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1. 发明申请

WO2007023909A1 ＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体膜及びその誘電体膜を使用したコンデンサ並びにＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体膜の形成方法及び形成システム审中-公开
标题翻译：具有二氧化钛型晶体结构的电介质膜，使用电介质膜的电容器，以及用于形成具有二氧化钛型晶体结构的电介质膜的方法和系统
公开(公告)号：WO2007023909A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/316631
申请日：2006-08-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社オクテック , イビデン株式会社 , 奥村勝弥 , 山田欣司 , 篠田智隆 , 王道海 , 北野高広 , 山西良樹 , 原田宗生 , 川口達三 , 廣田良浩 , 枩田健志
发明人：奥村勝弥 , 山田欣司 , 篠田智隆 , 王道海 , 北野高広 , 山西良樹 , 原田宗生 , 川口達三 , 廣田良浩 , 枩田健志
IPC分类号： H01L21/822 , B32B9/00 , H01G4/12 , H01L21/314 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC分类号： H01G4/1209 , H01L21/31691 , H01L27/101 , H01L28/56
摘要：　平均径が所定値以上の空隙（４２）を含むＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する第１の薄膜（３１）の上に、空隙（４２）の平均径よりも小さい平均粒径のＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する粒子を含む第２の塗布液を塗布し、加熱・焼成する。すると、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する第２の薄膜（３２）が形成され、これにより、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する膜の積層膜から構成されるＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する誘電体膜（３）が得られる。該誘電体膜（３）は、第１の薄膜（３１）と第２の薄膜（３２）との境界領域の密度が、当該誘電体膜（３）の他の領域の密度より高い、という特徴を有する。
摘要翻译：公开了具有ABOx型钙钛矿结构的电介质膜（3），其由具有ABOx型钙钛矿结构的膜的层压体构成。电介质膜（3）可以通过在具有ABOx型钙钛矿晶体结构的第一薄膜（31）上制造并具有平均直径等于或大于预定值的空隙（42），施加第二包含各自具有ABOx型钙钛矿晶体结构并且平均粒径小于空隙（42）的平均直径的颗粒的涂层溶液，然后加热和烧制所得产物以形成第二薄膜（32）在第一薄膜（31）上具有ABOx型钙钛矿晶体结构。电介质膜（3）的特征在于，第一薄膜（31）与第二薄膜（32）之间的边界处的密度高于电介质薄膜（3）的任何其它区域的密度。

2. 发明申请

WO2007032193A1 ＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体膜の形成方法及び形成システム审中-公开
标题翻译：具有ABOX型PEROVSKITE型晶体结构的电介质膜的制造方法
公开(公告)号：WO2007032193A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/316630
申请日：2006-08-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社オクテック , 奥村勝弥 , 北野高広 , 山西良樹 , 原田宗生 , 川口達三 , 廣田良浩
发明人：奥村勝弥 , 北野高広 , 山西良樹 , 原田宗生 , 川口達三 , 廣田良浩
IPC分类号： C04B35/46 , H01B19/00 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/1209 , C04B35/4682 , H01G4/33
摘要：　平均径が所定値以上の空隙（４２）を含むＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する第１の薄膜（３１）の上に、空隙（４２）の平均径よりも小さい平均粒径のＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する粒子を含む誘電体形成用組成液を塗布し、加熱・焼成する。すると、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト結晶構造を有する第２の薄膜（３２）が形成され、これにより、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する膜の積層膜から構成されるＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する誘電体膜が得られる。誘電体形成用組成液の塗布の際、空隙（４２）に誘電体形成用組成液の一部が入り込むことで、誘電体膜における第１の薄膜（３１）と第２の薄膜（３２）との境界領域が緻密となる。
摘要翻译：将用于形成电介质体的组成溶液施加到第一薄膜（31）上，然后加热/烧制，其中第一薄膜（31）具有ABOx型钙钛矿型晶体结构，并且包含空隙（42），其具有平均直径等于或大于预定值，并且构成溶液含有各自具有ABOx型钙钛矿型晶体结构并且平均粒径小于空隙（42）的平均直径的颗粒。结果，具有ABOx型钙钛矿型晶体结构的第二薄膜（32）。以这种方式，可以制造具有ABOx型钙钛矿型结构并由具有ABOx型钙钛矿型结构的膜的叠层构成的电介质膜。电介质膜中的第一薄膜（31）和第二薄膜（32）之间的边界区域变得致密，因为在施加组分溶液期间，一部分组分溶液被结合到空隙（42）中。

3. 发明专利

JP6977474B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6977474B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2017204747
申请日：2017-10-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：山口達也 , 新納礼二 , 藤川誠 , 廣田良浩 , 楊栄 , 山本知成
IPC分类号： C23C14/12 , C23C16/44 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/312

4. 发明专利

JP2019079889A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019079889A
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：JP2017204747
申请日：2017-10-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：山口達也 , 新納礼二 , 藤川誠 , 廣田良浩 , 楊栄 , 山本知成
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , C23C14/12 , C23C16/44 , H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/312
摘要：【課題】半導体製造装置に形成されている開口を介してエッチャントが進入することに伴うダメージの発生を抑えつつ、犠牲膜を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置を製造する方法において、パターニングされた犠牲膜23の開口を含む凹部29が形成された基板に対し、尿素結合を有する重合体からなる重合体膜6を形成し、凹部29内に重合体を埋め込む。次いで、埋め込まれた重合体6aを残して重合体膜6を除去した後、凹部29内に重合体6aが埋め込まれた状態で犠牲膜23を除去してから、凹部29内の重合体を除去する。【選択図】図4

5. 发明专利

JP6356029B2 メタルハードマスクおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6356029B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2014194963
申请日：2014-09-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：菊地裕樹 , 永井洋之 , 廣田良浩 , 鈴木幹夫
IPC分类号： C23C14/14 , H01L21/768 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31144 , C23C14/14 , C23C14/185 , H01L21/311 , H01L21/768

6. 发明专利

JP2016066717A メタルハードマスクおよびその製造方法有权
标题翻译：金属硬掩模及其制造方法
公开(公告)号：JP2016066717A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014194963
申请日：2014-09-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：菊地裕樹 , 永井洋之 , 廣田良浩 , 鈴木幹夫
IPC分类号： C23C14/14 , H01L21/768 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C14/14 , H01L21/3065 , H01L21/768
摘要：【課題】膜ストレスが小さいメタルハードマスクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】被処理体に存在するエッチング対象膜102をエッチングするためのメタルハードマスク103は、薄膜形成技術で形成されたアモルファス合金膜からなる。膜形成技術として物理蒸着法を用いることが好ましく、その中でスパッタリングを好適に用いることができる。メタルハードマスク103は、エッチング対象膜102の上に薄膜形成技術によりアモルファス合金膜を成膜し、アモルファス合金膜をパターン化することにより得られる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供：薄膜应力小的金属硬掩模; 以及制造这种金属硬掩模的方法。解决方案：用于蚀刻目标在被处理物体上的用于蚀刻的膜102的金属硬掩模103包括：通过薄膜形成形成的非晶态金属合金膜技术。优选使用物理气相沉积方法之一作为成膜技术。在这些方法中，可以优选使用溅射。金属硬掩模103通过根据薄膜形成技术形成非晶金属合金膜而获得，该非晶金属合金膜用于蚀刻目标的膜102上，并且对非晶态金属合金膜进行图案化。图1

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