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1. 发明专利

JP2013161880A Method for manufacturing silicon carbide monocrystalline substrate 有权
标题翻译：制造碳化硅单晶衬底的方法
公开(公告)号：JP2013161880A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2012021115
申请日：2012-02-02
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKANISHI YOSUKE , SAWADA TAKAO , MIYAKE HIDETAKA , KOSHO TOMOAKI , TOMITA NOBUYUKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C30B29/36 , C30B33/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a silicon carbide monocrystalline substrate in which a crystal face of an excellent atomic arrangement appeared on a surface by a brief chemical mechanical polishing step.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide monocrystalline substrate comprises: a char layer formation step forming a char layer by carbonizing a surface of a silicon carbide blank 5; and a chemical mechanical polishing step polishing the surface of the silicon carbide blank 5 with a polishing solution 15 containing an abrasive grain and an oxidizing agent after the char layer formation step.
摘要翻译：要解决的问题：通过简单的化学机械抛光步骤获得在表面上出现优异原子排列的晶面的碳化硅单晶衬底。解决方案：一种用于制造碳化硅单晶衬底的方法，包括：炭层形成步骤通过碳化碳化硅坯料5的表面碳化形成炭层; 以及化学机械抛光步骤，在碳化硅坯料5的表面上，在炭层形成工序之后，用含有磨粒和氧化剂的研磨液15进行研磨。

2. 发明专利

JP2014110362A Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014110362A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：JP2012264901
申请日：2012-12-04
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKABE HIROAKI , NAKANISHI YOSUKE , YOSHIDA MOTOI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an SiC semiconductor device which inhibits film peeling of a Cu electrode and has a high diffusion prevention effect of Cu on an element structure part; and provide a manufacturing method of the SiC semiconductor device.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device manufacturing method of the present embodiment comprises: (a) a process of forming a barrier metal 13 on a silicon carbide semiconductor element; (b) a process of forming on the barrier metal 13, a Cu electrode 12 in which an end of a contact surface with the barrier metal 13 is retracted behind an end of the barrier metal 13; and (c) a process of performing anisotropic etching on the barrier metal 13 in a vertical direction by using a Cu electrode 12 as a mask. The process (b) is a process of forming the Cu electrode 12 in a manner such that a width of at least a part other than a bottom which contacts the barrier metal 13 becomes wider than a width of the bottom.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制Cu电极的膜剥离并且对元件结构部分具有高扩散防止效果的SiC半导体器件; 并提供SiC半导体器件的制造方法。本实施例的碳化硅半导体器件制造方法包括：（a）在碳化硅半导体元件上形成阻挡金属13的工艺; （b）在阻挡金属13上形成有与阻挡金属13的接触表面的端部缩回阻挡金属13的端部后方的Cu电极12的工序; 以及（c）通过使用Cu电极12作为掩模在垂直方向上对阻挡金属13进行各向异性蚀刻的工序。方法（b）是以使得与阻挡金属13接触的底部以外的至少一部分的宽度比底部的宽度变宽的方式形成Cu电极12的工序。

3. 发明专利

JP2013131588A Wafer manufacturing method and semiconductor device manufacturing method 有权
标题翻译： WAFER制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2013131588A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：JP2011279168
申请日：2011-12-21
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SUEHIRO YOSHIYUKI , SAWADA TAKAO , MIYAKE HIDETAKA , KOSHO TOMOAKI , NAKANISHI YOSUKE
IPC分类号： H01L21/304 , B23H7/02 , B28D5/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer manufacturing method which does not require a beveling treatment of a wafer after cutting the wafer out of an ingot thereby to prevent edge chipping and cracks of a thinned wafer.SOLUTION: A wafer manufacturing method comprises forming on an outer periphery of a pillar ingot 1, V-shaped grooves 3 each having a flat part 4 on a bottom. The flat part 4 has a center deviating from a deepest part 31 of the V-shaped groove 3. With this configuration, grooves each asymmetric in a thickness direction of the ingot 1 and salients (cap parts 33) each asymmetric in the thickness direction of the ingot 1 are formed on a lateral face of the ingot 1. The wafer manufacturing method further comprises cutting the ingot 1 at positions corresponding to the flat parts 4 to cut out wafers each having the cap part 33 on a lateral face.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在从晶锭切割晶片之后不需要对晶片进行斜面处理的晶片制造方法，从而防止晶片的边缘碎裂和薄片晶片的裂纹。解决方案：晶片制造方法包括形成柱锭1的外周，在底部具有平坦部分4的V形槽3。平坦部分4具有偏离V形槽3的最深部分31的中心。利用这种构造，在锭1的厚度方向上各自不对称的槽和在厚度方向上不对称的凸起（帽部33）晶锭1形成在晶锭1的侧面上。晶片制造方法还包括在对应于平坦部分4的位置处切割锭1，以在侧面上切割每个具有盖部33的晶片。

4. 发明专利

JP2014162649A SiC SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD OF SiC SUBSTRATE, AND SiC EPITAXIAL SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译： SiC基板，SiC基板的制造方法和SiC外延基板
公开(公告)号：JP2014162649A
公开(公告)日：2014-09-08
申请号：JP2013031829
申请日：2013-02-21
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TANAKA TAKANORI , KOSHO TOMOAKI , NAKANISHI YOSUKE , KAWABATA NAOYUKI , MITANI YOICHIRO , TOMITA NOBUYUKI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , C30B25/20 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a SiC substrate capable of suppressing basal surface dislocation of an epitaxial layer, a production method thereof, and a SiC epitaxial substrate.SOLUTION: A SiC substrate has a principal plane tilted by an off-angle from a plane vertical to the c-axis, and an angle formed between a dislocation line direction and an off-direction of the off-angle is 45° or more and 90° or less over 80% of basal surface dislocation of the principal plane surface.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制外延层的基面位错的SiC衬底，其制造方法和SiC外延衬底。解决方案：SiC衬底具有从平面倾斜偏离角的主面垂直于c轴，位错线方向和偏角的偏离方向之间形成的角度在主平面表面的基面位错的80％以上为45°以上且90°以下。

5. 发明专利

JP2012248572A Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2012248572A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011117039
申请日：2011-05-25
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , MIURA NARIHISA , HINO SHIRO , OTSUKA KENICHI , KOSHO TOMOAKI , KUROIWA TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which can inhibit breakage of an interlayer insulation film in thinning.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a substrate 10 composed of a material having first rigidity; a drift layer 11 provided on a first principal surface 10a of the substrate 10; a gate electrode 70 formed on the drift layer 11 via an insulation film 60; and an interlayer insulation film 80 formed so as to cover the gate electrode 70 and composed of a material having second rigidity lower than the first rigidity. A total thickness of the substrate 10 and the drift layer 11 is not more than 200 μm. In the interlayer insulation film 80, a polygonal or elliptical or circular opening 90 with all interior angles being larger than 90° when viewed from above.
摘要翻译：要解决的问题：获得能够抑制层间绝缘膜在变薄中的破坏的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：由具有第一刚性的材料构成的衬底10; 设置在基板10的第一主表面10a上的漂移层11; 通过绝缘膜60形成在漂移层11上的栅电极70; 以及层间绝缘膜80，其形成为覆盖栅电极70，并且由具有低于第一刚性的第二刚性的材料构成。基板10和漂移层11的总厚度不大于200μm。在层间绝缘膜80中，当从上方观察时，具有大于90°的所有内角的多边形或椭圆形或圆形的开口90。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2015030659A 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：单晶生产方法
公开(公告)号：JP2015030659A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013163989
申请日：2013-08-07
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： SUZUKI HIROYOSHI , KOSHO TOMOAKI , NAKANISHI YOSUKE , MIYAKE HIDETAKA
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】本発明は、高品質な単結晶を再現性よく得ることができる単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に関する単結晶の製造方法は、(a)種結晶1の接着面において放電加工を行い、加工変質層3を形成する工程と、(b)接着剤5を用いて、接着面に形成された加工変質層3を台座としてのグラファイト台座6に貼り付ける工程と、(c)工程(b)の後、接着面の反対側の面である成長面において単結晶を成長させる工程とを備える。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以优异的再现性制造高质量的单晶的单晶制造方法。解决方案：制造单晶的方法包括：（a）在粘合剂表面上进行放电的步骤的晶种1以形成受影响层3; （b）通过使用粘合剂5将形成在粘合剂表面上的受影响层3粘附到作为基座的石墨基座6上的步骤; 和（c）在步骤（b）之后，在生长表面或与粘合剂表面相对的一侧生长单晶的步骤。

7. 发明专利

JP2014116365A Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件制造方法和硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2014116365A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012267503
申请日：2012-12-06
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , YOSHIDA MOTOI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device manufacturing method which can suppress increase in the number of manufacturing processes and inhibit deterioration in ohmic characteristics of an alloy layer to a semiconductor substrate.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device manufacturing method comprises: a process of forming a metal layer 30 composed of a first metal on a semiconductor substrate 11 composed of a silicon carbide; a process of forming on the metal layer 30, a metal nitride film 40 obtained by nitriding of a second metal; a process of irradiating laser beams to form an alloy layer 31 of the silicon carbide of the semiconductor substrate 11 and the first metal of the metal layer 30 via the metal nitride film 40; and a process of forming an electrode 20 on the metal nitride film 40.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅半导体器件的制造方法，其可以抑制制造工艺数量的增加并且抑制合金层对半导体衬底的欧姆特性的劣化。解决方案：一种碳化硅半导体器件制造方法，包括：在由碳化硅构成的半导体基板11上形成由第一金属构成的金属层30的工序; 在金属层30上形成通过氮化第二金属获得的金属氮化物膜40的工艺; 照射激光束的方法，通过金属氮化物膜40形成半导体衬底11的碳化硅的合金层31和金属层30的第一金属; 以及在金属氮化物膜40上形成电极20的工序。

8. 发明专利

DE112012006211T5 Drahterodiervorrichtung und Herstellungsverfahren für Halbleiterwafer unter Verwendung derselben 未知
公开(公告)号：DE112012006211T5
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：DE112012006211
申请日：2012-10-19
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MIYAKE HIDETAKA , ITOKAZU ATSUSHI , NAKANISHI YOSUKE
IPC分类号： B23H7/02 , B23H9/00
摘要： Drahterodiervorrichtung, aufweisend mehrere Hauptführungsrollen (1a) bis (1d), die parallel in Abständen angeordnet sind, einen Draht (3), der in einem festen Wickelschritt zwischen den Führungsrollen (1a) bis (1d) aufgewickelt ist, um Schneidedrahtabschnitte (CL) zwischen einem Paar Führungsrollen (1a) und (1b) zu bilden, und der entsprechend der Drehung der Hauptführungsrollen (1) mitläuft, und Einspeiseklemmeneinheiten (6), die elektrische Energie in Drähte (3) der Schneidedrahtabschnitte (CL) einspeisen. Die Drahterodiervorrichtung führt ein Zerschneiden eines Werkstücks (5) mit den Schneidedrahtabschnitten (CL) durch, setzt das Ausschneiden von Halbleiterwafern aus dem Werkstück (5) in einem Zustand aus, in dem ein Teil der Halbleiterwafer noch mit dem Werkstück (5) verbunden ist, bringt die Drähte (3) der Schneidedrahtabschnitte (CL) nahe an eine der Schneideflächen, und tastet die Schneideflächen in einem drahterodierten Zustand ab.

9. 发明专利

DE112014006567T5 Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung sowie Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014006567T5
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：DE112014006567
申请日：2014-04-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI , YOSHIDA MOTORU
IPC分类号： H01L21/28
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung angegeben, mit welchem der Anstieg der Anzahl von Herstellungsschritten unterbunden wird, und welches dazu imstande ist, die Verschlechterung der ohmschen Eigenschaften einer Legierungsschicht in Bezug auf ein Halbleitersubtrat zu unterbinden. Das Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer Metallschicht (30), die aus einem ersten Metall gebildet ist, auf einem Halbleitersubtrat (11), das aus Siliciumcarbid gebildet ist; Ausbilden einer Metallnitridschicht (40) auf der Metallschicht (30), wobei die Metallnitridschicht (40) erhalten wird, indem ein zweites Metall nitriert wird; Lenken von Laserlicht durch die Metallnitridschicht (40), um eine Schicht (31) einer Legierung aus dem Siliciumcarbid in dem Halbleitersubtrat (11) und dem ersten Metall in der Metallschicht (30) auszubilden; und Ausbilden einer Elektrode (20) auf der Metallnitridschicht (40).

10. 发明专利

DE102019204466A1 Filmdicken-Messvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102019204466A1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：DE102019204466
申请日：2019-03-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MASUMOTO YUICHI , JOKAKU TORU , YAMANAKA NOBUAKI , NAKANISHI YOSUKE
IPC分类号： G01B11/06 , G01N21/55
摘要： Ein Auftreten eines Rauschens in einem Lichtempfänger wird unterdrückt, und eine Genauigkeit eines Messens einer Filmdicke wird verbessert. Eine Filmdicken-Messvorrichtung umfasst: einen Tisch (1), der mit nur einem Endteilbereich eines Substrats (2) in Kontakt ist; eine Reflexionen unterdrückende Einheit (12, 13), die getrennt von dem Tisch in einem vom Tisch umgebenen Bereich gelegen ist; eine Lichtquelle (4); und einen Lichtempfänger (5), in den ein erstes Licht (8), das aus Licht besteht, welches von der Lichtquelle (4) emittiert wurde und auf einer oberen Oberfläche des vermessenen Films reflektiert wurde, und ein zweites Licht (9), das auf einer oberen Oberfläche des Substrats reflektiert wurde, eintreten. Die Reflexionen unterdrückende Einheit ist getrennt von einer unteren Oberfläche des Substrats gelegen, die zur Umgebung freigelegt ist, und unterdrückt eine Reflexion von Licht, das von der Lichtquelle aus in die Reflexionen unterdrückende Einheit eintritt, zum Lichtempfänger.

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