专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

DE102018215383A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102018215383A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：DE102018215383
申请日：2018-09-11
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , TAKAKI YASUSHI , TARUI YOICHIRO , HINO SHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung umfasst ein Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat mit einer Driftschicht vom n-Typ und einem Wannenbereich vom p-Typ, der in einem Oberflächenabschnitt eines Teils der Driftschicht ausgebildet ist, einen Isolierfilm, der auf dem Wannenbereich vorgesehen ist, einen Gate-Einbauwiderstand, der aus Polysilizium besteht, in Kontakt mit einer Oberfläche des Isolierfilms, einen Zwischenschicht-Isolierfilm, der auf dem Gate-Einbauwiderstand ausgebildet ist, einen Gatekontaktdraht, der mit einem Gatepad verbunden und auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm ausgebildet ist, einen Gatedraht, der auf der Zwischenschicht-Isolierschicht so vorgesehen ist, dass er vom Gatekontaktdraht getrennt ist, einen ersten Gatekontakt zum elektrischen Verbinden des Gatekontaktdrahts und des Gate-Einbauwiderstands und einen zweiten Gatekontakt zum elektrischen Verbinden des Gatedrahts und des Gate-Einbauwiderstands.

2. 发明专利

DE112019006894T5 HALBLEITEREINHEIT UND LEISTUNGSWANDLER 未知
公开(公告)号：DE112019006894T5
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：DE112019006894
申请日：2019-02-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HINO SHIRO , NAKASHIMA JUNICHI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L25/07 , H01L29/49 , H01L29/739 , H02M1/00
摘要： Es wird eine Technik zur Reduzierung einer Gate-Oszillation angegeben, während zugleich eine Reduzierung der Schaltgeschwindigkeit unterbunden wird. Eine Halbleitereinheit gemäß der in der vorliegenden Erfindung offenbarten Technik weist Folgendes auf: eine erste Gate-Elektrode (7b) in einem aktiven Bereich; eine Gate-Kontaktstelle (11, 11Y, 11Z) in einem ersten Bereich, der sich in einer Draufsicht von dem aktiven Bereich unterscheidet; sowie eine erste Gate-Leitung (13, 13Y, 13Z), welche die erste Gate-Elektrode (7b) und die Gate-Kontaktstelle (11, 11Y, 11Z) elektrisch miteinander verbindet. Die erste Gate-Leitung ist in einer spiralförmigen Gestalt ausgebildet. Die erste Gate-Leitung besteht aus einer Materialart, die sich von jener der ersten Gate-Elektrode (7b) unterscheidet.

3. 发明专利

DE112018007114T5 SILICIUMCARBID-HALBLEITEREINHEIT 未知
公开(公告)号：DE112018007114T5
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：DE112018007114
申请日：2018-02-19
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
摘要： In einem Element-Bereich (RE) und einem Nicht-Element-Bereich (RN) weist eine Siliciumcarbid-Halbleitereinheit (701) eine Drift-Schicht (10) auf, die einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist und auf einem Siliciumcarbid-Halbleitersubstrat (11) angeordnet ist. In dem Element-Bereich (RE) weist die Siliciumcarbid-Halbleitereinheit (701) einen ersten Graben (12), der bis zu der Drift-Schicht (10) reicht, sowie eine Gate-Elektrode (1) auf, die durch eine Gate-Isolierschicht (2) in dem ersten Graben (12) angeordnet ist und mit einer Gate-Kontaktstellen-Elektrode (4) elektrisch verbunden ist. In dem Nicht-Element-Bereich (RN) weist die Siliciumcarbid-Halbleitereinheit (701) Folgendes auf: einen zweiten Graben (112), dessen Bodenfläche bis zu der Drift-Schicht reicht, einen zweiten Relaxationsbereich (103), der einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und unterhalb des zweiten Grabens (112) angeordnet ist, eine Isolierschicht (102) an der inneren Oberfläche, die auf einer seitlichen Oberfläche und auf der Bodenfläche des zweiten Grabens (112) angeordnet ist, sowie einen Bereich (101) mit einem geringen Widerstand, der durch die Isolierschicht (102) an der inneren Oberfläche in dem zweiten Graben (112) angeordnet ist und von der Gate-Kontaktstellen-Elektrode (14) elektrisch isoliert ist.

4. 发明专利

DE112016005210T5 Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112016005210T5
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：DE112016005210
申请日：2016-09-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , HINO SHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
摘要： Eine Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung weist Folgendes auf: ein Paar erster Wannenbereiche (30) die in einem Abstand W1 voneinander getrennt in Oberflächenbereichen einer Siliciumcarbid-Driftschicht (20) angeordnet sind und eine p-Typ-Störstellenkonzentration aufweisen, die höher ist als eine n-Typ- Störstellenkonzentration der Siliciumcarbid-Driftschicht (20); ein Paar zweiter Wannenbereiche (31), die angrenzend an Unterseiten der ersten Wannenbereiche (30) angeordnet sind und getrennt voneinander in einem Abstand W2 angeordnet sind, der um 0,8 µm oder mehr größer ist als der Abstand W1, und eine p-Typ-Störstellenkonzentration aufweist, die höher ist als die n-Typ-Störstellenkonzentration der Siliciumcarbid-Driftschicht (20) und in einem Bereich des 1,1-fachen bis 4-4-fachen niedriger als die ersten Wannenbereiche (30) ist; und einen hochkonzentrierten JFET-Bereich (22), der sowohl zwischen dem Paar erster Wannenbereiche (30) als auch zwischen dem Paar zweiter Wannenbereiche (31) angeordnet ist und eine n-Typ-Störstellenkonzentration aufweist, die höher als die der Siliciumcarbid-Driftschicht (20) und niedriger als die p-Typ-Störstellenkonzentration der zweiten Wannenbereiche (31) ist. Mit dieser Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung kann ein Leckstrom reduziert werden, während ein Anstieg der EIN-Spannung unterdrückt wird.

5. 发明专利

DE112014006567T5 Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung sowie Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014006567T5
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：DE112014006567
申请日：2014-04-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI , YOSHIDA MOTORU
IPC分类号： H01L21/28
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung angegeben, mit welchem der Anstieg der Anzahl von Herstellungsschritten unterbunden wird, und welches dazu imstande ist, die Verschlechterung der ohmschen Eigenschaften einer Legierungsschicht in Bezug auf ein Halbleitersubtrat zu unterbinden. Das Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer Metallschicht (30), die aus einem ersten Metall gebildet ist, auf einem Halbleitersubtrat (11), das aus Siliciumcarbid gebildet ist; Ausbilden einer Metallnitridschicht (40) auf der Metallschicht (30), wobei die Metallnitridschicht (40) erhalten wird, indem ein zweites Metall nitriert wird; Lenken von Laserlicht durch die Metallnitridschicht (40), um eine Schicht (31) einer Legierung aus dem Siliciumcarbid in dem Halbleitersubtrat (11) und dem ersten Metall in der Metallschicht (30) auszubilden; und Ausbilden einer Elektrode (20) auf der Metallnitridschicht (40).

6. 发明专利

DE112019007188T5 HALBLEITEREINHEIT UND LEISTUNGSWANDLEREINHEIT 未知
公开(公告)号：DE112019007188T5
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：DE112019007188
申请日：2019-04-11
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： EBIHARA KOHEI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/167 , H01L29/872 , H02M7/48
摘要： Eine SBD (100) weist Folgendes auf: einen Anschlussmuldenbereich (2), der in einem Oberflächenschichtbereich einer Drift-Schicht (1) so ausgebildet ist, dass er einen aktiven Bereich (RI) umgibt; eine Feldisolierschicht (3), die so ausgebildet ist, dass sie einen Teil des Anschlussmuldenbereichs (2) bedeckt; eine Oberflächenelektrode (5), die auf der Drift-Schicht (1) auf einer Innenseite in Bezug auf die Feldisolierschicht (3) ausgebildet ist und mit dem Anschlussmuldenbereich (2) elektrisch verbunden ist; eine Oberflächenschutzschicht (6), die einen Endbereich auf einer Außenseite der Oberflächenelektrode (5) bedeckt; sowie eine rückwärtige Oberflächenelektrode (8), die auf einer rückwärtigen Oberfläche eines einkristallinen Substrats (31) ausgebildet ist. Ein Endbereich einer Außenseite der Oberflächenelektrode (5) in dem Eckbereich des Anschlussbereichs (RO) befindet sich, basierend auf einer Position eines Endbereichs einer Außenseite des Anschlussmuldenbereichs (2) auf einer Innenseite in Bezug auf den Endbereich der Außenseite der Oberflächenelektrode (5) in einem geraden Bereich des Anschlussbereichs (RO).

7. 发明专利

DE112018007106T5 SILICIUMCARBID-HALBLEITEREINHEIT 未知
公开(公告)号：DE112018007106T5
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：DE112018007106
申请日：2018-02-19
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , FUKUI YUTAKA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
摘要： Eine Drift-Schicht (10) und ein Source-Bereich (8) weisen einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Ein Basis-Bereich (7) weist einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Ein erster Graben (12) durchdringt den Source-Bereich (8) und den Basis-Bereich (7). Eine Gate-Elektrode (1) ist durch eine Gate-Isolierschicht (2) in dem ersten Graben (12) angeordnet. Ein erster Relaxationsbereich (3) ist unterhalb des ersten Grabens (12) angeordnet und weist den zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Eine Source-Kontaktstellen-Elektrode (4) ist mit dem ersten Relaxationsbereich (3) elektrisch verbunden. Eine Gate-Kontaktstellen-Elektrode (14) ist in einem Nicht-Element-Bereich (RN) angeordnet. Ein Störstellenbereich (108) ist in dem Nicht-Element-Bereich (RN) angeordnet, ist auf der Drift-Schicht (10) angeordnet und weist den ersten Leitfähigkeitstyp auf. Ein zweiter Graben (112) durchdringt den Störstellenbereich (108). Ein zweiter Relaxationsbereich (103) ist unterhalb des zweiten Grabens (112) angeordnet und weist den zweiten Leitfähigkeitstyp auf.

8. 发明专利

DE112014006567B4 Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014006567B4
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE112014006567
申请日：2014-04-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , YOSHIDA MOTORU , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/161
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist:- Ausbilden einer Metallschicht (30), die aus einem ersten Metall gebildet ist, auf einem Halbleitersubtrat (11), das aus Siliciumcarbid gebildet ist;- Ausbilden einer Metallnitridschicht (40) auf der Metallschicht (30), wobei die Metallnitridschicht (40) erhalten wird, indem ein zweites Metall nitriert wird;- Lenken von Laserlicht durch die Metallnitridschicht (40), um eine Schicht (31) einer Legierung aus dem Siliciumcarbid in dem Halbleitersubtrat (11) und dem ersten Metall in der Metallschicht (30) auszubilden; und- Ausbilden einer Elektrode (20) auf der Metallnitridschicht (40),- wobei die Flächenreflektivität aufgrund der Metallnitridschicht (40) beim Verfahrensschritt des Lenkens des Lasers niedriger ist, als die Flächenreflektivität für den Fall wäre, dass das Laserlicht ohne die Metallnitridschicht (40) auf die Metallschicht (30) gelenkt würde.

9. 发明专利

DE112014004583T5 Siliciumcarbidhalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112014004583T5
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：DE112014004583
申请日：2014-06-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TANAKA RINA , KAGAWA YASUHIRO , MIURA NARUHISA , ABE YUJI , FUKUI YUTAKA , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要： Es wird ein Siliciumcarbidhalbleiterbauteil, das in der Lage ist, ein elektrisches Feld in einer unter einem Graben ausgebildeten Schutzdiffusionsschicht abzuschwächen. Ein Siliciumcarbidhalbleiterbauteil 100 weist auf: eine Driftschicht 2a eines ersten Leitfähigkeitstyps; eine Source-Zone 4 des ersten Leitfähigkeitstyps, die in einem oberen Abschnitt einer Halbleiterschicht 2 ausgebildet ist; einen aktiven Graben 5a, der sich durch die Source-Zone 4 und eine Basiszone 3 erstreckt; einen Abschlussgraben 5b, der um den aktiven Graben 5a herum ausgebildet ist; eine Gate-Isolierschicht 6, die auf Boden- und Seitenflächen des aktiven Grabens 5a ausgebildet ist; eine Gate-Elektrode 7, die in den aktiven Graben 5a eingebettet ist, wobei die Gate-Isolierschicht 6 zwischen der Gate-Elektrode 7 und dem aktiven Graben 5a ausgebildet ist; eine Schutzdiffusionsschicht 13 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die unter dem aktiven Graben 5a ausgebildet ist und eine Fremdstoffkonzentration eines zweiten Leitfähigkeitstyps hat, bei der es sich um die erste Fremdstoffkonzentration handelt; und eine Abschlussdiffusionsschicht 16 des zweiten Leitfähigkeitstyps, die unter dem Abschlussgraben 5b ausgebildet ist und eine Fremdstoffkonzentration des zweiten Leitfähigkeitstyps hat, bei der es sich um eine zweite Fremdstoffkonzentration handelt, die niedriger ist als die erste Fremdstoffkonzentration.

10. 发明专利

JP2015002277A 炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2015002277A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013126305
申请日：2013-06-17
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , FUKUI YUTAKA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：【課題】順方向動作において、オン抵抗の高抵抗化を抑制しつつ、積層欠陥の拡張を抑制し、特性シフトを抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】オフ角を有し、炭化珪素から成る半導体基板21の厚み方向一方側の表面部上に、第1導電型の炭化珪素結晶から成るドリフト層22を形成する。ドリフト層22の内部に、導電性を有する材料によって、複数の電流制限領域10を形成する。電流制限領域10は、ソース電極26とドレイン電極28との間に流れる電流を制限する。各電流制限領域10は、直方体状に形成され、ドリフト層22のオフ方向に対して垂直な方向に長手方向を有するように配置される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制堆垛层错延伸来抑制特性偏移的碳化硅半导体器件，同时抑制正向行为的导通电阻的高电阻。解决方案：在半导体的厚度方向上的一侧的表面部分具有偏角的基板21，由碳化硅制成，形成由第一导电型碳化硅晶体制成的漂移层22。在漂移层22的内部，通过具有导电性的材料形成多个电流限制区域10。电流限制区域10限制在源极电极26和漏极电极28之间流过的电流。每个电流限制区域10形成为长方体形状，并且被布置为具有垂直于关闭的方向的纵向方向漂移层22的方向。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式