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1. 发明公开

KR20100122437A Semiconductor device 无效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR20100122437A
公开(公告)日：2010-11-22
申请号：KR20100018809
申请日：2010-03-03
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO , NARAZAKI ATSUSHI , FUJII RYOICHI
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/408 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L29/0646 , H01L21/02225 , H01L21/22 , H01L21/4763 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: The pressure- resistance characteristic in which the semiconductor device wants even if the foreign material are attached to the surface of the conductive film is secured. CONSTITUTION: The impurity diffusion region of the second conductive type is installed from the first major surface of the semiconductor substrate to the second major surface of the semiconductor substrate in the predetermined depth. The junction area with the semiconductor substrate becomes the impurity diffusion region of the second conductive type to the cyclic type(11).
摘要翻译：目的：确保半导体器件即使异物附着在导电膜的表面上所希望的耐压特性。构成：第二导电类型的杂质扩散区域以预定深度从半导体衬底的第一主表面安装到半导体衬底的第二主表面。与半导体衬底的接合区域成为第二导电类型与循环型（11）的杂质扩散区域。

3. 发明专利

DE102011086943B4 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011086943B4
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：DE102011086943
申请日：2011-11-23
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SUEKAWA EISUKE , ORITSUKI YASUNORI , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, die umfasst:eine Haupttransistorzelle mit einem Gateisolationsfilm (5), der auf einer Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (2) ausgebildet ist, einer Polysilizium-Gateelektrode (6), die auf dem Gateisolationsfilm (5) ausgebildet ist, und einem Sourcebereich (4), der ein Störstellenbereich ist, der in einem oberen Abschnitt der Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (2) ausgebildet ist;eine Silizidschicht (8) in ohmschem Kontakt zu dem Sourcebereich (4),einen Zwischenschicht-Isolationsfilm (7), der die Gateelektrode (6) bedeckt;eine Sourceelektrode (101), die Aluminium enthält, wobei die Sourceelektrode mit dem Sourcebereich (4) verbunden ist und sich auf dem Zwischenschicht-Isolationsfilm (7) erstreckt;eine Gatekontaktstelle (102), die Aluminium enthält, wobei die Gatekontaktstelle mit der Gateelektrode (6) verbunden ist; undeine Barrierenmetallschicht (9), die die Diffusion von Aluminium verhindert, wobei die Barrierenmetallschicht zwischen die Sourceelektrode (101) und den Zwischenschicht-Isolationsfilm (7) und zwischen die Gatekontaktstelle (102) und die Gateelektrode (6) und zwischen die Sourceelektrode (101) und die Silizidschicht (8) eingefügt ist wobei die Barrierenmetallschicht (9) sich ohne Unterbrechung von dem Deckflächenabschnitt des Zwischenschicht-Isolationsfilms (7) zu dem Seitenabschnitt des Zwischenschicht-Isolationsfilms (7) erstreckt.

4. 发明专利

DE102013225320B4 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102013225320B4
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：DE102013225320
申请日：2013-12-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TANIOKA TOSHIKAZU , TARUI YOICHIRO , KOBAYASHI KAZUO , YUKI HIDEAKI , SETOGUCHI YOSUKE
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/67
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten:(a) Vorbereiten eines Dummy-Substrats (22) und einer Mehrzahl an Halbleitersubstraten (31, 32, 33, 34, 35);(b) Ausbilden anorganischer Schichten (22f) (31f, 32f, 33f, 34f, 35f) auf einer Rückseitenfläche des Dummy-Substrats (22) und Rückseitenflächen der Mehrzahl von Halbleitersubstraten (31, 32, 33, 34, 35) mit solch einer Dicke, dass die anorganischen Schichten resistent gegenüber einer Temperatur einer thermischen Oxidationsbehandlung oder einer Wärmebehandlung sind und dass sie eine Menge an oxidierenden oder reduzierenden Gasen, die die Rückseitenflächen des Dummy-Substrats (22) und der Mehrzahl von Halbleitersubstraten (31, 32, 33, 34, 35) erreichen, hinreichend verringern;(c) Anordnen des Dummy-Substrats (22) und der Mehrzahl an Halbleitersubstraten (31, 32, 33, 34, 35) in einer Aufschichtung mit in die gleiche Richtung zeigenden Oberflächen und mit einem Abstand zueinander; und(d) Durchführen einer thermischen Oxidationsbehandlung oder einer Wärmenachbehandlung über den Oberflächen der Halbleitersubstrate (31, 32, 33, 34, 35) in einer oxidierenden Gasatmosphäre oder einer reduzierenden Gasatmosphäre nach den Schritten (b) und (c), wobei im Schritt (b) die anorganischen Schichten auf der Rückseitenfläche des Dummy-Substrats (22) und den Rückseitenflächen der Mehrzahl von Halbleitersubstraten (31, 32, 33, 34, 35) ausgebildet werden aber die anorganischen Schichten nicht auf der Vorderseitenoberfläche des Dummy-Substrats (22) ausgebildet werden,wobei das Dummy-Substrat (22) durch ein gegenüber jedem der Halbleitersubstrate (31, 32, 33, 34, 35) unterschiedliches Material ausgebildet wird.

5. 发明专利

DE102014216989A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102014216989A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：DE102014216989
申请日：2014-08-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO , IMAIZUMI MASAYUKI , YUTANI NAOKI
IPC分类号： H01L29/872
摘要： Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung umfasst Folgendes: eine Driftschicht (1b) eines ersten Leitungstyps; einen Schutzringbereich (2) eines zweiten Leitungstyps, der in einer Ringform in einem Abschnitt von einer Oberfläche der Driftschicht ausgebildet ist; einen Feldisolationsfilm (3), der auf der einen Oberfläche der Driftschicht ausgebildet ist und den Schutzringbereich umgibt; eine Schottky-Elektrode (4), die den Schutzringbereich und die Driftschicht umgibt, die innerhalb des Schutzringbereichs freiliegt, und ein äußeres Umfangsende aufweist, das auf dem Feldisolationsfilm liegt; und eine Oberflächenelektroden-Kontaktstelle (5) auf der Schottky-Elektrode, wobei ein äußeres Umfangsende der Oberflächenelektroden-Kontaktstelle mit dem Feldisolationsfilm über dem äußeren Umfangsende der Schottky-Elektrode in Kontakt kommt.

6. 发明专利

DE102011002398B4 Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011002398B4
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：DE102011002398
申请日：2011-01-03
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： UDA YUKIO , SEKIYA KOICHI , KOBAYASHI KAZUO , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/265
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, aufweisend die folgenden Schritte: (a) Ausbilden eines aktiven Bereichs einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung durch Ionenimplantierung einer Dotierung in eine Oberfläche eines Siliziumcarbid-Wafers (CW); (b) Ausbilden eines Graphitfilms (GF) auf einer gesamten Oberfläche des Siliziumcarbid-Wafers, welcher erhalten wird, nachdem der aktive Bereich ausgebildet ist, und auf einer gesamten Oberfläche eines Silizium-Wafers (SW), welcher als Kontrolleinheit für die Filmdicke verwendet wird, durch chemische Gasphasenabscheidung; und (c) Ermitteln der Dicke des Graphitfilms, wobei der Schritt (b) den Schritt des Ausbildens des Graphitfilms bei einer Filmbildungstemperatur von 800°C oder mehr und 950°C oder niedriger durch die chemische Gasphasenabscheidung umfasst, der Schritt (c) den Schritt des Bestimmens der Dicke des Graphitfilms, welcher auf dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet ist, durch Messen der Dicke des Graphitfilms, der auf dem Silizium-Wafer ausgebildet ist, umfasst.

7. 发明专利

DE112011105633T5 Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112011105633T5
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：DE112011105633
申请日：2011-09-21
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO , SUEKAWA EISUKE , YUTANI NAOKI , YUTANI SHIRO , MIURA NARUHISA , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： Es wird erwartet, dass sowohl die Verringerung des Widerstandswerts eines Sourcebereichs als auch die Verringerung eines Leckstroms in einer Gateoxidschicht in einem MOSFET in einer Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung erzielt werden kann. Ein Leckstrom, der in einer Gateoxidschicht 6 des MOSFET auftreten kann, wird unterdrückt durch Verringern einer Rauigkeit an einer Grenzfläche zwischen einem Sourcebereich 4 und der Gateoxidschicht 6. Wenn eine Dotierungskonzentration an einem Oberflächenabschnitt des Sourcebereichs 4 hoch wird, wird die Gateoxidschicht 6 durch Trockenoxidation oder einen CVD-Prozess gebildet. Wenn die Gateoxidschicht 6 durch Nassoxidation gebildet wird, wird die Dotierungskonzentration an dem Oberflächenabschnitt des Sourcebereichs 4 auf einen niedrigen Pegel gesteuert.

8. 发明专利

DE102010042998A1 Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102010042998A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：DE102010042998
申请日：2010-10-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872

9. 发明专利

DE102010005625A1 Herstellungsverfahren einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102010005625A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：DE102010005625
申请日：2010-01-25
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/06

10. 发明专利

DE102008059984A1 未知
公开(公告)号：DE102008059984A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：DE102008059984
申请日：2008-12-02
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： WATANABE TOMOKATSU , AYA SUNAO , MIURA NARUHISA , SAKAI KEIKO , YOSHIDA SHOHEI , TANIOKA TOSHIKAZU , NAKAO YUKIYASU , TARUI YOICHIRO , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/265 , H01L29/45 , H01L29/78

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