件相對於該基座的多個定向。該監測光束路徑51包含至少一個監測輻射源53、一屏幕71、該反射鏡系統13(其在該監測光束路徑51中配置於該監測輻射源53及該屏幕71之間)、及一空間解析偵測器77。在此情形中，複數個該等反射鏡元件之每一者產生該監測輻射源之影像在指派給相應反射鏡元件之影像平面中，在指派給該等反射鏡元件的該等影像平面及該屏幕之間的多個距離B具有最大距離，在複數個該等反射鏡元件之每一者及指派給該每一者之影像平面之間的多個距離A具有最小距離，及最大距離B小於最小距離A的一半。
简体摘要：一种EUV微影系统1包含一EUV光束路径及一监测光束路径51。该EUV光束路径包含一反射镜系统13，其具有一基座及多个具有凹面反射镜表面的反射镜组件17，可分别调整该等反射镜组件相对于该基座的多个定向。该监测光束路径51包含至少一个监测辐射源53、一屏幕71、该反射镜系统13(其在该监测光束路径51中配置于该监测辐射源53及该屏幕71之间)、及一空间解析侦测器77。在此情形中，复数个该等反射镜组件之每一者产生该监测辐射源之影像在指派给相应反射镜组件之影像平面中，在指派给该等反射镜组件的该等影像平面及该屏幕之间的多个距离B具有最大距离，在复数个该等反射镜组件之每一者及指派给该每一者之影像平面之间的多个距离A具有最小距离，及最大距离B小于最小距离A的一半。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式