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1. 发明专利

DE112015006381T5 HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112015006381T5
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：DE112015006381
申请日：2015-11-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YOSHIDA MOTORU , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/312 , H01L21/318 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinheit weist Folgendes auf: einen Prozess, bei dem eine Cu Verdrahtungselektrode (17) mittels eines Plattierungs-Verfahrens oberhalb eines Halbleiterelements (18) gebildet wird, das einen Halbleiter mit großer Bandlücke als ein Basismaterial verwendet; einen Reduktionsprozess, bei dem die Cu Verdrahtungselektrode (17) unter einer NH3-Atmosphäre reduziert wird; einen Heizprozess, bei dem die Cu Verdrahtungselektrode (17) gleichzeitig mit dem Reduktionsprozess geheizt wird; einen Prozess, bei dem nach dem Heizprozess eine Diffusionsverhinderungsschicht (11) gebildet wird, welche die Cu Verdrahtungselektrode (17) bedeckt; sowie einen Abdichtungsprozess, bei dem die Diffusionsverhinderungsschicht (11) mit einer Schicht (10) aus organischem Harz bedeckt wird.

2. 发明专利

DE112014006567T5 Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung sowie Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014006567T5
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：DE112014006567
申请日：2014-04-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI , YOSHIDA MOTORU
IPC分类号： H01L21/28
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung angegeben, mit welchem der Anstieg der Anzahl von Herstellungsschritten unterbunden wird, und welches dazu imstande ist, die Verschlechterung der ohmschen Eigenschaften einer Legierungsschicht in Bezug auf ein Halbleitersubtrat zu unterbinden. Das Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer Metallschicht (30), die aus einem ersten Metall gebildet ist, auf einem Halbleitersubtrat (11), das aus Siliciumcarbid gebildet ist; Ausbilden einer Metallnitridschicht (40) auf der Metallschicht (30), wobei die Metallnitridschicht (40) erhalten wird, indem ein zweites Metall nitriert wird; Lenken von Laserlicht durch die Metallnitridschicht (40), um eine Schicht (31) einer Legierung aus dem Siliciumcarbid in dem Halbleitersubtrat (11) und dem ersten Metall in der Metallschicht (30) auszubilden; und Ausbilden einer Elektrode (20) auf der Metallnitridschicht (40).

3. 发明专利

DE112015001850T5 Halbleitereinheit 未知
公开(公告)号：DE112015001850T5
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：DE112015001850
申请日：2015-02-16
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： ENDO KAZUYO , FUJITA JUN , YOSHIDA MOTORU , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung einer Halbleitereinheit, die in der Lage ist, eine Oxidation einer Cu-Verdrahtung auch während eines Betriebs bei einer hohen Temperatur zu verhindern. Eine Halbleitereinheit gemäß der vorliegenden Erfindung weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat (1), das eine Hauptoberfläche aufweist, eine Cu-Elektrode (8), die selektiv auf einer Seite der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist, eine Antioxidationsmittel-Schicht (14), die auf einer oberen Oberfläche der Cu-Elektrode (8) mit Ausnahme eines Endbereichs derselben ausgebildet ist, eine organische Harzschicht (10), die auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und eine seitliche Oberfläche der Cu-Elektrode (8) und den Endbereich der oberen Oberfläche derselben bedeckt, sowie eine Schicht (11) zur Diffusions-Verhinderung, die zwischen der organischen Harzschicht (10) und der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) und zwischen der organischen Harzschicht (10) und der seitlichen Oberfläche und dem Endbereich der oberen Oberfläche der Cu-Elektrode (8) ausgebildet ist, wobei sie sich mit diesen in Kontakt befindet.

4. 发明专利

DE112017002530T5 HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112017002530T5
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：DE112017002530
申请日：2017-04-25
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OKABE HIROAKI , NAKANISHI YOSUKE
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： Eine Elektrode (1) ist auf einer Halbleiterschicht (11) angeordnet. Eine Polyimid-Schicht (12) weist eine Öffnung auf, die auf der Elektrode (1) angeordnet ist, bedeckt den Rand der Elektrode (1) und erstreckt sich bis auf die Elektrode (1). Eine Kupfer-Schicht (13) ist innerhalb der Öffnung (OP) auf der Elektrode (1) angeordnet und befindet sich entfernt von der Polyimid-Schicht (12) auf der Elektrode (1). Das eine Ende eines Kupfer-Drahts (14) ist mit der Oberfläche der Kupfer-Schicht (13) verbunden.

5. 发明专利

DE112017001788T5 Halbleitereinheit, Verfahren zur Herstellung derselben und Leistungswandler 未知
公开(公告)号：DE112017001788T5
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：DE112017001788
申请日：2017-02-02
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SUGAHARA KAZUYUKI , OKABE HIROAKI , YOSHIDA MOTORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitereinheit, die Folgendes aufweist: eine Halbleiterschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, einen ersten Halbleiterbereich, der in einem oberen Schichtbereich der Halbleiterschicht angeordnet ist, einen zweiten Halbleiterbereich, der in einem oberen Schichtbereich des ersten Halbleiterbereichs angeordnet ist, eine Gate-Isolierschicht, eine Gate-Elektrode, eine erste Hauptelektrode, die auf einer Zwischenisolierschicht angeordnet ist, welche die Gate-Elektrode bedeckt, und die über ein Kontaktloch mit dem zweiten Halbleiterbereich elektrisch verbunden ist, sowie eine zweite Hauptelektrode, die auf einer zweiten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Die erste Hauptelektrode weist eine darunterliegende Elektrodenschicht auf, die über das Kontaktloch mit dem zweiten Halbleiterbereich verbunden ist, und weist eine Kupfer-Schicht auf, die auf der darunterliegenden Elektrodenschicht angeordnet ist. Die Kupfer-Schicht weist zumindest einen Bereich auf, der als eine Spannungsrelaxationsschicht dient, die eine kleinere Kornabmessung als der andere Bereich der Kupfer-Schicht aufweist.

6. 发明专利

DE112014001050T5 Halbleitereinrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014001050T5
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：DE112014001050
申请日：2014-02-14
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FURUHASHI MASAYUKI , OKABE HIROAKI , WATANABE TOMOKATSU , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： Ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Halbleitereinrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, EIN-Widerstandsänderungen mit der Temperatur zu reduzieren. Eine Halbleitereinrichtung (100) weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Driftschicht (2) des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist, einen ersten Muldenbereich (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der in der vorderen Oberfläche der Driftschicht (2) gebildet ist, einen zweite Muldenbereich (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in der vorderen Oberfläche der Driftschicht (2) gebildet ist, und eine Gate-Struktur (7, 8 und 9), die auf der vorderen Oberfläche der Driftschicht (2) gebildet ist und einen Kanal in dem ersten Muldenbereich (3) und einen Kanal in dem zweiten Muldenbereich (4) bildet. Ein Kanalwiderstand des im ersten Muldenbereich gebildeten Kanals (3) weist eine solche Temperaturcharakteristik auf, dass der Kanalwiderstand mit zunehmender Temperatur abnimmt, und ein Kanalwiderstand des im zweiten Muldenbereich gebildeten Kanals (4) weist eine solche Temperaturcharakteristik auf, dass der Kanalwiderstand mit zunehmender Temperatur zunimmt.

7. 发明专利

DE112019007365T5 HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER HALBLEITEREINHEIT 未知
公开(公告)号：DE112019007365T5
公开(公告)日：2022-02-17
申请号：DE112019007365
申请日：2019-05-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KONISHI KAZUYA , TARUI YOICHIRO , NIWA HIROKI , OKABE HIROAKI , WATANABE HIROSHI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： Es wird eine Technologie angegeben, durch welche das Entfernen von Kollektor-Schichten bei dem Planarisierungsprozess unterbunden wird, während das Ausschwingphänomen unterdrückt wird. Eine mit einer in der vorliegenden Beschreibung offenbarten Technologie in Zusammenhang stehende Halbleitereinheit gemäß der Erfindung weist Folgendes auf: eine Drain-Schicht mit einem ersten Leitfähigkeitstyp in einem Bereich einer unteren Oberfläche einer Drift-Schicht, eine Mehrzahl von Kollektor-Schichten mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp in Bereichen der unteren Oberfläche der Drift-Schicht sowie eine Dummy-Schicht mit dem ersten Leitfähigkeitstyp, die zwischen der Mehrzahl von Kollektor-Schichten in Bereichen der unteren Oberfläche der Drift-Schicht eingefügt ist, wobei die Breite der Dummy-Schicht in einer ersten Richtung, bei der es sich um die Richtung handelt, in der die Dummy-Schicht zwischen der Mehrzahl von Kollektor-Schichten eingefügt ist, geringer als die Breite der Drain-Schicht in der ersten Richtung ist.

8. 发明专利

DE112017002530B4 HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112017002530B4
公开(公告)日：2022-08-18
申请号：DE112017002530
申请日：2017-04-25
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OKABE HIROAKI , NAKANISHI YOSUKE
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： Leistungs-Halbleitereinheit (31, 31V, 32, 33), die Folgendes aufweist:- eine Halbleiterschicht (11);- eine Elektrode (1), die auf der Halbleiterschicht (11) angeordnet ist;- eine Polyimid-Schicht (12), die eine Öffnung (OP) aufweist, die auf der Elektrode (1) angeordnet ist, wobei die Polyimid-Schicht (12) einen Rand der Elektrode (1) bedeckt und sich bis zu der Elektrode (1) erstreckt;- eine Kupfer-Schicht (13), die innerhalb der Öffnung (OP) auf der Elektrode (1) angeordnet ist und sich entfernt von der Polyimid-Schicht (12) auf der Elektrode (1) befindet; und- einen Kupfer-Draht (14), der das eine Ende aufweist, das mit der Oberfläche der Kupfer-Schicht (13) verbunden ist, wobei die Kupfer-Schicht (13) eine größere Fläche als ein Bereich aufweist, in dem der Kupferdraht (14) mit der Kupfer-Schicht (13) verbunden ist, und der Abstand (DS) zwischen der Kupfer-Schicht (13) und der Polyimid-Schicht (12) größer als die Hälfte der Dicke der Kupfer-Schicht (13) ist.

9. 发明专利

DE112014006567B4 Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014006567B4
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE112014006567
申请日：2014-04-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , YOSHIDA MOTORU , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/161
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist:- Ausbilden einer Metallschicht (30), die aus einem ersten Metall gebildet ist, auf einem Halbleitersubtrat (11), das aus Siliciumcarbid gebildet ist;- Ausbilden einer Metallnitridschicht (40) auf der Metallschicht (30), wobei die Metallnitridschicht (40) erhalten wird, indem ein zweites Metall nitriert wird;- Lenken von Laserlicht durch die Metallnitridschicht (40), um eine Schicht (31) einer Legierung aus dem Siliciumcarbid in dem Halbleitersubtrat (11) und dem ersten Metall in der Metallschicht (30) auszubilden; und- Ausbilden einer Elektrode (20) auf der Metallnitridschicht (40),- wobei die Flächenreflektivität aufgrund der Metallnitridschicht (40) beim Verfahrensschritt des Lenkens des Lasers niedriger ist, als die Flächenreflektivität für den Fall wäre, dass das Laserlicht ohne die Metallnitridschicht (40) auf die Metallschicht (30) gelenkt würde.

10. 发明专利

DE112017004170T5 HALBLEITEREINHEIT 未知
公开(公告)号：DE112017004170T5
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：DE112017004170
申请日：2017-07-07
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SUZUKI HIROYOSHI , OKABE HIROAKI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522
摘要： Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, Risse in der isolierenden Zwischenschicht zu unterbinden, die einem Wachsen von Cu-Kristallkörnern zugeschrieben werden. Die Halbleitereinheit (101) weist Folgendes auf: einen Source-Bereich (5), eine isolierende Zwischenschicht (7), die aus Siliciumoxid hergestellt ist, einen Öffnungsbereich aufweist und auf dem Source-Bereich (5) ausgebildet ist, eine Cu-Elektrode (1), die durch den Öffnungsbereich der isolierenden Zwischenschicht (7) hindurch mit dem Source-Bereich (5) elektrisch verbunden ist, wobei sich ein Endbereich derselben auf der isolierenden Zwischenschicht (7) innerhalb eines Endbereichs der isolierenden Zwischenschicht (7) befindet, sowie eine Spannungsabbauschicht (13), die zwischen der Cu-Elektrode (1) und der isolierenden Zwischenschicht (7) ausgebildet ist, aus einem Material mit einem Bruchzähigkeitswert hergestellt ist, der höher als jener der isolierenden Zwischenschicht (7) ist, und sich von der Innenseite zur Außenseite des Endbereichs der Cu-Elektrode (1) erstreckt.

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