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1. 发明申请

WO2009119343A1 表面処理装置、及び表面処理方法审中-公开
标题翻译：用于处理表面的设备和处理表面的方法
公开(公告)号：WO2009119343A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/054885
申请日：2009-03-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 杉田吉平 , 橋本浩幸 , 原田宗生
发明人：杉田吉平 , 橋本浩幸 , 原田宗生
IPC分类号： H01L21/312 , C23C14/12 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/312 , B05D1/60 , B05D3/007 , B05D5/10 , H01L21/02126 , H01L21/02312
摘要：　２０体積％以上の密着促進剤を含む水溶液を８０～１００°Cの温度に加熱及び気化して水含有密着促進剤蒸気を生成し、基板の表面に前記水含有密着促進剤蒸気を付着及び凝縮させた後、加熱脱水反応を生ぜしめて、前記基板の前記表面に前記密着促進剤を付着させる。
摘要翻译：将含有20体积％或更大量的粘合促进剂的水溶液加热至80-100℃的温度并蒸发以产生含水粘附促进剂蒸气。使含水粘附促进剂蒸气粘附到基材的表面并在其上冷凝。此后，通过加热引起脱水反应，以将粘附促进剂粘附到基材的表面。

2. 发明专利

JP2021044288A 処理装置を検査するシステム及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021044288A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019163018
申请日：2019-09-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 永井健治
IPC分类号： G01J5/00 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/3065
摘要：【課題】処理装置の異常を判定できるシステム及び方法を提供する。【解決手段】処理装置を検査するシステムは、処理装置の処理室内の部品の温度を調整する温度調整機構と、測定光を発生する光源と、温度調整機構による部品の温度調整中に、光源で発生した測定光を出射光として処理装置の処理室内の部品に出射するとともに反射光を入射する複数の光学素子と、反射光に基づいて光学素子に対応する測定箇所ごとに部品の温度を測定し、測定箇所の部品の温度それぞれの比較に基づいて処理装置の異常を判定する制御部とを備える。【選択図】図3

3. 发明专利

JP6832207B2 静電容量測定用の測定器有权
公开(公告)号：JP6832207B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2017064814
申请日：2017-03-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 南朋秀 , 西尾哲
IPC分类号： H01L21/683 , G01R27/26

4. 发明专利

JP2020012785A 位置測定装置および位置測定方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020012785A
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：JP2018136764
申请日：2018-07-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 永井健治
IPC分类号： G01B11/00
摘要：【課題】チャンバの内部空間に配置される対象の位置を容易に測定する位置測定装置を提供する。【解決手段】位置測定装置は、内部空間が形成されるチャンバに形成される窓を介して前記チャンバの外部から前記内部空間に出射光を出射するチャンバ外装置と、前記内部空間に配置される載置台に載置されるベースウェハと、光回路とを備えている。前記光回路は、前記ベースウェハに固定され、前記出射光が沿う第1直線と平行でない第2直線に沿う入射光に前記出射光を変換し、前記入射光が入射された対象を反射した反射光を、前記第1直線に沿う測定光に変換する。前記チャンバ外装置は、前記窓を介して前記測定光を受光する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2015079832A 薄基板の矯正方法および矯正装置审中-公开
标题翻译：薄基板校正方法及修正装置
公开(公告)号：JP2015079832A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013215572
申请日：2013-10-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 新納礼二 , 原田宗生
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/304 , H01L21/02
摘要：【課題】裏面を研磨したウエハ等のような薄基板に生じた“うねり”や“反り”を矯正することが可能な薄基板の矯正方法を提供すること。【解決手段】支持基板上に接着剤によって仮接着されている被処理基板の裏面を後退させた薄基板を準備し(ステップ1)薄基板を仮接着した支持基板を、下部プレートと上部プレートとの間に挟み(ステップ3)、薄基板を仮接着した支持基板を下部プレートと上部プレートとによって吸着しつつ押圧し(ステップ4)、薄基板を仮接着した支持基板を下部プレートと上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、接着剤の軟化温度以上の温度帯に昇温し(ステップ5)、薄基板を仮接着した支持基板を下部プレートと上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、接着剤の軟化温度未満の温度帯に降温する(ステップ6)。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种薄基板的校正方法，其能够校正在其后表面抛光的诸如晶片的薄基板中产生的“波度”或“翘曲”。解决方案：校正方法包括：薄膜或被处理的基板，其通过粘合剂临时粘附到支撑基板并且其后表面被后退（步骤1）; 将薄基板夹在下板和上板之间暂时粘附到支撑基板上（步骤3）; 在下压板和上板暂时粘附有薄基板的支撑基板上吸附（步骤4）。在用下板和上板临时粘附到其上的薄基板吸附和加压支撑基板的同时，将温度升高到粘合软化温度的温度区域（步骤5）。并且在用下板和上板临时粘附到其上的薄基板吸附和加压支撑基板的同时将温度降低到低于粘合剂软化温度的温度区域（步骤6）。

6. 发明专利

JP6712939B2 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法有权
公开(公告)号：JP6712939B2
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：JP2016207649
申请日：2016-10-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 南朋秀
IPC分类号： H01L21/66 , G01B7/00 , H01L21/68

7. 发明专利

JP2020096122A 搬送方法及び搬送システム审中-公开
公开(公告)号：JP2020096122A
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：JP2018234265
申请日：2018-12-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 河野太輔 , 柳義弘
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/3065
摘要：【課題】フォーカスリングを精度良く搬送する技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る搬送方法は、搬送装置によってフォーカスリングをステージ上に搬送するステップと、搬送されたフォーカスリングの内側領域且つ静電チャック上に測定器を搬送するステップと、搬送された測定器によって測定値群を取得するステップと、測定値群に基づいて、第1のずれ量及び第2のずれ量を求めるステップと、第1のずれ量及び第2のずれ量に基づいて、静電チャックの中心位置に対するフォーカスリングの中心位置のずれ量である第3のずれ量を求めるステップと、第3のずれ量に基づいて、静電チャックの中心位置とフォーカスリングの中心位置とが一致するようにフォーカスリングの搬送位置を搬送装置によって調整するステップと、を含む。【選択図】図15

8. 发明专利

JP2019160914A 測定器、及びフォーカスリングを検査するためのシステムの動作方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019160914A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018042968
申请日：2018-03-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 河野太輔
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】フォーカスリングの消耗量を把握する。【解決手段】測定器は、ベース基板と、複数のセンサ電極と、高周波発振器と、演算部とを備える。ベース基板は円盤状をなしている。複数のセンサ電極は、ベース基板に設けられている。高周波発振器は、複数のセンサ電極に高周波信号を与えるように設けられている。演算部は、複数のセンサ電極における電位に応じた複数の検出値から、複数のセンサ電極それぞれの静電容量を表す複数の測定値を算出する。演算部は、フォーカスリングの消耗量と該消耗量に対応する複数の測定値の代表値とが対応付けられたテーブルを有している。演算部は、複数の測定値の平均値を算出し、テーブルにおいて複数の測定値の平均値に対応付けられたフォーカスリングの消耗量を導出する。【選択図】図9

9. 发明专利

JP2018054500A 位置検出システム及び処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018054500A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016191909
申请日：2016-09-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 永井健治
IPC分类号： G01B11/06 , H01L21/3065 , G01B11/00
CPC分类号： H01L21/67259 , G01B11/06 , G01B11/14 , G01S17/06
摘要：【課題】処理装置のパーツと対象物との位置関係を検出することができる位置検出システム及び処理装置を提供する。【解決手段】円盤状のウエハWを載置するための載置台と載置台の周囲を囲むように配置されるフォーカスリングFRとを有する処理装置に用いられる位置検出システム3である。このシステムは、測定光を発生する光源30と、測定光を出射光として出射するとともに反射光を入射する3つ以上のフォーカサー33と、フォーカスリングFRから載置台に載置されたウエハWに至るまでの走査範囲を走査するように、フォーカサーそれぞれを移動させる駆動部37と、フォーカサーごとに、走査範囲における反射光に基づいてフォーカスリングFRと載置台に載置されたウエハWとの位置関係を算出する演算装置35とを備える。【選択図】図3

10. 发明专利

JP2017003557A 静電容量測定用のセンサチップ及び同センサチップを備えた測定器审中-公开
标题翻译：计装备有传感器芯片和传感器芯片电容测量
公开(公告)号：JP2017003557A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015207787
申请日：2015-10-22
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：杉田吉平 , 南朋秀
IPC分类号： H01L21/68 , G01B7/14
摘要：【課題】特定方向に高い指向性をもって静電容量の測定を行うことを可能とする。【解決手段】一実施形態の静電容量測定用のセンサチップは、第1電極、第2電極、及び第3電極を有している。第1電極は第1部分を有している。第2電極は、第1電極の第1部分の上で延在する第2部分を有し、センサチップ内において第1電極から絶縁されている。第3電極は、第1電極の第1部分及び第2電極の第2部分に交差する方向に延びる前面を有し、第1部分の上、且つ第2部分の上に設けられており、該センサチップ内において第1電極及び第2電極から絶縁されている。【選択図】図8
摘要翻译：甲使得能够测量具有高指向性的电容在特定方向上。用传感器芯片在一个实施例中的电容测量包括第一电极，第二电极和第三电极。所述第一电极具有第一部分。所述第二电极具有延伸在所述第一电极的第一部分和从所述传感器芯片的第一电极绝缘的第二部分。所述第三电极具有前表面延伸的方向交叉的第一部分的第二部分与所述第一电极的第二电极，在第一部分上，这与设置在第二部分中，所述它是由所述第一电极和在所述传感器芯片的第二电极绝缘。点域8

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