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1. 发明专利

JP2014107345A Silicon carbide schottky barrier diode manufacturing method 审中-公开
标题翻译：碳化硅肖特彼勒二极管制造方法
公开(公告)号：JP2014107345A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012257678
申请日：2012-11-26
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YOSHIDA MOTOI , OKABE HIROAKI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide Schottky barrier diode without using dry etching which causes plasma damage on a silicon carbide semiconductor element.SOLUTION: A silicon carbide Schottky barrier diode of the present embodiment comprises: a process of forming an epitaxial layer 4 on a principal surface of a silicon carbide substrate 1 having the principal surface and a rear face; a process of forming a Schottky electrode layer 5 on a top face of the epitaxial layer 4; a process of forming a barrier metal layer 6 on the Schottky electrode layer 5; a process of forming an ohmic electrode layer 7 on the rear face of the silicon carbide substrate 1; a process of forming a rear face protection layer 8 in an underlayer of the ohmic electrode layer 7; a process of patterning a resist on the barrier metal layer 6 after forming the Schottky electrode layer 5, the barrier metal layer 6, the ohmic electrode layer 7 and the rear face protection layer 8 and patterning the Schottky electrode layer 5 and the barrier metal layer 6 by wet etching; and a process of forming a surface external output electrode 10 above the barrier metal layer 6.
摘要翻译：要解决的问题：提供碳化硅肖特基势垒二极管而不使用在碳化硅半导体元件上造成等离子体损伤的干蚀刻。本实施例的碳化硅肖特基势垒二极管包括：形成外延层4的工艺在具有主表面和后表面的碳化硅衬底1的主表面上; 在外延层4的顶面上形成肖特基电极层5的工序; 在肖特基电极层5上形成阻挡金属层6的工序; 在碳化硅基板1的背面形成欧姆电极层7的工序; 在欧姆电极层7的底层形成背面保护层8的工序; 在形成肖特基电极层5，阻挡金属层6，欧姆电极层7和背面保护层8之后，在阻挡金属层6上形成抗蚀剂的工艺，并将肖特基电极层5和阻挡金属层 6通过湿蚀刻; 以及在阻挡金属层6上方形成表面外部输出电极10的工序。

2. 发明专利

JP2015002277A 炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2015002277A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013126305
申请日：2013-06-17
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , FUKUI YUTAKA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：【課題】順方向動作において、オン抵抗の高抵抗化を抑制しつつ、積層欠陥の拡張を抑制し、特性シフトを抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】オフ角を有し、炭化珪素から成る半導体基板21の厚み方向一方側の表面部上に、第1導電型の炭化珪素結晶から成るドリフト層22を形成する。ドリフト層22の内部に、導電性を有する材料によって、複数の電流制限領域10を形成する。電流制限領域10は、ソース電極26とドレイン電極28との間に流れる電流を制限する。各電流制限領域10は、直方体状に形成され、ドリフト層22のオフ方向に対して垂直な方向に長手方向を有するように配置される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制堆垛层错延伸来抑制特性偏移的碳化硅半导体器件，同时抑制正向行为的导通电阻的高电阻。解决方案：在半导体的厚度方向上的一侧的表面部分具有偏角的基板21，由碳化硅制成，形成由第一导电型碳化硅晶体制成的漂移层22。在漂移层22的内部，通过具有导电性的材料形成多个电流限制区域10。电流限制区域10限制在源极电极26和漏极电极28之间流过的电流。每个电流限制区域10形成为长方体形状，并且被布置为具有垂直于关闭的方向的纵向方向漂移层22的方向。

3. 发明专利

JP2014116365A Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件制造方法和硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2014116365A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012267503
申请日：2012-12-06
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , YOSHIDA MOTOI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device manufacturing method which can suppress increase in the number of manufacturing processes and inhibit deterioration in ohmic characteristics of an alloy layer to a semiconductor substrate.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device manufacturing method comprises: a process of forming a metal layer 30 composed of a first metal on a semiconductor substrate 11 composed of a silicon carbide; a process of forming on the metal layer 30, a metal nitride film 40 obtained by nitriding of a second metal; a process of irradiating laser beams to form an alloy layer 31 of the silicon carbide of the semiconductor substrate 11 and the first metal of the metal layer 30 via the metal nitride film 40; and a process of forming an electrode 20 on the metal nitride film 40.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅半导体器件的制造方法，其可以抑制制造工艺数量的增加并且抑制合金层对半导体衬底的欧姆特性的劣化。解决方案：一种碳化硅半导体器件制造方法，包括：在由碳化硅构成的半导体基板11上形成由第一金属构成的金属层30的工序; 在金属层30上形成通过氮化第二金属获得的金属氮化物膜40的工艺; 照射激光束的方法，通过金属氮化物膜40形成半导体衬底11的碳化硅的合金层31和金属层30的第一金属; 以及在金属氮化物膜40上形成电极20的工序。

4. 发明专利

JP2014175435A Silicon carbide semiconductor device 审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2014175435A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013046116
申请日：2013-03-08
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YAMAMOTO YASUKI , FUKUI YUTAKA , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device which can inhibit stacking fault extension while suppressing area penalty.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device comprises a current induction region 20 which falls within a region covered with at least a well region 14 and does not spread from the well region 14, and which is formed to extend downward from an under surface of the well region 14. An impurity concentration of the current induction region 20 is set lower than an impurity concentration of the well region 14 and higher than an impurity concentration of a drift layer 11.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制堆积故障延伸同时抑制面积损失的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件包括电流感应区域20，该电流感应区域落在至少覆盖有阱区域14的区域内，不从阱区域14扩散，并且形成为从阱区域14的下表面向下延伸。电流感应区域20的杂质浓度被设定为低于阱区域14的杂质浓度，并且高于漂移层11的杂质浓度。

5. 发明专利

JP2014110362A Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014110362A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：JP2012264901
申请日：2012-12-04
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKABE HIROAKI , NAKANISHI YOSUKE , YOSHIDA MOTOI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an SiC semiconductor device which inhibits film peeling of a Cu electrode and has a high diffusion prevention effect of Cu on an element structure part; and provide a manufacturing method of the SiC semiconductor device.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device manufacturing method of the present embodiment comprises: (a) a process of forming a barrier metal 13 on a silicon carbide semiconductor element; (b) a process of forming on the barrier metal 13, a Cu electrode 12 in which an end of a contact surface with the barrier metal 13 is retracted behind an end of the barrier metal 13; and (c) a process of performing anisotropic etching on the barrier metal 13 in a vertical direction by using a Cu electrode 12 as a mask. The process (b) is a process of forming the Cu electrode 12 in a manner such that a width of at least a part other than a bottom which contacts the barrier metal 13 becomes wider than a width of the bottom.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制Cu电极的膜剥离并且对元件结构部分具有高扩散防止效果的SiC半导体器件; 并提供SiC半导体器件的制造方法。本实施例的碳化硅半导体器件制造方法包括：（a）在碳化硅半导体元件上形成阻挡金属13的工艺; （b）在阻挡金属13上形成有与阻挡金属13的接触表面的端部缩回阻挡金属13的端部后方的Cu电极12的工序; 以及（c）通过使用Cu电极12作为掩模在垂直方向上对阻挡金属13进行各向异性蚀刻的工序。方法（b）是以使得与阻挡金属13接触的底部以外的至少一部分的宽度比底部的宽度变宽的方式形成Cu电极12的工序。

6. 发明专利

DE102018215383A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102018215383A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：DE102018215383
申请日：2018-09-11
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , TAKAKI YASUSHI , TARUI YOICHIRO , HINO SHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung umfasst ein Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat mit einer Driftschicht vom n-Typ und einem Wannenbereich vom p-Typ, der in einem Oberflächenabschnitt eines Teils der Driftschicht ausgebildet ist, einen Isolierfilm, der auf dem Wannenbereich vorgesehen ist, einen Gate-Einbauwiderstand, der aus Polysilizium besteht, in Kontakt mit einer Oberfläche des Isolierfilms, einen Zwischenschicht-Isolierfilm, der auf dem Gate-Einbauwiderstand ausgebildet ist, einen Gatekontaktdraht, der mit einem Gatepad verbunden und auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm ausgebildet ist, einen Gatedraht, der auf der Zwischenschicht-Isolierschicht so vorgesehen ist, dass er vom Gatekontaktdraht getrennt ist, einen ersten Gatekontakt zum elektrischen Verbinden des Gatekontaktdrahts und des Gate-Einbauwiderstands und einen zweiten Gatekontakt zum elektrischen Verbinden des Gatedrahts und des Gate-Einbauwiderstands.

7. 发明专利

DE112019006894T5 HALBLEITEREINHEIT UND LEISTUNGSWANDLER 未知
公开(公告)号：DE112019006894T5
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：DE112019006894
申请日：2019-02-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HINO SHIRO , NAKASHIMA JUNICHI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L25/07 , H01L29/49 , H01L29/739 , H02M1/00
摘要： Es wird eine Technik zur Reduzierung einer Gate-Oszillation angegeben, während zugleich eine Reduzierung der Schaltgeschwindigkeit unterbunden wird. Eine Halbleitereinheit gemäß der in der vorliegenden Erfindung offenbarten Technik weist Folgendes auf: eine erste Gate-Elektrode (7b) in einem aktiven Bereich; eine Gate-Kontaktstelle (11, 11Y, 11Z) in einem ersten Bereich, der sich in einer Draufsicht von dem aktiven Bereich unterscheidet; sowie eine erste Gate-Leitung (13, 13Y, 13Z), welche die erste Gate-Elektrode (7b) und die Gate-Kontaktstelle (11, 11Y, 11Z) elektrisch miteinander verbindet. Die erste Gate-Leitung ist in einer spiralförmigen Gestalt ausgebildet. Die erste Gate-Leitung besteht aus einer Materialart, die sich von jener der ersten Gate-Elektrode (7b) unterscheidet.

8. 发明专利

DE112018007114T5 SILICIUMCARBID-HALBLEITEREINHEIT 未知
公开(公告)号：DE112018007114T5
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：DE112018007114
申请日：2018-02-19
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
摘要： In einem Element-Bereich (RE) und einem Nicht-Element-Bereich (RN) weist eine Siliciumcarbid-Halbleitereinheit (701) eine Drift-Schicht (10) auf, die einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist und auf einem Siliciumcarbid-Halbleitersubstrat (11) angeordnet ist. In dem Element-Bereich (RE) weist die Siliciumcarbid-Halbleitereinheit (701) einen ersten Graben (12), der bis zu der Drift-Schicht (10) reicht, sowie eine Gate-Elektrode (1) auf, die durch eine Gate-Isolierschicht (2) in dem ersten Graben (12) angeordnet ist und mit einer Gate-Kontaktstellen-Elektrode (4) elektrisch verbunden ist. In dem Nicht-Element-Bereich (RN) weist die Siliciumcarbid-Halbleitereinheit (701) Folgendes auf: einen zweiten Graben (112), dessen Bodenfläche bis zu der Drift-Schicht reicht, einen zweiten Relaxationsbereich (103), der einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und unterhalb des zweiten Grabens (112) angeordnet ist, eine Isolierschicht (102) an der inneren Oberfläche, die auf einer seitlichen Oberfläche und auf der Bodenfläche des zweiten Grabens (112) angeordnet ist, sowie einen Bereich (101) mit einem geringen Widerstand, der durch die Isolierschicht (102) an der inneren Oberfläche in dem zweiten Graben (112) angeordnet ist und von der Gate-Kontaktstellen-Elektrode (14) elektrisch isoliert ist.

9. 发明专利

DE112016005210T5 Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112016005210T5
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：DE112016005210
申请日：2016-09-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , HINO SHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
摘要： Eine Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung weist Folgendes auf: ein Paar erster Wannenbereiche (30) die in einem Abstand W1 voneinander getrennt in Oberflächenbereichen einer Siliciumcarbid-Driftschicht (20) angeordnet sind und eine p-Typ-Störstellenkonzentration aufweisen, die höher ist als eine n-Typ- Störstellenkonzentration der Siliciumcarbid-Driftschicht (20); ein Paar zweiter Wannenbereiche (31), die angrenzend an Unterseiten der ersten Wannenbereiche (30) angeordnet sind und getrennt voneinander in einem Abstand W2 angeordnet sind, der um 0,8 µm oder mehr größer ist als der Abstand W1, und eine p-Typ-Störstellenkonzentration aufweist, die höher ist als die n-Typ-Störstellenkonzentration der Siliciumcarbid-Driftschicht (20) und in einem Bereich des 1,1-fachen bis 4-4-fachen niedriger als die ersten Wannenbereiche (30) ist; und einen hochkonzentrierten JFET-Bereich (22), der sowohl zwischen dem Paar erster Wannenbereiche (30) als auch zwischen dem Paar zweiter Wannenbereiche (31) angeordnet ist und eine n-Typ-Störstellenkonzentration aufweist, die höher als die der Siliciumcarbid-Driftschicht (20) und niedriger als die p-Typ-Störstellenkonzentration der zweiten Wannenbereiche (31) ist. Mit dieser Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung kann ein Leckstrom reduziert werden, während ein Anstieg der EIN-Spannung unterdrückt wird.

10. 发明专利

DE112014006567T5 Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung sowie Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014006567T5
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：DE112014006567
申请日：2014-04-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI , YOSHIDA MOTORU
IPC分类号： H01L21/28
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung angegeben, mit welchem der Anstieg der Anzahl von Herstellungsschritten unterbunden wird, und welches dazu imstande ist, die Verschlechterung der ohmschen Eigenschaften einer Legierungsschicht in Bezug auf ein Halbleitersubtrat zu unterbinden. Das Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer Metallschicht (30), die aus einem ersten Metall gebildet ist, auf einem Halbleitersubtrat (11), das aus Siliciumcarbid gebildet ist; Ausbilden einer Metallnitridschicht (40) auf der Metallschicht (30), wobei die Metallnitridschicht (40) erhalten wird, indem ein zweites Metall nitriert wird; Lenken von Laserlicht durch die Metallnitridschicht (40), um eine Schicht (31) einer Legierung aus dem Siliciumcarbid in dem Halbleitersubtrat (11) und dem ersten Metall in der Metallschicht (30) auszubilden; und Ausbilden einer Elektrode (20) auf der Metallnitridschicht (40).

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