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1. 发明专利

JP2020088739A 表示装置、表示システム、画像表示方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020088739A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018223895
申请日：2018-11-29
申请人：株式会社オクテック
发明人：コプフピエール , ▲徳▼茂宏之
IPC分类号： G09G5/00 , G09G3/34 , G09G3/36 , G09G3/20 , G03B21/00 , G03B21/26 , G03B21/60 , G03B21/62 , H04N5/74
摘要：【課題】コントラスト率が良好である表示装置、表示システム、及び画像表示方法を提供する。【解決手段】表示装置は、第1面に投影された光を反射させ、第2面に投影された光を透過させるスクリーン3と、入力された第1画像を前記スクリーン3の第1面に投影するフロントプロジェクタ4と、スクリーン3の第2面側に配置されており、入力された第2画像を表示するリア表示部1と、スクリーン3の第2面とリア表示部1との間に配置されており、リア表示部1から出射する光の一部を遮光するマスク2とを備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2015211099A 真空チャック部材および真空チャック部材の製造方法。审中-公开
标题翻译：真空泵组件和制造真空泵的方法
公开(公告)号：JP2015211099A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2014090959
申请日：2014-04-25
申请人：京セラ株式会社 , 株式会社オクテック
发明人：前田岳志 , 田中万平 , 奥村勝弥
IPC分类号： H01L21/683
摘要：【課題】載置面に載置した対象体の表面位置の精度を高精度に制御する。【解決手段】平面状の載置面を有する多孔質セラミック体と、前記多孔質セラミック体の外周面を囲んだ、前記外周面と対向する内周面を備える外壁部、および前記多孔質セラミック体の前記載置面と反対側の面と当接するベース面を有する緻密質セラミック体とを備え、前記載置面に載置した対象体を前記多孔質セラミック体を介して真空吸着するための真空チャック部材であって、前記外周面と前記内周面とが、直接当接していることを特徴とする真空チャック部材を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：控制安装在安装表面上的物体的表面位置的精度。解决方案：真空吸盘构件包括具有平坦安装表面的多孔陶瓷体和具有外壁的致密陶瓷体，外壁包括内部围绕多孔陶瓷体的外周面的周面，并且面向外周面，以及与安装面相反的一侧与多孔陶瓷体的表面抵接的基面，真空吸附安装在多孔陶瓷体上的物体通过多孔陶瓷体安装表面。外周面和内周面直接抵接。

3. 发明专利

JP2014199955A 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2014199955A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：JP2014153274
申请日：2014-07-28
申请人：株式会社オクテック , Okutekku:Kk , 富士電機株式会社 , Fuji Electric Co Ltd
发明人： OKUMURA KATSUYA , TAKAHASHI YOSHIKAZU , IKEDA YOSHINARI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L24/01 , H01L2224/01 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置1では、絶縁板10aの第1の主面に金属箔10bが形成され、絶縁板10aの第2の主面に、少なくとも一つの金属箔10c,10dが形成される。また、金属箔10c,10d上に少なくとも一つの半導体素子20が接合され、半導体素子20が配置された絶縁板10aの主面に対向するようにプリント基板30が配置される。そして、プリント基板30に設けられたスルーホール30dに注入され、固定された複数のポスト電極30eにより、プリント基板30の第1の主面に形成された金属箔30bと、金属箔30bに対応するようにプリント基板30の第2の主面に形成された金属箔30cと、半導体素子20の主電極とが電気的に接続される。これにより、高信頼性で、優れた動作特性を有し、且つ高い生産性を有する半導体装置1が実現する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件的可靠性。解决方案：半导体器件1包括：形成在绝缘板10a的第一主表面上的金属箔10b; 形成在绝缘板10a的第二主表面上的金属箔10c，10d中的至少一个; 键合在金属箔10c，10d上的至少一个半导体元件20; 布置成面对其上布置有半导体元件20的绝缘板10a的主表面的印刷板30; 以及植入设置在印刷电路板30上的通孔30d中的多个柱状电极30e，用于电连接形成在印刷电路板30的第一主表面上的金属箔30b，形成在印刷电路板30的第二主表面上的金属箔30c 板30，以对应于金属箔30b和半导体元件20的主电极。因此，可以实现具有高可靠性，高性能特性和高生产率的半导体器件1。

4. 发明专利

JP5525024B2 A method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5525024B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2012237640
申请日：2012-10-29
申请人：株式会社オクテック , 富士電機株式会社
发明人：勝弥奥村 , 良和高橋 , 良成池田
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/01 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

5. 发明专利

JP4855056B2 Liquid supply system 有权
公开(公告)号：JP4855056B2
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：JP2005350097
申请日：2005-12-05
申请人：シーケーディ株式会社 , 株式会社オクテック
发明人：勝弥奥村 , 寛板藤 , 徳秀縄田
IPC分类号： F04B9/125 , F04B9/133

6. 发明专利

JP2010272647A Semiconductor device and method for manufacturing same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2010272647A
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：JP2009122440
申请日：2009-05-20
申请人： Fuji Electric Systems Co Ltd , Okutekku:Kk , 富士電機システムズ株式会社 , 株式会社オクテック
发明人： WAKIMOTO HIROKI , SHIMOYAMA KAZUO , YAMAZAKI TOMOYUKI , OKUMURA KATSUYA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/0661 , H01L21/76224 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/402 , H01L29/66333 , H01L29/7395
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration of reverse voltage and to improve throughput. SOLUTION: There is provided a semiconductor device equipped with: an active region 100, an voltage resistant structure 110 so formed as to surround the active region, and an isolation structure 120 so formed as to surround the voltage resistant structure. After forming a surface element structure on the first principal plane of the active region 100 of a semiconductor substrate 1, a trench 23 is formed from the second principal plane side of the isolation structure 120. After that, a p + isolation region 24 is formed on the sidewall of the trench 23. The p + isolation region 24 is so formed as to touch a p-type channel stopper region 21 formed on the surface of the first principal plane and a p-type collector layer 9 formed on the surface layer of the second principal plane in the isolation structure 120. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：防止反向电压的恶化并提高生产率。解决方案：提供一种半导体器件，其配备有有源区域100，形成为围绕有源区域的耐电压结构110以及形成为围绕耐电压结构的隔离结构120。在半导体衬底1的有源区域100的第一主平面上形成表面元件结构之后，从隔离结构120的第二主平面侧形成沟槽23.之后，将SP + SP >隔离区域24形成在沟槽23的侧壁上.p + SP /隔离区域24形成为接触形成在第一主平面的表面上的p型沟道限制区域21 以及形成在隔离结构120中的第二主平面的表面层上的p型集电极层9.权利要求：（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2010268011A Semiconductor device, and member for electrode, and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体器件和电极部件及其制造方法
公开(公告)号：JP2010268011A
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：JP2010195522
申请日：2010-09-01
申请人： Fuji Electric Systems Co Ltd , Kyocera Corp , Okutekku:Kk , 京セラ株式会社 , 富士電機システムズ株式会社 , 株式会社オクテック
发明人： OKUMURA KATSUYA , TAKAHASHI YOSHIKAZU , TAKENOUCHI KAZUNORI
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve heat cycle resistance and power cycle resistance of a power module. SOLUTION: Soldering of a member 30 for electrodes is carried out to a face of an IGBT 10 on a side where an emitter electrode is formed, the member for electrodes including: a support 31 of ceramic material having two or more through-holes 31a; and copper poles 32 formed in the through-holes. While making heat generated in the IGBT 10 move to the member 30 for electrodes and radiate heat by soldering the two or more copper poles 32 to the electrodes, it is made possible to decrease the occurrence of cracks by reducing the stress applied to a soldering interface and suppressing distortion to a small degree, even if a difference exists between a constituent material of the IGBT 10 and a copper material in a coefficient of thermal expansion. Consequently, it is made possible to improve heat cycle resistance and power cycle resistance of the power module. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提高功率模块的耐热循环电阻和功率循环电阻。解决方案：将电极部件30焊接到形成发射电极的一侧的IGBT10的表面，电极部件包括：具有两个以上通孔的陶瓷材料的支撑体31，孔31a; 以及形成在通孔中的铜极32。当IGBT 10产生的热量移动到用于电极的构件30并且通过将两个或更多个铜极32焊接到电极而辐射热时，通过减小施加到焊接界面的应力，可以减少裂纹的发生并且即使在IGBT 10的构成材料和热膨胀系数的铜材之间存在差异，也能够很小地抑制变形。因此，能够提高功率模块的耐热循环性和功率循环电阻。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP4541069B2 The chemical supply system 有权
公开(公告)号：JP4541069B2
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：JP2004232071
申请日：2004-08-09
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社オクテック
发明人：重伸伊藤 , 勝弥奥村 , 和広菅田 , 哲也豊田
IPC分类号： H01L21/027 , F04B43/06
CPC分类号： F04F1/06 , F04B43/073 , Y10T137/3124

9. 发明专利

JP4472372B2 Electrode plate for a plasma processing apparatus and plasma processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP4472372B2
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：JP2004025007
申请日：2004-02-02
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社オクテック
发明人：勝弥奥村 , 弘樹松丸 , 昇一郎松山 , 慎司檜森 , 一也永関 , 俊樹高橋
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , B01J19/08 , C23C14/00 , C23F4/00 , C25D17/10 , H01J37/32 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541

10. 发明专利

JP4446780B2 Manufacturing method of the printed wiring board 有权
公开(公告)号：JP4446780B2
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：JP2004109956
申请日：2004-04-02
申请人：イビデン株式会社 , 株式会社オクテック
发明人：勝弥奥村 , 哲央山下 , 博史瀬川
IPC分类号： H05K3/00 , H05K3/46

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