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1. 发明申请

WO2012001848A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2012001848A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/002000
申请日：2011-04-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 杉田吉平 , 枩田健志 , 橋本浩幸 , 原田宗生
发明人：杉田　吉平 , 枩田　健志 , 橋本　浩幸 , 原田　宗生
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/283 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76898
摘要：　絶縁膜としてポリイミド膜等の有機膜を用いても、不活性ガスのプラズマの照射によるクリーニングに起因する絶縁膜の絶縁性の低下を回復することができ、リーク電流の発生を抑制した良質な半導体装置を製造することのできる方法を提供する。基板に一方の面から他方の面に形成された電極にまで貫通するホールを形成する工程と、ホール内に有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、ホール内の側壁部の有機絶縁膜を残し、ホール内の底部の有機絶縁膜の少なくとも一部を除去して電極に貫通させる工程と、電極の露出面を不活性ガスのプラズマによってクリーニングする工程と、ホール内に導体金属を充填する工程と、酸素プラズマを作用させて有機絶縁膜の表面層の少なくとも一部を除去する工程と、基板を非酸化性雰囲気で熱処理する工程とを具備した半導体装置の製造方法。
摘要翻译：公开了一种能够制造能够恢复绝缘膜的绝缘性能降低的良好半导体器件的方法，即使在使用诸如聚酰亚胺膜的有机膜作为绝缘膜的情况下，绝缘膜的所述减小性能是由通过惰性气体的等离子体的照射进行的清洁引起的，因此在泄漏电流的发生中被抑制。具体公开的是一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：向基板提供从一面向另一面形成的电极贯穿所述基板的基板的工序; 有机绝缘膜形成步骤，用于在孔内形成有机绝缘膜; 通过去除孔的底部上的有机绝缘膜的至少一部分，同时使孔的侧壁上的有机绝缘膜保持不变而使孔穿过电极的步骤; 用惰性气体的等离子体清洁电极的暴露表面的步骤; 用导电金属填充孔的步骤; 通过在其上施加氧等离子体来除去有机绝缘膜的至少一部分表面层的步骤; 以及使基板在非氧化性气氛中进行热处理的工序。

2. 发明申请

WO2007119359A1 ウエハ状計測装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：波形测量装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2007119359A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/055084
申请日：2007-03-14
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 枩田健志 , 南朋秀 , 山西良樹 , 原田宗生
发明人：枩田健志 , 南朋秀 , 山西良樹 , 原田宗生
IPC分类号： G01K7/18 , G01K1/14 , G01K1/16 , H01L21/66
CPC分类号： G01K1/16 , G01K7/01 , H01L21/67248 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：　良好な測温性能を備える温度測定装置とその製造方法を提供する。温度測定装置（１０）は、半導体ウエハ（１２）の凹部（１２ｃ）の底面に設置された温度センサ（１１）を備える。半導体ウエハ（１２）と温度センサ（１１）とは、第１の接合層（１４）と第２の接合層（２４）とを介して接合される。第１の接合層（１４）と第２の接合層（２４）とは、同一の材料、具体的に熱伝導率の高い金属から形成され、更に面方向にほぼ均一な厚みを備えるように形成されている。このような第１の接合層（１４）と第２の接合層（２４）とによって、半導体ウエハ（１２）から温度センサ（１１）への熱伝導が良好に生ずる。従って、温度測定装置（１０）は良好な測温性能を備える。
摘要翻译：提供了一种温度测量性能优异的温度测量装置及其制造方法。温度测量装置（10）设置有布置在半导体晶片（12）的凹部（12c）的底表面上的温度传感器（11）。半导体晶片（12）通过在其间具有第一接合层（14）和第二接合层（24）而与温度传感器（11）接合。第一接合层（14）和第二接合层（24）由相同的材料形成，特别是具有高导热性的金属，此外，在表面方向具有基本上均匀的厚度。通过第一接合层（14）和第二接合层（24），从半导体晶片（12）到温度传感器（11）的热量良好地传导。因此，温度测量装置（10）具有优异的温度测量性能。

3. 发明申请

WO2007023909A1 ＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体膜及びその誘電体膜を使用したコンデンサ並びにＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体膜の形成方法及び形成システム审中-公开
标题翻译：具有二氧化钛型晶体结构的电介质膜，使用电介质膜的电容器，以及用于形成具有二氧化钛型晶体结构的电介质膜的方法和系统
公开(公告)号：WO2007023909A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/316631
申请日：2006-08-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社オクテック , イビデン株式会社 , 奥村勝弥 , 山田欣司 , 篠田智隆 , 王道海 , 北野高広 , 山西良樹 , 原田宗生 , 川口達三 , 廣田良浩 , 枩田健志
发明人：奥村勝弥 , 山田欣司 , 篠田智隆 , 王道海 , 北野高広 , 山西良樹 , 原田宗生 , 川口達三 , 廣田良浩 , 枩田健志
IPC分类号： H01L21/822 , B32B9/00 , H01G4/12 , H01L21/314 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC分类号： H01G4/1209 , H01L21/31691 , H01L27/101 , H01L28/56
摘要：　平均径が所定値以上の空隙（４２）を含むＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する第１の薄膜（３１）の上に、空隙（４２）の平均径よりも小さい平均粒径のＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する粒子を含む第２の塗布液を塗布し、加熱・焼成する。すると、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する第２の薄膜（３２）が形成され、これにより、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する膜の積層膜から構成されるＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する誘電体膜（３）が得られる。該誘電体膜（３）は、第１の薄膜（３１）と第２の薄膜（３２）との境界領域の密度が、当該誘電体膜（３）の他の領域の密度より高い、という特徴を有する。
摘要翻译：公开了具有ABOx型钙钛矿结构的电介质膜（3），其由具有ABOx型钙钛矿结构的膜的层压体构成。电介质膜（3）可以通过在具有ABOx型钙钛矿晶体结构的第一薄膜（31）上制造并具有平均直径等于或大于预定值的空隙（42），施加第二包含各自具有ABOx型钙钛矿晶体结构并且平均粒径小于空隙（42）的平均直径的颗粒的涂层溶液，然后加热和烧制所得产物以形成第二薄膜（32）在第一薄膜（31）上具有ABOx型钙钛矿晶体结构。电介质膜（3）的特征在于，第一薄膜（31）与第二薄膜（32）之间的边界处的密度高于电介质薄膜（3）的任何其它区域的密度。

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